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          硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響

          作者: 時(shí)間:2012-05-25 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          鋸痕、臺(tái)階和厚薄不均片由于在硅片上存在局部區(qū)域的高低起伏和厚度差異,在電池制造的各道工序會(huì)因受力不均而引起碎片率的上升。在絲網(wǎng)印刷工序,尤其對(duì)于硅片局部區(qū)域高低突變的鋸痕和臺(tái)階片,很容易造成電極或背場(chǎng)的漏印,引起電極不良。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/230462.htm

          如圖3、4所示,鋸痕、臺(tái)階和厚薄不均片的碎片率、電極不良率和總報(bào)廢與不良率均明顯高于正常硅片,其中總報(bào)廢與不良率比正常硅片高了4%-10%。

          硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響

          圖3各種不良硅片電池生產(chǎn)對(duì)比圖

          硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響

          圖4各種不良硅片組件生產(chǎn)對(duì)比圖

          硅片的表面沾污對(duì)性能的影響

          硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響


          圖5手指印造成的硅片表面沾污,在制絨過(guò)程中,會(huì)出現(xiàn)如異常

          硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響


          圖6原始硅片未清洗干凈,表面有有機(jī)油污污染或清洗液殘留等造成的硅片表面沾污,在制絨過(guò)程中,會(huì)出現(xiàn)異常

          硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響


          圖7硅片表面因?yàn)橛杏臀鄣却嬖?,制絨后未能長(zhǎng)出金字塔結(jié)構(gòu)的絨面

          硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響
          圖8由于原始硅片手指印和有誤的存在,在制絨過(guò)程中無(wú)法去除,在PECVD工序會(huì)引起色斑


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