跟電源專家陶顯芳學電源技術(shù)(二):漏感與分布電容對輸出波形的影響(下)
當開關(guān)管開始關(guān)斷時,外電路給柵極加一負電壓(或低電壓),通過靜電感應(yīng),開關(guān)管內(nèi)耗盡層中的載流子(電子)在電場的作用下會重新進行分布,相當于外電路要向耗盡層抽離載流子,耗盡層中載流子的濃度將按指數(shù)規(guī)律減小,耗盡層的厚度也將隨時間增大而變小,其結(jié)果是耗盡層的電阻將隨時間由小變大。這個過程,與電容被充電時,流過電容的電流由大變小很相似;所以,當開關(guān)管剛導通的一瞬間,開關(guān)管可以等效成一個理想的開關(guān)與一個電容器并聯(lián),這個電容器就是漏極和源極之間的分布電容Cds。如圖5是開關(guān)管關(guān)斷時,反激式開關(guān)電源的工作原理圖。
根據(jù)上面分析,柵極電容Cgs對開關(guān)管的導通影響比較大,容量越大,開關(guān)管的導通上升時間就越長。而漏極電容Cds對開關(guān)管的關(guān)斷影響比較大,容量越大,開關(guān)管關(guān)斷存儲時間就越長。電容Cgs和Cds也稱擴散電容,它們既具有電阻的性質(zhì),同時也具有電容充放電的特性,這種特性主要與耗盡層中載流子的濃度變化有關(guān)。
當電源開關(guān)管為晶體管時,Cgs和Cds分別與Cbe和Cce對應(yīng),工作原理場效應(yīng)管的工作原理基本相同或相似。不過基區(qū)參與導電的載流子的密度的增加或減少,不是靠靜電感應(yīng)的作用,而是靠基極電流的注入。
由于開關(guān)管在導通或關(guān)斷期間,其分布參數(shù)的性質(zhì)和作用也在改變,因此,在圖1~5中,要對分布電感Ls和分布電容Cs,以及Cgs和Cds組成的電流回路進行精確計算,難度是很大的。下面,我們將以很長的篇幅來對上面電路進行分析和計算。
在圖4中,分布電感Ls和分布電容Cs可以看成是一個串聯(lián)振蕩回路,當開關(guān)管Q1開始導通的時候,輸入脈沖電壓的上升率遠遠大于輸入電壓通過分布電感Ls對分布電容Cs充電電壓的上升率,此時,串聯(lián)振蕩回路開始吸收能量,輸入電壓通過Lds和Ls對Cs進行充電,流過Ls和Cs的電流按正弦曲線增長;當開關(guān)管Q1完全導通以后,Lds的值等于0,此時,輸入脈沖進入平頂階段,相當于輸入脈沖電壓的上升率為0,由于,輸入脈沖電壓的上升率遠遠小于分布電感Ls與分布電容Cs進行充、放電時電壓的上升率,因此,振蕩回路開始釋放能量,振蕩回路會產(chǎn)生阻尼振蕩。
由于分布電感Ls和分布電容Cs的時間常數(shù)相對于勵磁電感 比較小,所以分布電感Ls和分布電容Cs產(chǎn)生阻尼振蕩的過程主要發(fā)生在開關(guān)管Q1導通和關(guān)斷的一瞬間。當開關(guān)管Q1導通或關(guān)斷后不久,阻尼振蕩很快就會停止。當輸入電壓對分布電容Cs充滿電后,輸入電壓就完全加到勵磁電感 的兩端。如果是反激式開關(guān)電源,流過勵磁電感 的電流將隨時間從0開始線性增加;如果是正激式開關(guān)電源,流過勵磁電感 的電流將隨時間按梯形波曲線增長。
在開關(guān)管Q1導通期間,由于開關(guān)管的導通內(nèi)阻非常小,分布電容Cds基本上是不起作用的。當開關(guān)管Q1由導通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為關(guān)斷時,開關(guān)管漏極和源極之間的分布電容Cds將被接入電路中,分布電感Ls和勵磁電感 將同時產(chǎn)生反電動勢,并分別對分布電容Cds和Cs進行充、放電,電容與電感在交替進行能量交換的過程中,將產(chǎn)生串、并聯(lián)振蕩。
但由于勵磁電感 的時間常數(shù)比Ls、Cs和Cds的時間常數(shù)大好多,因此,在產(chǎn)生振蕩的過程中,主要由Ls、Cs和Cds三者產(chǎn)生作用。另外,在開關(guān)管開始關(guān)斷期間,由于Cds實際上是一個阻抗由小到大,其阻抗變化過程類似于電容充電的可變電阻,它只吸收能量,而不會釋放能量。因此,它在產(chǎn)生振蕩的過程中,只對充電曲線的上升速率起影響,而對放電曲線的下降速率不起影響。
圖6是圖4和圖5電路中,當開關(guān)管導通時(圖4),輸入電壓ui通過開關(guān)變壓器漏感Ls對分布電容Cs進行充電,使漏感Ls與分布電容Cs產(chǎn)生沖擊振蕩時,分布電容Cs兩端的電壓波形;和當開關(guān)管關(guān)斷時(圖5),輸入電壓ui與開關(guān)變壓器漏感Ls和分布電容Cs、Cds產(chǎn)生充、放電時,電源開關(guān)管D、S極兩端的波形。
