Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā)

　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構(gòu)成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。

　　為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Doping Method)且高耐壓、低導(dǎo)通電阻的耗盡型功率MOSFET。

　　這種DSD法是在以往生產(chǎn)增強型功率MOSFET時所使用的雙重擴散法中，增加了可選擇性地將雜質(zhì)部分擴散的技術(shù)，且該方法在補償溝道雜質(zhì)濃度的同時，形成與基板濃度相同的低濃度的淺層。圖1為兩者賽璐珞部分截面構(gòu)造圖的比較。

　　如圖2所示，該功率MOSFET在柵極電壓為0且為低導(dǎo)通電阻(Typ.18Ω)時，可保持良好的導(dǎo)通狀態(tài)，但是一旦在柵極施加微小的附加電壓，即會呈現(xiàn)出高耐壓(400V以上)的高絕緣性(低漏電流：1μA以下)(如圖3所示)。

　　這種高耐壓、低導(dǎo)通電阻性能原本為二律背反關(guān)系，故在傳統(tǒng)的增強型功率MOSFET中就已經(jīng)需要高度的技術(shù)水平，因此該性能在耗盡型功率MOSFET中能夠得以實現(xiàn)可以說是具有了劃時代意義。

　　b觸點型PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器就是通過配備這種耗盡型功率MOSFET而實現(xiàn)的產(chǎn)品。對傳統(tǒng)的a觸點型PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器(AQV214)和b 觸點型PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器(AQV414)做一比較，可看出絕對最大額定值及其他性能均無大異。因此，可通過組合兩種產(chǎn)品來構(gòu)成電路，使其在更廣泛的領(lǐng)域得以運用。

　　PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的種類及區(qū)別使用

　　如表1所示，PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器分為8大類，根據(jù)各類產(chǎn)品的特長可用于不同的領(lǐng)域。

　　小結(jié)

　　綜上所述，PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器不僅摒棄了傳統(tǒng)的機械型繼電器所負載的“靈敏度差”、“發(fā)出運作聲響”、“因開閉造成產(chǎn)品壽命有限”等缺陷，而且還具有一般的SSD可控硅輸出光電耦合器所不具備的高電壓控制、低導(dǎo)通電阻、b觸點回路、AD/DC兼用通電、低漏電流等卓越的特性，再加上其能被用于電信、通信設(shè)備、OA設(shè)備、自動檢針、防盜·防災(zāi)設(shè)備、ME設(shè)備、測量儀器等廣泛領(lǐng)域，因此PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器在今后的高速發(fā)展將令人拭目以待!