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          新功率器件讓服務(wù)器能效達(dá)到93%

          作者: 時(shí)間:2013-03-16 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示會(huì)上,推出OptiMOS 25V器件系列,壯大OptiMOS? 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化,適合應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開(kāi)關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿(mǎn)足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。

            通過(guò)大幅降低三個(gè)關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM),這種全新的器件無(wú)論在任何負(fù)載條件下,都可使MOSFET功耗降低20%,同時(shí)達(dá)到更高的性能。此外,更高的功率密度還能讓典型電源的降壓轉(zhuǎn)換器的占板空間縮小40%以上。

            例如,在一個(gè)六相穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)中,采用一個(gè)5V柵極驅(qū)動(dòng)的全新25V OptiMOS器件,在輸出電流為30A 至180A條件下,能效可超過(guò)90%,最高可達(dá)93%。這主要?dú)w功于該器件具備行業(yè)最低的導(dǎo)通電阻、最低的柵極電荷以及最低的輸出電容等特性。英飛凌聲稱(chēng),它是全球第一家能夠提供同時(shí)具備這樣三種特性的器件的功率MOSFET供應(yīng)商。

            據(jù)幾家市場(chǎng)研究公司的預(yù)測(cè),2011年保有量將達(dá)到6,000萬(wàn)臺(tái)。這些的平均功耗為600瓦,總耗電量高達(dá)36,000兆瓦。這些服務(wù)器的用電量每減少1%,即可節(jié)省360兆瓦的電能,相當(dāng)于一座水電站的裝機(jī)容量。此外,更高效的電源的制冷需求相應(yīng)降低,從而進(jìn)一步減少耗電量。

            英飛凌科技低壓MOSFET產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人Richard Kuncic指出:“更高效地使用能源,也就是說(shuō)消耗更少的電能,是確保未來(lái)能源安全的最有效的途徑,英飛凌將為此做出巨大貢獻(xiàn)。英飛凌為工業(yè)、電信、消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備和家電等領(lǐng)域的產(chǎn)品提供非常強(qiáng)大和高效的MOSFET解決方案。我們?cè)O(shè)立了MOSFET的性能標(biāo)桿。我們矢志鞏固我們作為MOSFET器件頭號(hào)供應(yīng)商的地位,使電源盡可能達(dá)到最高能效。通過(guò)推出這個(gè)全新的25V OptiMOS器件系列,我們能夠讓客戶(hù)設(shè)計(jì)出功耗和成本更低的產(chǎn)品。”

            電源設(shè)計(jì)人員可通過(guò)采用25V OptiMOS器件,減少產(chǎn)品的用電量,降低其熱負(fù)載,甚至縮小其尺寸。這些改進(jìn)對(duì)于數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商而言十分有益,因?yàn)榉?wù)器運(yùn)行及制冷所發(fā)生的電費(fèi),是數(shù)據(jù)中心最大的運(yùn)營(yíng)成本項(xiàng)目。最終用戶(hù)同樣非常重視縮小整個(gè)系統(tǒng)的體積。

            英飛凌全新推出的25V OptiMOS分立式器件采用三種封裝形式:SuperSO8、CanPAK和超小的S3O8封裝。S3O8封裝尺寸僅為3.3 毫米 x 3.3毫米。若采用S3O8封裝,一個(gè)六相轉(zhuǎn)換器的外形尺寸僅為1,120平方毫米,比另外兩種封裝分別縮小45%至 55%。全新推出的DrMOS器件——TDA21220——是一個(gè)多片封裝,集成了兩個(gè)全新的OptiMOS晶體管和一個(gè)驅(qū)動(dòng)IC。它的能效比市場(chǎng)上同類(lèi)解決方案高2%至4%。

            相對(duì)于采用低導(dǎo)通電阻溝槽技術(shù)和超低柵極電荷橫向MOSFET概念的器件,OptiMOS25V器件在能效優(yōu)值方面表現(xiàn)更為出色。在導(dǎo)通電阻相同的情況下,全新的OptiMOS 25V器件的柵極電荷,比采用最接近的溝槽工藝制造的器件低35%,而其輸出電荷比最佳的橫向MOSFET器件低一半。

            供貨與定價(jià)

            25V OptiMOS系列和TDA21220 DrMOS器件的工程樣品已開(kāi)始供貨。典型的定價(jià)是,當(dāng)訂購(gòu)量達(dá)2,000枚時(shí),采用SuperSO8封裝(BSC010NE2LS)的1毫歐25V OptiMOS器件單價(jià)約為1歐元(1.4美元)。當(dāng)訂購(gòu)量達(dá)2,000枚時(shí),TDA21220的起價(jià)約為1.55歐元(2.17美元)。

          英飛凌還計(jì)劃在今年第二季度推出全新的30V OptiMOS系列。與英飛凌產(chǎn)品組合中的數(shù)字電源控制器和其他電源管理器件結(jié)合使用,該器件系列將成為滿(mǎn)足白牌筆記本和英特爾規(guī)定的能效與性能要求的筆計(jì)本電腦電源的理想之選。



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