<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > IGBT選型需要注意諸多事項(xiàng)

          IGBT選型需要注意諸多事項(xiàng)

          作者: 時(shí)間:2013-01-17 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            絕緣柵雙極晶體管() 是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件,在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導(dǎo)通特性,同時(shí)擁有與MOSFET十分相似的柵極結(jié)構(gòu),能實(shí)現(xiàn)輕松控制。此外,由于無(wú)需采用集成式反向二極管,這使制造商能夠靈活地選擇針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的快速“復(fù)合封裝(co-pak)”二極管 (和二極管采用同一個(gè)封裝),這與固有MOSFET二極管相反,固有MOSFET二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr和反向恢復(fù)時(shí)間trr會(huì)隨著額定電壓的升高而增大。

            當(dāng)然,導(dǎo)通效率的提高需要付出代價(jià):IGBT通常具備相對(duì)較高的開(kāi)關(guān)損耗,這可降低應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率。這二者之間的權(quán)衡以及其他應(yīng)用和生產(chǎn)注意事項(xiàng)為數(shù)代IGBT以及不同的子類(lèi)器件的誕生創(chuàng)造了條件。眾多的產(chǎn)品使得在時(shí)采用嚴(yán)格的流程變得十分重要,因?yàn)檫@可對(duì)電氣性能和成本產(chǎn)生重大影響。

            從用戶(hù)角度而言,IGBT過(guò)程可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化,如圖1所示。由于該過(guò)程具備重復(fù)屬性,因此十分適合實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化操作。國(guó)際整流器公司現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出一個(gè)實(shí)用的在線工具,如圖2所示。這個(gè)工具包含IR公司200多種IGBT器件的電氣模型和熱模型。

            電源系統(tǒng)

            IR的在線IGBT選型工具

            電壓選擇

            以往用于110V至220V整流總線應(yīng)用的IGBT的額定電壓為600V,而用于三相380V 至440V整流總線應(yīng)用的IGBT的額定電壓為1200V。IR還推出數(shù)量有限的900V IGBT。近幾年來(lái),IR為擴(kuò)大客戶(hù)的選型范圍,又推出了330V器件(通常不用于直接連接市電的應(yīng)用)。

            與MOSFET不同,IGBT無(wú)雪崩額定值,因此確保在最差條件下IGBT的電壓低于擊穿電壓額定值十分重要。在這種最差條件下,通常需要考慮以下幾點(diǎn):

            * 采用最大線路輸入電壓的最大總線電壓和最大總線過(guò)壓(例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的電氣制動(dòng))

            * IGBT采用最大開(kāi)關(guān)速度(di/dt)、最大雜散電感和最小總線電容關(guān)斷時(shí)的最大過(guò)沖電壓

            * 最低的工作溫度(由于擊穿電壓具備負(fù)溫度系數(shù))

            短路安全工作區(qū)額定值

            這種特性指器件能夠在一定時(shí)間內(nèi)(單位:微秒)承受通過(guò)終端輸入的最大總線電壓,并能夠安全關(guān)斷。在這種條件下,IGBT將會(huì)達(dá)到其飽和電流(取決于第幾代器件和器件的電流額定值),并有效控制系統(tǒng)的電流,同時(shí)耗散大量功率。

            盡管所有IGBT都具備內(nèi)在的短路安全工作區(qū)(SOA)功能,但I(xiàn)GBT主要?dú)w類(lèi)為短路電流額定器件,而不是非短路電流額定器件。短路電流額定器件旨在限制飽和電流,從而限制功耗:這可導(dǎo)致與VCE(ON)實(shí)現(xiàn)平衡,如表1所示。

            IGBT選型需要注意諸多事項(xiàng)

            短路電流額定IGBT

            如圖3所示,當(dāng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器輸出發(fā)生短路時(shí),需要采用這種類(lèi)型器件。IGBT需要能夠承受足夠長(zhǎng)的時(shí)間,從而使保護(hù)電路安全關(guān)斷器件。

            對(duì)于大型工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而言,逆變器輸出端與電機(jī)之間的長(zhǎng)電纜及其相關(guān)的寄生電容迫使設(shè)計(jì)人員增加保護(hù)電路的消隱時(shí)間,從而避免器件錯(cuò)誤跳閘。這反過(guò)來(lái)會(huì)提高對(duì)IGBT的要求。業(yè)界已針對(duì)這種應(yīng)用確定了10μs的標(biāo)準(zhǔn)額定值。IR推出了一系列具備該額定值的器件。

            在某些情況下,縮短保護(hù)電路的消隱時(shí)間是可能的,例如縮短電機(jī)直接安裝在逆變器輸出端上的集成式電機(jī)驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路的消隱時(shí)間。在這種情況下,優(yōu)化器件是可能的。IR推出了一系列具備5μs至6μs短路SOA額定值的低VCE(ON)器件。

            無(wú)電感器的短路(電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用)

