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          淺析通過數(shù)字控制提高DC/DC轉換器效率的技術

          作者: 時間:2013-09-22 來源:網絡 收藏
          能為開關周期的10%,并且在該死區(qū)期間,高次級電流將流經MOSFET 的高正向壓降內部二極管。通過配置同步MOSFET 的PWM 柵極驅動信號疊加,高次級電流可流經MOSFET 通道。在這種情況下,將只有Rds(ON)損耗,其與死區(qū)中MOSFET 內部二極管導致的損耗相比非常小。對于具有電信輸入(36 至76 VDC)的系統(tǒng),通過疊加同步MOSFET 柵極驅動信號,直流-直流轉換器的效率將提高3 - 4%.

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/228256.htm

            實現(xiàn)這些技術需要靈活的具有完全獨立PWM 輸出的電源控制器。DSC(例如dsPIC? DSC)提供了靈活性以及PWM 外設,可輕松實現(xiàn)此技術和其他效率提升技術。

            結論

            PSFB 拓撲具有實現(xiàn)現(xiàn)代電源所需效率的潛力。使設計人員能夠非常精確地控制PSFB拓撲和實現(xiàn)高級控制技術(例如疊加同步MOSFET)。新拓撲、新技術及新理念正在推動電源進入二十一世紀。器(例如Microchip 的dsPIC? DSC)已經為未來的電源需求做好了準備。


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