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          電流源設(shè)計小Tips(一):如何選擇合適的運(yùn)放

          作者: 時間:2012-12-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          gm隨Id和VDS減小而明顯減小。gm在Id很小時大致在1-3左右。暫取2。

            電流源設(shè)計小Tips(一):如何選擇合適的運(yùn)放

            圖20

            gm也有轉(zhuǎn)折頻率,最終產(chǎn)生fT,但這個參數(shù)很難得到,因?yàn)榇蠖鄶?shù)功率MOSFET都是用在開關(guān)狀態(tài),而且gmDC隨偏置變化很大,因此datasheet里通常不給出,但由導(dǎo)通時間,Ciss,Coss和Crss可大致推出gm的fT很高,除以gmDC即為轉(zhuǎn)折頻率,很高,大致在10MHz左右。已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出OP07的可操作范圍,因此忽略,認(rèn)為gm是不隨頻率變化的水平直線。

            也可看出為什么之前不用OP37的原因,因?yàn)間m的轉(zhuǎn)折頻率恰好在OP37的操作頻率范圍內(nèi),從而造成頻率補(bǔ)償復(fù)雜度增加。

          分析Aopen之一:的主極點(diǎn)

            是多零極點(diǎn)系統(tǒng),但一般都具有2個主極點(diǎn),低頻主極點(diǎn),靠近DC,高頻主極點(diǎn),靠近GBW。圖為OP07的開環(huán)增益頻響曲線。

            電流源設(shè)計小Tips(一):如何選擇合適的運(yùn)放

            圖21

            2個主極點(diǎn)中,高頻主極點(diǎn)通常不受重視,因?yàn)榇蠖鄶?shù)的高頻主極點(diǎn)都在0dB線以下,即單位增益穩(wěn)定。反饋環(huán)路中只有1只運(yùn)放時很少遇到增益小于1的情況。因此很多運(yùn)放datasheet中高頻主極點(diǎn)都不標(biāo)出。

            考慮運(yùn)放與10倍理想增益級級聯(lián)(有時是必須的),這個高頻主極點(diǎn)就會浮出水面,如果閉環(huán)增益為1,便會產(chǎn)生振蕩。

            電流源設(shè)計小Tips(一):如何選擇合適的運(yùn)放

          圖22  

            電流源設(shè)計小Tips(一):如何選擇合適的運(yùn)放

            圖23

            分析Aopen之二:MOSFET和Rsample

            如前所述,MOSFET分為輸入和輸出兩部分,通過合理簡化,輸入的Cgs接地。

            應(yīng)該感謝輸入輸出功率隔離的設(shè)計方法,不知是誰先造出了電子管,否則這部分分析會相當(dāng)復(fù)雜。

            1. 輸入部分

            輸入部分由Ro=200 Ohm和Cgs=1000pF構(gòu)成低通濾波器,并產(chǎn)生一個極點(diǎn)po。低頻增益為0dB,產(chǎn)生轉(zhuǎn)折頻率的極點(diǎn)po位于約800kHz。正好落在OP07 0dB以上的頻帶范圍內(nèi),因此推測與振蕩有關(guān)。

            電流源設(shè)計小Tips(一):如何選擇合適的運(yùn)放

            圖24

            2. 輸出部分

            MOSFET的電流Id=gmVgs流經(jīng)Rsample產(chǎn)生電壓gmVgsRsample,因此增益為gmRsample。由于gm的轉(zhuǎn)折頻率很高,Rsample在低頻下為理想電阻,因此gmRsample的頻率響應(yīng)為平行于0dB線的直線。

            電流源輸出電流很小時,gm接近于0,因此gmRsample位于0dB線以下很低的位置。輸出電流增大造成gm增大,gmRsample不斷上移,直至最大電流時,gm=2s,Rsample=3 Ohm,gmRsample=6,移至0dB線以上。

            電流源設(shè)計小Tips(一):如何選擇合適的運(yùn)放

            圖25

            兩部分級聯(lián)后,增益相乘,波特圖上增益相加,如下圖:

            電流源設(shè)計小Tips(一):如何選擇合適的運(yùn)放

            圖26

            此時如果gmRsample》1,極點(diǎn)po在0dB線之上,反之則在0dB線之下。

            一旦po高于0dB線,而1/F=1(0dB)且運(yùn)放自身Aopen在此頻率附近有-20dB/DEC的斜率,則po之后斜率將達(dá)到-40dB/DEC,可能產(chǎn)生振蕩。

            因此推論振蕩的產(chǎn)生應(yīng)與Ro、Cgs、gm和Rsample均相關(guān)。

            分析Aopen之三:為何振蕩

            將運(yùn)放、MOSFET和Rsample構(gòu)成的傳遞函數(shù)級聯(lián),得到下圖的完整開環(huán)增益Aopen:

            電流源設(shè)計小Tips(一):如何選擇合適的運(yùn)放

            圖27

            Aopen具有3個主極點(diǎn),分別為:

            1. 運(yùn)放低頻主極點(diǎn)pL

            2. MOSFET輸入電容造成的極點(diǎn)po

            3. 運(yùn)放高頻主極點(diǎn)pH

            gmRsample《1時,po在0dB線之下,系統(tǒng)穩(wěn)定。

            gmRsample》1時,po在0dB線之上,系統(tǒng)振蕩。

            gmRsample=1時,po=0dB,系統(tǒng)處于臨界狀態(tài)。

            此問題的原因說來簡單:

            gm與電流Id息息相關(guān),gm隨Id的增大而增大,因此gmRsample

            可能由《1變化至》1,使極點(diǎn)po位于0dB線之上,1/F=0dB線與

            Aopen的交點(diǎn)處斜率差為40dB/DEC,因此系統(tǒng)振蕩。

            當(dāng)然,可通過降低Rsample避免振蕩,然而這不是治本的方法,而且會引起成本、噪聲等一系列問題。

            處理振蕩時的一個基本原則,盡量首先剪裁Aopen,而后才是1/F。改變1/F可能造成系統(tǒng)瞬態(tài)性能的變化。

            頻率補(bǔ)償是雙刃劍,可能造成系統(tǒng)性能下降,過分的單一補(bǔ)償會造成大量問題。因此應(yīng)盡量使用多種補(bǔ)償方法,而且每種補(bǔ)償適可而止。

            本次將采用三種補(bǔ)償方法,分別解決三種問題:

            1. 加速補(bǔ)償

            2. 噪聲增益補(bǔ)償

            3. 高頻積分補(bǔ)償

            由于篇幅的原因,第一部分就先說到這里,接下來我會談到加速補(bǔ)償,校正Aopen的問題,敬請留意。


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