            非短路電流額定IGBT

            在電源等應(yīng)用中,IGBT與輸出終端之間會(huì)裝配一個(gè)電感器。在這種情況下,輸出終端出現(xiàn)短路會(huì)使輸出電感器與直流總線實(shí)現(xiàn)串聯(lián),從而允許利用電感器控制電流的上升速度(di/dt)(如圖4所示)。在這種情況下,IGBT本身未出現(xiàn)短路,因此其短路保護(hù)電路有充足的時(shí)間關(guān)斷這些器件。

            采用電感器的應(yīng)用

            對(duì)IGBT取消這種要求,使IR能夠推出一系列具備極低VCE(ON),用于焊接、UPS、太陽(yáng)能和類(lèi)似應(yīng)用的非短路電流額定IGBT。

            速度選擇:關(guān)斷行為

            對(duì)于IGBT而言,主要的參數(shù)平衡為導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗之間的平衡,在這方面特征拖尾電流發(fā)揮了重要作用。芯片設(shè)計(jì)者可優(yōu)化這二者之間的平衡,主要取決于應(yīng)用的開(kāi)關(guān)頻率:表2為4個(gè)不同速度的平衡示例。

            IGBT選型需要注意諸多事項(xiàng)

            盡管這是硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用數(shù)據(jù)表中的重要特性,但軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用也必須要更多地考慮這些特性。在這種情況下,在硬開(kāi)關(guān)條件下比較兩個(gè)器件,會(huì)得出錯(cuò)誤的軟開(kāi)關(guān)行為結(jié)論。如圖5所示,如果通過(guò)增加緩沖電容器實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷,器件的尾電流相對(duì)于在正常硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,會(huì)起到更大的作用。

            硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)波形

            鑒于這個(gè)原因,在計(jì)劃用于這些條件的某些器件中,IR將開(kāi)始提供在軟開(kāi)關(guān)條件下的開(kāi)關(guān)損耗信息:

            * 在IRGP4068DPBF中,IR將提供采用緩沖電容器不同值(確保零電壓開(kāi)關(guān)操作)實(shí)現(xiàn)的關(guān)斷損耗

            * 在IRG7I313UPBF 和 IRG7IC28UPBF中,IR將提供在零電壓開(kāi)關(guān)條件下測(cè)量的EPulse參數(shù)值。

            封裝選擇

            封裝可分為通孔封裝和表面貼裝兩種形式,如圖6所示。通孔封裝具備更廣泛的選擇,適用于高電流額定值,并可實(shí)現(xiàn)高效冷卻,如RthCS額定值所示。這些額定值是基于采用隔離技術(shù)的典型裝配方法。表面貼裝器件可簡(jiǎn)化裝配,但僅適用于低電流額定值,并且散熱性能要差很多,即使是采用熱過(guò)孔。重要的是,要注意,不能采用SMD方法裝配通孔器件,因?yàn)檫@些器件無(wú)法承受該工藝帶來(lái)的高應(yīng)力。圖6顯示的 SMD RthCS額定值是基于典型的電路板裝配條件(具備熱過(guò)孔)。

            IGBT選型需要注意諸多事項(xiàng)

            電氣和熱性能分析

            為達(dá)到特定的應(yīng)用設(shè)計(jì)目標(biāo),工程師需要對(duì)不同器件進(jìn)行比較。通常比較的內(nèi)容包括:能效、最大額定電流、最高溫度等參數(shù)。盡管提供Spice模型,但在預(yù)測(cè)開(kāi)關(guān)損耗時(shí),很難對(duì)參數(shù)進(jìn)行關(guān)聯(lián)。鑒于這個(gè)原因,常見(jiàn)的方法是建立器件行為模型,利用簡(jiǎn)單的公式計(jì)算在特定應(yīng)用中的總導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。

            對(duì)于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器而言,這種方法可用于計(jì)算作為開(kāi)關(guān)頻率(具備固定的?TJS)函數(shù)的最大允許電流,如圖7所示:該圖顯示具備類(lèi)似晶粒尺寸的不同代IGBT的導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗和散熱性能之間的平衡。

            IGBT選型需要注意諸多事項(xiàng)

            如圖8所示,功率因數(shù)校正應(yīng)用可采用類(lèi)似的方法。

            電源系統(tǒng)

            成本分析

            最后階段的成本分析是IGBT選型過(guò)程不可或缺的一部分,因?yàn)樗商峁└叩淖杂啥取_@可通過(guò)圖9內(nèi)IR IGBT選型工具顯示的內(nèi)容輕松看出。該圖顯示了滿(mǎn)足輸入?yún)?shù)的多個(gè)不同器件。它們分別代表了選型流程的不同成本/性能平衡點(diǎn)。

            IGBT選型需要注意諸多事項(xiàng)

            尤其是,它提供了不同代的所有類(lèi)別產(chǎn)品(如圖10所示),使客戶(hù)能夠選擇不同的成本/性能平衡點(diǎn)。平面技術(shù)可用于


          上一頁(yè) 1 2 下一頁(yè)

          關(guān)鍵詞: IGBT 選型

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專(zhuān)區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();