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          du/df與負載電流大小的關(guān)系

          作者: 時間:2012-09-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            功率開關(guān)器件產(chǎn)生的du/dt是開關(guān)電源中的主要干擾源之一,IGBT與功率MOSFET在開通和關(guān)斷時產(chǎn)生的|du /dt|的大小是不同的,這是在分析和處理電力電子裝置和系統(tǒng)的干擾時必須注意的一個問題。如圖是一臺IGBT電壓型橋式逆變器電路的測試結(jié)果,圖(a)表明隨著負載電流的加大,關(guān)斷產(chǎn)生的|du/dt|值變大,而圖(b)表明負載電流的變化對開通的|du/dt|影響不大。實驗和分析都表明,由于開通和關(guān)斷時產(chǎn)生的|du/dt|不同,從而對外部產(chǎn)生的干擾脈沖也是不同的。


            圖 IGBT開關(guān)動作時的電壓跳變和負載電流的關(guān)系



          關(guān)鍵詞: du/df 負載電流大小

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