利用數(shù)字控制技術改善功率密度和電源管理

在一個電源系統(tǒng)中有許多地方可以采用數(shù)字技術，一個是電源內(nèi)部電路本身，還有就是在系統(tǒng)級實現(xiàn)功率管理和監(jiān)控功能[4].本文將針對第一種情況進行詳細討論。文中比較了板載電源（BMPS）的內(nèi)部控制功能采用數(shù)字技術和更傳統(tǒng)的模擬方法的系統(tǒng)級實現(xiàn)效果。對于比較中所提到的每一個方案，BMPS的最終用戶都可以采用傳統(tǒng)的方式來使用器件，而無需額外的系統(tǒng)級數(shù)字技術。比較依賴了實際的案例研究，利用了實際的產(chǎn)品單元作為參考基準。研究中使用了兩種數(shù)字設計方案。一種是尺寸優(yōu)化設計，它提供與模擬設計相近的輸出功率，但具有較小的物理尺寸。另一種方案則是輸出優(yōu)化設計，即維持與模擬設計類似的外形尺寸，但使輸出功率增加。在所有的三種設計方法中，基本的功率傳遞拓撲結構保持不變，從而將比較的焦點集中在如何利用數(shù)字控制技術實現(xiàn)設計的靈活度方面。比較中感興趣的一些方面包括電氣性能、效率、元器件數(shù)量、功率密度、成本和可靠性。比較是站在最終用戶而不是BMPS設計師的利益角度上進行的。

　　本案例比較中所用的BMPS是愛立信公司的PMH8918L負載點（POL）穩(wěn)壓器[1].這是一款電流為18A的非隔離同步降壓穩(wěn)壓器，其輸出電壓可編程，額定輸入電壓為12V.該產(chǎn)品是一款最新的產(chǎn)品，其多項指標都具有競爭性，所以它是使用模擬控制的負載點穩(wěn)壓器的最好代表。在先前發(fā)表的文章中，曾經(jīng)估計到對于相同的18A的輸出電流，采用數(shù)字技術可以使PCB面積減小40-50%,或者說，對于相同的封裝尺寸，輸出電流可以增加到35A.本文將證明在采用數(shù)字控制技術時，這些估計實際上還太過保守，甚至有可能實現(xiàn)更高的功率和電流密度。

　　除了考慮POL穩(wěn)壓器的數(shù)字控制本身為用戶帶來的好處之外，在數(shù)字部分還增加了一個新的接口連接器，從而使得電源系統(tǒng)中可以隨意地利用數(shù)字電源管理技術。該連接器的增加并不改變POL的性能，或者說不會改變模擬和數(shù)字控制方法學的比較結果。該連接器的增加，證明了這項可選系統(tǒng)功能的實現(xiàn)對BMPS的成本和體積并沒有實質的不利影響。

　　如上所述，本文內(nèi)容局限于BMPS層級上的技術和性能的折衷。為了獲取更多的相關內(nèi)容，包括數(shù)字技術在電源系統(tǒng)管理領域中的擴展，讀者可以直接參見參考目錄[4]中的白皮書。

　　案例研究設計

　　1. 現(xiàn)有的18A模擬產(chǎn)品

　　愛立信PMH8918L負載點（POL）穩(wěn)壓器的額定輸出電流為18A.它采用非隔離的同步降壓技術，帶有一個傳統(tǒng)的模擬控制環(huán)路，開關頻率為320kHz.輸出電壓可編程，范圍為1.2-5.5V,輸入電壓為12V.輸出電壓為3.3V時的效率大于92%,計算出來的MTBF為380萬小時。

　　圖1左上方MOSFET的RDS-ON為8.8mΩ，柵極電荷Qg為11nC.而圖1左下方MOSFET的相應參數(shù)則分別為4.0mΩ和27nC.輸出電感的額定值為1.2μH,其電阻為2.3mΩ。

　　PMH8918LPOL穩(wěn)壓器的尺寸為38.1x22.1x9.0mm.通孔版的圖片如圖1左所示。

　　2. 尺寸優(yōu)化的20A數(shù)字設計

　　構建的數(shù)控POL穩(wěn)壓器能夠提供與模擬PMH8918L大致一樣的輸出電流和功率。所采用的基本拓撲結構是一樣的。為了優(yōu)化尺寸重新設計了PCB版圖。最終POL穩(wěn)壓器的尺寸為25.4x12.7x8.5mm,所能提供的最大輸出電流為20A.

　　重要的是應該知道在該設計中，已經(jīng)將尺寸大幅減小變?yōu)榭赡埽@是因為減少了與數(shù)字控制實現(xiàn)相關的元器件數(shù)量。高集成度省去了模擬設計中所用的幾個輔助分立器件。通過仔細選擇MOSFET,并將MOSFET的開關損耗和傳導損耗之和減到最小，來實現(xiàn)效率的最優(yōu)化。圖1右上方的FET的RDS-ON為3.4mΩ，Qg為30nC;而圖1右下方的FET的相應值則分別為1.8mΩ和47nC.輸出電感的額定值為1.2μH,其電阻為2.3mΩ。由于新器件RDS-ON的降低，加上源極電感的減小，使得總的傳導和開關損耗降低，從而實現(xiàn)了滿負載時的最佳效率。輸出電感為1.0μH,電阻為2.3mΩ。另外PCB的覆銅量也有所改變，從而改進了熱管理，降低了傳導損耗。

　　本設計中所用的控制芯片具備“效率優(yōu)化的空載時間控制”功能。該功能導致了效率的提高，這將在下面進行論證。在參考資料[2]中可以看到有關該技術的更多細節(jié)。這種POL穩(wěn)壓器的開關頻率為320kHz.