在圖6中,圖6-a是電源開關(guān)管Q1導通時,輸入電壓ui加于開關(guān)變壓器初級線圈兩端的電壓波形;圖6-b是分布電容Cs兩端的電壓波形;圖6-c,是電源開關(guān)管Q1漏極D與源極S之間的電壓波形。
在t0時刻,電源開關(guān)管Q1開始導通,輸入電壓ui加于開關(guān)變壓器兩端,輸入電壓ui首先通過分布電感Ls對分布電容Cs充電,此時,由于輸入電壓ui的上升率大于電流通過分布電感Ls對分布電容Cs進行充電的電壓上升率,所以,分布電感和分布電容都從輸入電壓吸收能量。輸入電壓ui在對分布電感Ls和分布電容Cs進行充電過程中,分布電容Cs兩端的電壓是按正弦曲線上升的;而放電時,其兩端的電壓則按余弦曲線下降。
到t1時刻,流過Ls的電流達到最大值,同時分布電容Cs兩端的電壓與輸入電壓ui相等(或與變壓器初級線圈的正激輸出半波平均值Upa相等),此時輸入電壓ui的上升率為0,輸入電壓ui的上升率小于分布電感Ls對分布電容Cs充電的電壓uc上升率,所以,分布電感Ls開始釋放能量繼續(xù)對分布電容Cs進行充電。此時,Ls在釋放能量,而輸入電壓ui和分布電容Cs都在吸收能量,分布電容Cs都兩端的電壓uc繼續(xù)按正弦曲線上升。
到t2時刻,流過Ls的電流等于0(儲存于Ls中的能量被釋放完畢),分布電感產(chǎn)生的反電動勢對分布電容Cs進行充電結(jié)束,此時Cs兩端的電壓也達到最大值,然后Cs開始按余弦曲線對Ls和輸入電壓ui進行放電,流過Ls的電流開始反向,Ls開始反向儲存磁能量。
到t3時刻,Cs兩端的電壓又與輸入電壓ui相等,電容停止放電,此時,Ls儲存的磁能量將轉(zhuǎn)化成反電動勢es給電容Cs進行反向充電,使Cs兩端的電壓低于輸入電壓ui。
到t4時刻,流過Ls的反向電流等于0,Cs兩端的電壓達到最低值,然后輸入電壓又開始通過Ls對Cs進行充電,至此,分布電感Ls與分布電容Cs第一個充放電周期結(jié)束。
到t4時刻之后,輸入電壓ui對分布電感Ls和分布電容Cs進行充電的過程,以及分布電感Ls和分布電容Cs互相進行充電的過程,與t0~t4時刻基本相同。但由于在此期間,輸入電壓的上升率等于0,輸入電壓不再向分布電感Ls和分布電容Cs提供能量,因此,分布電感Ls與分布電容Cs產(chǎn)生自由振蕩的幅度是隨著時間衰減的,其衰減速率與等效電阻大小有關(guān)。
到t10時刻,分布電感Ls與分布電容Cs產(chǎn)生的阻尼自由振蕩的幅度被衰減到差不多等于0,此時,分布電容Cs兩端的電壓等于變壓器初級線圈的正激輸出半波平均值Upa。關(guān)于半波平均值Upa和Upa-的計算方法及定義,請參考第一章的(1-70)和(1-71)式及說明。
在圖6-b中,Upa為變壓器初級線圈正激輸出電壓的半波平均值,此值與輸入電壓相等;Upa-為變壓器初級線圈反激輸出電壓的半波平均值,此值與占空比相關(guān);當占空比等于0.5時,Upa-與輸入電壓在數(shù)值上相等,但符號相反。
到t11時刻,電源開關(guān)管Q1開始關(guān)斷,由于流過分布電感Ls和勵磁電感 的電流通路突然被切斷,其必然會產(chǎn)生反電動勢 和 ,此二反電動勢將與輸入電壓ui一起串聯(lián)對分布電容Cs和Cds進行充電。但由于Cs兩端的電壓與 電壓基本相等,因此,對分布電容Cds進行充電的電壓正好是輸入電壓ui與反電動勢電壓 和 三者之和。
到t12時刻,電源開關(guān)管Q1已經(jīng)完全關(guān)斷,但二反電動勢 和 與輸入電壓ui還繼續(xù)對分布電容Cs和Cds進行充電,不過,此時Cds的容量已經(jīng)變得非常小,因為它表示開關(guān)管內(nèi)部的擴散電容,屬于電阻性質(zhì),當開關(guān)管完全關(guān)斷之后,阻值為無限大。
直到t13時刻,分布電感Ls儲存的磁能量基本被釋放完,二反電動勢 和 才停止對分布電容Cs和Cds繼續(xù)進行充電;此時,分布電容Cs和分布電容Cds的兩端電壓均達到了最大值,即,加到電源開關(guān)管Q1漏極上的電壓達到最大值;而后,分布電容Cs又對原充電回路進行放電,并產(chǎn)生自由振蕩,但由于電源開關(guān)管Q1關(guān)斷后阻抗為無效大,其放電回路只能通過等效R和勵磁電感 進行,所以振幅很快就衰減到0。圖3-c為電源開關(guān)管D、S兩端的波形。
在圖6-c中,Uda為開關(guān)管Q1關(guān)斷期間,D、S兩極之間電壓的半波平均值,Uda等于輸入電壓ui(ui=U)與變壓器初級線圈產(chǎn)生反激輸出電壓的半波平均值Upa-之和;Udp為開關(guān)管關(guān)斷期間D、S兩極之間電壓的峰值。Udp和Uda的值均與占空比有關(guān),當占空比等于0.5時,Uda約等于輸入電壓ui(ui=U)的2倍,而Udp則大于輸入電壓的2倍,并且Udp的值還與漏感Ls的值大小有
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