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          200V Q系列二極管提供低反向恢復(fù)電荷和軟開關(guān)特性

          作者: 時(shí)間:2013-08-06 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高性能電子元器件供應(yīng)商Power Integrations(PI)最近推出了200V 高性能,拓展了其原有的產(chǎn)品陣營(yíng)。200V Q系列可應(yīng)用于硬開關(guān)或軟開關(guān)的等應(yīng)用領(lǐng)域。

          PI的采用獨(dú)特的硅基工藝,具有低反向恢復(fù)電荷(Qrr)和軟開關(guān)電性。當(dāng)PN硅二極管在導(dǎo)通和反向偏置器件關(guān)斷時(shí),電流將快速降至零,然后在二極管從正向?qū)ㄖ谢謴?fù)時(shí)開始反向流經(jīng)二極管,負(fù)電流與時(shí)間的乘積就被定義為反向恢復(fù)電荷。較低的Qrr值可降低MOSFET的開關(guān)損耗,能使設(shè)計(jì)產(chǎn)品在較高的頻率下工作,從而可降低磁性元件的尺寸和成本。較低的Qrr值還可減小MOSFET的導(dǎo)通電流,幫助設(shè)計(jì)工程師選擇更小的低成本元件。PI產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Klaus Pietrczak表示:“與傳統(tǒng)肖特基二極管相比,PI的200V Q系列二極管的Qrr低80%,結(jié)電容也降低80%。與溝道肖特基相比,Qrr降低40%,開關(guān)損耗更低。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的同類產(chǎn)品相比,在相同的工作狀態(tài)下,PI的200V Q系列二極管也具有更低的Qrr和更好的正向壓降?!?

          二極管是低頻到高頻的噪聲發(fā)生源之一,為了最小化EMI,應(yīng)該選用反向恢復(fù)特性更軟的二極管,二極管軟度越高,二極管EMI的情況越好。傳統(tǒng)二極管的軟度能達(dá)0.5已較為理想,PI的Qspeed二極管系列的軟度可接近1,使其EMI和峰值反向電壓(PRV)值更低。

          Klaus Pietrczak表示:“PI的200V Q系列二極管可應(yīng)用于如通信電源和音頻放大器等領(lǐng)域。通過降低所產(chǎn)生的EMI水平,可以為設(shè)計(jì)工程師節(jié)省設(shè)計(jì)空間和元件成本,同時(shí)又可以獲得更優(yōu)良的設(shè)計(jì)性能。”

          200V Qspeed二極管產(chǎn)品提供DPAK、D2PAK和TO-220封裝,規(guī)格從10A~40A不等,目前已可出貨。

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