　　在本案例研究中，為數(shù)字控制POL穩(wěn)壓器加入了一個新型信號接口，不過它并不影響設計的性能，也并非基本功能所必需。沒有采用適合電源連接的大電流引腳，而是設計了一個簡單的、標準的和高性價比的10芯連接器。如果最終用戶需要，該連接器可以用來與系統(tǒng)級電源管理電路進行通信并配置POL穩(wěn)壓器。設計中引入連接器時，并不影響封裝尺寸。圖1右所示的是一個完整的20A尺寸優(yōu)化的數(shù)字設計。

　　3. 輸出優(yōu)化的40A設計

　　構建的另一個數(shù)控POL穩(wěn)壓器的尺寸與模擬PMH8918L基本相同，但輸出電流得到了提高。最終的尺寸比模擬設計的尺寸略小一點，為30.0x20.0x8.5mm.而該POL穩(wěn)壓器的輸出電流提高到了40A.

　　為了提供更高的輸出電流，該設計中采用了并聯(lián)MOSFET.FET器件的選用準則與尺寸優(yōu)化設計中相同。圖2右上方的FET的參數(shù)如下：RDS-ON為1.7mΩ，Qg為60nC.而圖2右下方的FET相應參數(shù)則分別為0.6mΩ和141nC.電感為0.82μH而電阻為1.7mΩ，進一步降低了電阻損耗。該設計的開關頻率也是320kHz.所用的控制芯片與20A數(shù)字設計中的相同。

　　圖2右顯示的是40A輸出優(yōu)化設計的照片。

　性能比較

　　根據(jù)通常所采用的電氣性能參數(shù)對上述三種設計進行了表征。這些參數(shù)包括輸出能力、負載調(diào)整、效率、紋波、噪聲和動態(tài)響應。但由于篇幅有限，這里只詳細地討論效率，因為它對最終用戶來說是一個最重要的關鍵參數(shù)。對于上述的其它參數(shù)，總體說來兩種數(shù)字設計的性能要等同于或更高于模擬設計。參考資料[3]中給出了一些初步的比較結果。

　　1. 效率

　　比較中所用的PMH8918L是一款大電流POL穩(wěn)壓器。對于這類產(chǎn)品，轉換效率是最重要的，因為它對系統(tǒng)的熱設計、最終封裝密度、以及確定終端設備所需的輸入電源具有很大的影響。因此，如果要求數(shù)字設計在效率上進行折衷的話，將是一個難以接受的方案。

　　圖3、4、5中的曲線分別為上述三種設計的效率與輸出電流的關系。每組數(shù)據(jù)都是在輸入電壓為12V,輸出電壓為3.3V以及環(huán)境溫度為25℃的條件下獲得的。比較20A的數(shù)字設計和18A的模擬設計，發(fā)現(xiàn)盡管數(shù)字模塊的尺寸小了許多，但數(shù)字設計在全部的負載范圍上的效率都得到了改善。在半負載點上，數(shù)字POL穩(wěn)壓器的效率改善了1.1%（為93.8%），而在滿負載點上效率提高了1.2%（達到92.5%）。數(shù)字設計效率的改善主要歸功于輔助電路的減少、空閑時間控制以及更優(yōu)化的功率傳遞。

　　由于基準模擬POL穩(wěn)壓器的特性是在12V的輸入電壓下獲得的，故在數(shù)字設計中也采用相同的輸入電壓以便比較。順便說明，對于數(shù)字設計來說，采用更低的輸入電壓時效率會更高。例如，當輸入電壓為9.6V時，在半負載點上效率又提高1%（達到94.8%）。關于這點在研究整體電源系統(tǒng)優(yōu)化時將是非常有趣的問題。

　　40A的數(shù)字設計專為大電流作了優(yōu)化，這反映在圖5中15-30A范圍內(nèi)的效率性能曲線上。當輸出電流低于10A時，它包括了18A模擬設計的可用工作范圍的絕大部分，其效率要比模擬POL穩(wěn)壓器略微低一些，這是由于較高的開關損耗所致。但在半負載點上（20A），其效率達到93.7%,比相同輸出電流的模擬設計提高了2.4%.即便是在40A的滿負載點上，效率仍達91.9%,也比相應的模擬POL穩(wěn)壓器高0.6%.故在所有關注的設計范圍內(nèi)，40A數(shù)字設計的效率也優(yōu)于模擬設計。改善的原因歸結于所采用的元器件數(shù)量與20A設計一樣多。而當輸入電壓為9.6V時，40A設計的效率也能夠再提高1%.

　　盡管40A數(shù)字設計的效率比模擬POL穩(wěn)壓器高且尺寸相當，但由于