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          如何正確選用低壓差線性穩(wěn)壓器

          作者: 時間:2013-09-21 來源:網絡 收藏

            相對常用的三端穩(wěn)壓器具有更高的性能,PCB面積占用和功耗更低,在手機等便攜產品中得到廣泛應用。本文介紹了器件的結構和性能特點,并提出了可借鑒的參考設計。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/228268.htm

            如何正確選用低壓差線性穩(wěn)壓器

            )是新一代的集成電路穩(wěn)壓器,它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點是,是一個自功耗很低的微型片上系統(tǒng)(SOC)。 LDO按其靜態(tài)耗電流來分,可分為OmniPower、MicroPower 、NanoPower三種產品,OmniPower LDO的靜態(tài)電流在100uA~1mA之間,MicroPower LDO的靜態(tài)電流在10uA~100uA之間,NanoPower LDO的靜態(tài)電流小于10uA,通常只有1uA。

            OmniPower LDO是一種靜態(tài)電流梢大但性能優(yōu)于三端穩(wěn)壓器的新型線性穩(wěn)壓器,適用于使用AC/DC固定電源的所有電子產品,因其需求量大,生產量大,而生產成本極低,價格十分便宜;MicroPower LDO是一種微功耗的,它具有極低的自有噪音和較高的電源紋波抑制(PSRR),具有快捷的使能控制功能,給它一個高(或者低)的電平可使它進入工作狀態(tài)或睡眠狀態(tài),具有最好的性能/功率比,在需要低噪音的手機電源中必然使用;NanoPower LDO是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器,具有極低的靜態(tài)電流,穩(wěn)壓十分精確,最適用于需要節(jié)電的手提電子、電器產品。

            LDO的結構

            如何正確選用低壓差線性穩(wěn)壓器

            LDO的結構是一個微型的片上系統(tǒng),它由作電流主通道具有極低在線導通電阻RDS(ON)的MOSFET、肖特基二極管、取樣電阻、分壓電阻、過流保護、過熱保護、精密基準源、差分放大器、延遲器和POK(Power OK) MOSFET等專用晶體管電路在一個芯片上集成而成。

            POK是新一代LDO都具備的輸出狀態(tài)自檢、延遲安全供電功能,也有稱之為Power good即“電源好”。

            LDO的效率

            LDO 的工作原理是通過負反饋調整輸出電流使輸出電壓保持不變。

            LDO是一個降壓型的DC/DC 轉換器,因此Vin > Vout,它的工作效率:

            如何正確選用低壓差線性穩(wěn)壓器

            如何正確選用低壓差線性穩(wěn)壓器

            LDO的工作效率一般在60~75%之間,靜態(tài)電流小的效率會好一些。

            LDO的選擇

            當所設計的電路對分路電源有以下要求:

            1. 高的噪音和紋波抑制;

            2. 占用PCB板面積小,如手機等手持電子產品;

            3. 電路電源不允許使用電感器,如手機;

            4. 電源需要具有瞬時校準和輸出狀態(tài)自檢功能;

            5. 要求穩(wěn)壓器低壓降,自身功耗低;

            6. 要求線路成本低和方案簡單;

            此時,選用LDO是最恰當?shù)倪x擇,同時滿足產品設計的各種要求。

            應用指南

            LDO的應用電路十分簡單方便,它工作時僅需要二個作輸入、輸出電壓退耦降噪的陶瓷電容器,參見圖 3。

            Vin和Vout的輸入和輸出濾波電容器應當選用寬范圍、低等效串聯(lián)電阻(ESR)、低價陶瓷電容器,使LDO在零到滿負荷的全部量程范圍內具有良好的穩(wěn)壓效果。一些LDO有一個“Bypass”管腳,由它連接一個小的電容器,可以進一步降低噪音。

            電容器的選擇關系到設計產品的質量和成本,電容器的電容值、電介質材料類型、物理尺寸和等效串聯(lián)電阻等這些重要參數(shù)都是設計工程師所要考慮的,在LOD應用電路的設計中,陶瓷電容器是最好的選擇,因為陶瓷電容器無極性和具有低的ESR,典型值<100mΩ。電容器的ESR對輸出紋波有重大影響,而ESR受電容器的類型、容量、電介質材料和外殼尺寸影響,如常用的貼片電容器X7R 電介質是最好的,使用成本略高,X5R 電介質較好,性能/價格比適宜,Y5V 電介質較差成本較低。

            LDO在PCB板上的工藝走線十分重要,當工藝走線不良和靠近RF線時降噪性能會受影響。此外,濾波電容器匯入地節(jié)點選擇不良時,由負載返回地的電流中,噪音和紋波都會增加,在通常的布線設計中常常遇到此類情況,參見圖 4。如將此布線線路優(yōu)化,則可在由負載返回地的電流中,噪音和紋波都降至最小,見圖 5。理想的PCB板布線設計是接地點盡可能的粗短和走捷徑,走線一定要考慮各個器件間的干擾和輻射,器件的合理排列有利于有效地減少各個器件間的相互干擾和輻射,如圖 6所示。

            新一代的LDO都是用CMOS工藝生產的,它和使用Bipolar工藝生產的LDO功能上沒有多大的區(qū)別,而靜態(tài)電流、壓降、噪音等內在性能有很大的提高,成本更低。

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