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          如何做好非隔離式開關(guān)電源的PCB布局

          作者: 時間:2012-12-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          此外,不要對這些過孔使用熱風(fēng)焊盤。

            圖9(略)是有多個板上電源的應(yīng)用,這些電源共享相同的輸入電壓軌。當(dāng)這些電源互相不同步時,就需要將輸入電流走線隔離開來,以避免不同電源之間耦合公共阻抗噪聲。每個電源擁有一個本地的輸入去耦電容倒是不太關(guān)鍵。

            對于一只PolyPhase單輸出轉(zhuǎn)換器,為每個相做一個對稱布局有助于熱應(yīng)力的均衡。

            布局設(shè)計實例

            圖10(略)是一個設(shè)計實例,它是一個3.5V~14V,最大輸出1.2V/40A的雙相同步降壓轉(zhuǎn)換器, 使用了LTC3855 PolyPhase電流模式步進(jìn)降壓控制器。在開始前,一個好的習(xí)慣是在邏輯圖上用不同顏色特別標(biāo)示出大電流走線、高噪聲的高dv/dt走線,以及敏感的小信號走線。這種圖將有助于PCB設(shè)計者區(qū)分開各種走線。

            圖11(略)是這個1.2V/40A電源的功率元件層上的功率級布局例子。圖中,QT是高側(cè)控制MOSFET,QB是低側(cè)同步FET.可選擇增加QB的接地面積,以獲得更多的輸出電流。在功率元件層的下方,放了一個實心的電源地層。

            控制電路布局

            使控制電路遠(yuǎn)離高噪聲的開關(guān)銅箔區(qū)。對降壓轉(zhuǎn)換器,好的辦法是將控制電路置于靠近VOUT+端,而對升壓轉(zhuǎn)換器,控制電路則要靠近VIN+端,讓功率走線承載連續(xù)電流。

            如果空間允許,控制IC與功率MOSFET及電感(它們都是高噪聲高熱量元件)之間要有小的距離(0.5英寸~1英寸)。如果空間緊張,被迫將控制器置于靠近功率MOSFET與電感的位置,則要特別注意用地層或接地走線,將控制電路與功率元件隔離開來。

            圖12(略)是LTC3855電源的較好的隔離地方案,IC有外露的GND焊盤,應(yīng)焊到PCB上,以盡量減少電氣阻抗與熱阻。幾只關(guān)鍵去耦電容應(yīng)緊挨著IC引腳。

            控制電路應(yīng)有一個不同于功率級地的獨(dú)立信號(模擬)地。如果控制器IC上有獨(dú)立的SGND(信號地)和PGND(功率地)引腳,則應(yīng)分別布線。對于集成了MOSFET驅(qū)動器的控制IC,小信號部分的IC引腳應(yīng)使用SGND.

            信號地與功率地之間只需要一個連接點。合理方法是使信號地返回到功率地層的一個干凈點。只在控制器IC下連接兩種接地走線,就可以實現(xiàn)兩種地。圖12(略)給出了建議的LTC3855電源接地隔離法。在本例中,IC有一個外露的接地焊盤。此焊盤應(yīng)焊到PCB上,以盡量減少電氣阻抗與熱阻。應(yīng)在接地焊盤區(qū)放置多個過孔。

            控制IC的去耦電容應(yīng)靠近各自的引腳。為盡量減少連接阻抗,好的方法是將去耦電容直接接到引腳上,而不通過過孔。如圖12(略)所示,應(yīng)靠近置放去耦電容的LTC3855引腳是電流檢測引腳Sense+/Sense-,補(bǔ)償引腳ITH,信號地SGND,反饋分壓器腳FB,IC VCC電壓引腳INTVCC,以及功率地引腳PGND.

            回路面積與串?dāng)_

            兩個或多個鄰近導(dǎo)體可以產(chǎn)生容性耦合。一個導(dǎo)體上的高dv/dt會通過寄生電容,在另一個導(dǎo)體上耦合出電流。為減少功率級對控制電路的耦合噪聲,高噪聲的開關(guān)走線要遠(yuǎn)離敏感的小信號走線。如果可能的話,要將高噪聲走線與敏感走線布放在不同的層,并用內(nèi)部地層作為噪聲屏蔽。

            空間允許的話,控制IC要距離功率MOSFET和電感有一個小的距離(0.5英寸~1英寸),后者既有大噪聲又發(fā)熱。

            LTC3855控制器上的FET驅(qū)動器TG、BG、SW和BOOST引腳都有高的dv/dt開關(guān)電壓。連接到最敏感小信號結(jié)點的LTC3855引腳是:Sense+/Sense-、FB、ITH和SGND.如果布局時將敏感的信號走線靠近了高dv/dt結(jié)點,則必須在信號走線與高dv/dt走線之間插入接地線或接地層,以屏蔽噪聲。

            在布放柵極驅(qū)動信號時,采用短而寬的走線有助于盡量減小柵極驅(qū)動路徑中的阻抗。在圖13(略)中,布放的高FET驅(qū)動器走線TG與SW應(yīng)有最小的回路面積,以盡量減小電感與高dv/dt噪聲。同樣,低FET驅(qū)動器走線BG要靠近一根PGND走線。

            如果在BG走線下布放了一個PGND層,低FET的交流地返回電流將自動耦合到一個靠近BG走線的路徑中。交流電流會流向它所發(fā)現(xiàn)的最小回路/阻抗。此時,低柵極驅(qū)動器不需要一個獨(dú)立的PGND返回走線。最好的辦法是盡量減少柵極驅(qū)動走線通過的層數(shù)量,這樣可防止柵極噪聲傳播到其它層。

            在所有小信號走線中,電流檢測走線對噪聲最為敏感。電流檢測信號的波幅通常小于100mV,這與噪聲的波幅相當(dāng)。以LTC3855為例,Sense+/Sense-走線應(yīng)以最小間距并行布放(Kelvin檢測),以盡量減少拾取di/dt相關(guān)噪聲的機(jī)會,如圖14(略)所示。

            另外,電流檢測走線的濾波電阻與電容都應(yīng)盡可能靠近IC引腳。當(dāng)有噪聲注入長的檢測線時,這種結(jié)構(gòu)的濾波效果最好。如果采用帶R/C網(wǎng)絡(luò)的電感DCR電流檢測方式,則DCR檢測電阻R應(yīng)靠近電感,而DCR檢測電容C則應(yīng)靠近IC.

            如果在走線到Sense-的返回路徑上使用了一個過孔,則過孔不應(yīng)接觸到其它的內(nèi)部VOUT+層。否則,過孔可能會傳導(dǎo)大的VOUT+電流,所產(chǎn)生的壓降可能破壞電流檢測信號。要避免在高噪聲開關(guān)結(jié)點(TG、BG、SW和BOOST走線)附近布放電流檢測走線。如可能,在電流檢測走線所在層與功率級走線層之間放置地層。

            如果控制器IC有差分電壓遠(yuǎn)程檢測引腳,則要為正、負(fù)遠(yuǎn)程檢測線采用獨(dú)立的走線,同時也采用Kelvin檢測連接。

            走線寬度的選擇

            對具體的控制器引腳,電流水平和噪聲敏感度都是唯一的,因此,必須為不同信號選擇特定的走線寬度。通常情況下,小信號網(wǎng)絡(luò)可以窄些,采用10mil~15mil寬度的走線。大電流網(wǎng)絡(luò)(柵極驅(qū)動、VCC以及PGND)則應(yīng)采用短而寬的走線。這些網(wǎng)絡(luò)的走線建議至少為20mil寬。


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