薄膜電容器在電磁加熱設(shè)備中的應(yīng)用

　　C6和C3同樣并接于直流母線的正負(fù)極上。但是由于結(jié)構(gòu)及布線回路等因數(shù)的制約，導(dǎo)致后端的IGBT遠(yuǎn)離C3電容，所以需要在后端的IGBT模塊的電源端直接鎖上一只母線吸收電容，就地吸收IGBT產(chǎn)生的紋波電壓和紋波電流。C6在選擇的時(shí)候，耐壓方面一般按照IGBT的額定電壓來(lái)選擇。盡量選擇紋波電流大，dv/dt大，雜散電感小的母線吸收電容。例如MKPH-S 0.47?F 1?F 1.5?F 2?F等型號(hào)，額定電壓1200V.DC的吸收電容器。　　3 薄膜電容器選型中常出現(xiàn)的問(wèn)題

　　A 額定電壓選擇不當(dāng)

　　額定電壓選擇不當(dāng)，出現(xiàn)最多的地方是諧振電路部分（C5）。研發(fā)人員應(yīng)該根據(jù)設(shè)備的額定功率，輸入電壓，電路拓?fù)洌孀兛刂品绞?，?fù)載材質(zhì)，負(fù)載磁載率，電路Q值等參數(shù)作為綜合考慮后作初步計(jì)算。待樣機(jī)初步達(dá)到要求后，需要用示波器加高壓電壓探頭，實(shí)際測(cè)量一下設(shè)備在最大功率的時(shí)候，諧振電容器兩端的峰峰值電壓，峰值電壓，均方根值電壓，諧振頻率等參數(shù)，用來(lái)判定所選擇的諧振電容器型號(hào)及參數(shù)是否正確。

　　B 額定電流選擇不當(dāng)

　　額定電流選擇不當(dāng)，出現(xiàn)最多的地方是C3（直流支撐）和C5（諧振）部份。實(shí)際需要的電流值如果比電容器允許通過(guò)的電流值大，那么會(huì)造成電容器發(fā)熱嚴(yán)重，長(zhǎng)期高溫工作，導(dǎo)致電容器壽命大大降低，嚴(yán)重的會(huì)炸毀甚至是起火燃燒。在設(shè)備研發(fā)中，可以通過(guò)專用的電流探頭或其他方式，測(cè)量一下實(shí)際需要的峰值電流，均方根值電流，然后調(diào)整電容器的參數(shù)。最終可通過(guò)設(shè)備在滿功率老化測(cè)試中，測(cè)量一下電容器的溫升，根據(jù)電容器的溫升允許參數(shù)來(lái)判定電容器的選擇是否恰當(dāng)。（電流測(cè)量及溫升情況來(lái)綜合評(píng)定）

　　C 接線方式不當(dāng)

　　接線方式不當(dāng)，主要出現(xiàn)在電容器多只并聯(lián)使用中。由于接線方式，走線距離不一致等因數(shù)，導(dǎo)致每只并聯(lián)的電容器在電路中分流不一致。最終體現(xiàn)在多只并聯(lián)的電容器，每只的溫升都不一致。個(gè)別位置的電容器溫升過(guò)高，出現(xiàn)燒毀的情況。因此，需要對(duì)電容器的并聯(lián)使用進(jìn)行合理的布線及連接，盡量要做到均流，提高電容器的使用壽命。

　　4 薄膜電容器使用中的波形參考

C3電壓基波波形 （505V/300HZ） C3紋波電壓波形（38V/23.3KHz）

C5諧振電流波形（Ip=84A Irms=60A ） C4吸收電容波形（Vce=581V F=19.6KHz）

　　最后，本文分析了設(shè)備內(nèi)部各位置的薄膜電容器所起的作用及選型原則，注意事項(xiàng)等等，以三相全橋商用電磁爐作為案例。隨著電磁加熱設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域日益增大，薄膜電容器的使用要求和電性能參數(shù)也越來(lái)越高。