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          電源管理:滿足復(fù)雜DC-DC功率轉(zhuǎn)換要求

          作者: 時(shí)間:2012-05-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          7)。受電腦行業(yè)的推動(dòng),這種解決方案可使電流高達(dá)30A,并針對(duì)最高1MHz的優(yōu)化。甚至在大電流設(shè)計(jì)中即使考慮到熱設(shè)計(jì)規(guī)則,也無需散熱器,因系統(tǒng)中空氣流對(duì)于該芯片散熱是足夠的。

          3.最終全集成開關(guān)將使功率級(jí)設(shè)計(jì)更迅速易行。除了Digital-DC系列的FD2106之外,F(xiàn)AN210x TinyBuck系列也可為3A FAN2103和6A FAN2106應(yīng)用提供全集成同步降壓功能(圖8)。


          整個(gè)IC采用MLP封裝,大小僅5x6mm,有助于設(shè)計(jì)的緊湊性,同時(shí)可實(shí)現(xiàn)最佳熱性能和高效率。

          更高的集成度乍看似乎會(huì)導(dǎo)致更高的材料清單(BOM)成本,但綜合考慮所有的優(yōu)勢(shì),如節(jié)省空間、熱性能更好、無源元件更少等,事實(shí)上反而會(huì)降低最終的系統(tǒng)成本。這樣一種全集成的解決方案還支持高系統(tǒng)可靠性,因?yàn)樵缴僖馕吨收巷L(fēng)險(xiǎn)越低,而且考慮到熱設(shè)計(jì)規(guī)則,更低的系統(tǒng)溫度也十分重要。

          在設(shè)計(jì)任務(wù)中,熱設(shè)計(jì)是非常重要的一環(huán)。利用現(xiàn)今的MOSFET、DrMOS或柵極驅(qū)動(dòng)器,一般可獲得相當(dāng)好的結(jié)到管殼熱阻抗,但管殼到周圍環(huán)境的熱阻抗取決于設(shè)計(jì),且通常要高得多。在大多數(shù)系統(tǒng)中,若只利用PCB,熱阻抗(管殼到周圍環(huán)境)在40K/W左右,最好的設(shè)計(jì)能夠達(dá)到25K/W這仍比結(jié)到管殼熱阻抗高很多,對(duì)MOSFET而言,后者的典型值為2K/W.因此,PCB的熱設(shè)計(jì)非常重要,因?yàn)檫@兩個(gè)熱阻抗都是串聯(lián)的,并影響PCB的最高溫度,而這通常正是限制因素(若結(jié)到管殼熱阻抗低,結(jié)溫就不可能比PCB的高太多)。

          對(duì)于更大的電流,為了讓熱量擴(kuò)散到更大的表面上,多相的解決方案(如2-3個(gè)DrMOS器件)是首選。另一個(gè)權(quán)衡是―如果不是因EMI要求或空間限制而預(yù)先確定(利用更高的來減小無源元件的尺寸),更低的開關(guān)頻率有助于降低開關(guān)損耗,并最終降低溫度。

          至于版圖布局,金屬較多顯然很有助益。更厚的頂層有助于降低溫度,不過也許對(duì)PCB的其余部分并不適合,因?yàn)槌杀驹黾恿?,其它元件需要的更精?xì)的間距也不可能實(shí)現(xiàn)。更大的銅面積很有用,但又會(huì)消耗PCB空間。這些應(yīng)該盡可能由焊料覆蓋,因?yàn)榻饘俦砻姹韧科岜砻娴纳嵝愿谩T诙鄬覲CB中,有時(shí)利用內(nèi)層來協(xié)助散熱。熱通孔(填充焊料)有時(shí)可用來把熱量擴(kuò)散到PCB的另一面去(圖9)。

          對(duì)于強(qiáng)迫空氣對(duì)流式的系統(tǒng),元件布局時(shí)需注意的是,不要把轉(zhuǎn)換器放在其它更大尺寸元件的“風(fēng)陰影”里。建議把控制器置于MOSFET的上游,這樣不會(huì)增加多少功耗,而在較低外殼溫度下工作更可靠。

          小結(jié)

          現(xiàn)代嵌入式轉(zhuǎn)換器受益于眾多不同的技術(shù)方案,能夠提高系統(tǒng)性能和可靠性,并降低成本。在獨(dú)立式轉(zhuǎn)換器或互連數(shù)字轉(zhuǎn)換器之間的控制端上,以及在集成式或解決方案之間的功率級(jí)端上的相倚關(guān)系顯示出,可以對(duì)工作在網(wǎng)絡(luò)中的轉(zhuǎn)換器進(jìn)行優(yōu)化,并獲得最低功耗。


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