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基于一階溫度補償技術的CMOS帶隙基準電壓源電路

作者：時間：2012-12-20 來源：網(wǎng)絡

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電路的溫度系數(shù)達到了10x10-6／℃，室溫下電路的功耗為5.2831mW，電路低頻時的電源抑制比特性還不是很好，還有待于進一步的提高，高頻時的電源抑制比非常好，因此本電路可以廣泛應用于低功耗，低溫漂，高頻集成電路中。

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關鍵詞： 一階溫度 補償技術 基準電壓

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