一種低壓DC-DC升壓電路的實(shí)現(xiàn)
式中: Rt─ 定時(shí)電阻(Ω); Ct─定時(shí)電容(F); Dmax─ 最大占空比; f─ 開關(guān)頻率(Hz)。
?。?) 變壓器設(shè)計(jì)。變壓器是DC-DC 變換的重要元件, 主要技術(shù)參數(shù)是初次級(jí)匝數(shù)比(n=Np/Ns) 和初次級(jí)的電感量(Lp, Ls)。變壓器的初級(jí)匝數(shù)和次級(jí)匝數(shù)分別為:
Np≥UimaxDmax/2 BmAe
Ns= (U0+UF) Np/UiminDmax
式中: Uimax─最大輸入電壓(V); Uimin─ 最小輸入電壓(V); Bm─ 飽和磁通密度(T); Ae─磁芯截面積(m2);UF─整流管正向壓降(V); U0─ 輸出電壓(V)。
輸出部分的設(shè)計(jì)。輸出部分主要是輸出濾波電感L和輸出電容C 構(gòu)成的LC 低通網(wǎng)絡(luò), 電感量和電容值:
L≥(U0+UF(1-Dmin))/△LL
C≥△LL/8fU0max
式中: △LL─電感脈動(dòng)電流, 一般取值△LL= (10%~25%; I0max(A); Dmin─最小占空比; U0max─輸出最大紋波電壓(V)。
?。?) 開關(guān)管和整流管的選取。開關(guān)管的最大電流Ipmax由下式求得:
Ipmax=(I0max+△LL/2) +IMNp/Ns
式中: IM─勵(lì)磁電流(A); I0max─ 變壓器最大輸出電流(A)。開關(guān)管耐壓為: UB≥2Ui.整流管的最大峰值電流IFM為: IFM≥Iomax+△LL/2.整流管的反向截止電壓URRM≥2Uimax。
1.3 可靠性設(shè)計(jì)
可靠性設(shè)計(jì)主要是對(duì)電路中的功率元器件進(jìn)行降額設(shè)計(jì)和熱設(shè)計(jì)。降額設(shè)計(jì)可參照產(chǎn)品使用手冊(cè), 保證其參數(shù)的合理應(yīng)用, 如電壓、電流參數(shù)的選用留有一定的余量, 這對(duì)可靠性指標(biāo)的保證有很大好處; 熱設(shè)計(jì)可在設(shè)計(jì)過程中應(yīng)用合理有效的措施使電源的溫升降至最低, 提高其可靠性, 而在低溫的環(huán)境下, 對(duì)器件的溫度級(jí)別進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇, 對(duì)電容、磁芯等器件在滿足輸出指標(biāo)的低溫特性問題上也進(jìn)行適當(dāng)?shù)目紤], 確保電源的可靠工作。
?。?) 功率元器件的降額設(shè)計(jì)。由設(shè)計(jì)公式計(jì)算出各元器件的實(shí)際要求數(shù)值, 按降額使用的要求選取元器件。
磁性元件的設(shè)計(jì): 變壓器和輸出濾波電感是DC-DC變換器的主要發(fā)熱源, 承載著很大的功率, 本電路變壓器選用的EE55 型磁芯, 電感選用的4H399 型磁環(huán)。
整流管: 本電路輸出電壓高、電流較小, 選用高耐壓的快恢復(fù)二極管。其具有很好的開關(guān)特性, 它的正向壓降(UF)隨溫度的升高而降低, 可方便的串、并聯(lián)使用,可降低整流管的導(dǎo)通損耗, 有利于電路的效率。本電路輸出電壓為100V, 輸出電流為10A.因此, 選用快恢復(fù)二極管DSEI2×61-12B.
開關(guān)管: 功率MOSFET 具有開關(guān)速度快、損耗低、驅(qū)動(dòng)電流小、無二次擊穿現(xiàn)象、過載能力強(qiáng)、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn), 廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源。當(dāng)輸入電壓為低壓19.2 時(shí), 流過開關(guān)管的峰值電流取Ip≈72A; 輸入電壓為高壓28.8V 時(shí), 漏源電壓UDS=2×28.8+U 尖峰(尖峰是變壓器漏感產(chǎn)生的)。
?。?) 熱設(shè)計(jì)。只有減小熱阻, 提高效率, 才能提高電路的可靠性。電路的發(fā)熱元件主要是開關(guān)管、變壓器、整流管和電感等, 設(shè)計(jì)方面采取的措施包括:
?、僭谏崞魃虾侠矸植紵嵩?, 將上述元器件分開擺放;②功率器件與散熱器的連接面均勻涂抹導(dǎo)熱硅脂, 減少熱阻, 增加熱傳導(dǎo); ③ 進(jìn)行熱分析計(jì)算和熱設(shè)計(jì), 確定散熱器的尺寸、風(fēng)機(jī)風(fēng)量的大小及風(fēng)道的設(shè)計(jì)。
1.4 電路試驗(yàn)結(jié)果
通過對(duì)該DC-DC 搭試電路的反復(fù)試驗(yàn)和相關(guān)指標(biāo)測(cè)試, 其結(jié)果基本滿足設(shè)計(jì)要求。電路性能指標(biāo)的測(cè)試數(shù)據(jù)見表2.該電路的主要不足之處在于變換電路和變壓器的漏感處理不理想, 導(dǎo)致初級(jí)MOSFET 上承受的峰值電壓太高, 輸入電壓為高壓28.8V 時(shí)最大可達(dá)150~160V, 采用的RC 吸收電路發(fā)熱嚴(yán)重功耗大, 同時(shí)電路的效率偏低, 需要對(duì)電路進(jìn)一步的優(yōu)化和改進(jìn)。
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評(píng)論