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          挑戰(zhàn)更低待機功耗,NXP專家來支招

          作者: 時間:2012-05-06 來源:網(wǎng)絡 收藏

            節(jié)能減排已經(jīng)成為全球的大趨勢,在這一個趨勢下,現(xiàn)在,除了把電子設備運行時的功耗降低外,標準組織、半導體廠商也在把電子設備的待機功耗進一步,以節(jié)省更多的能耗和資金,數(shù)年前,如果說要將電子設備待機個功耗降低到幾十毫瓦,很多人會你認為是瘋狂的想法,而現(xiàn)在這已經(jīng)成為現(xiàn)實,而且,實際上,這還有進一步降低的空間,近日,恩智浦半導體資深產(chǎn)品市場經(jīng)理張錫亮分享了降低功耗的四個重要舉措。

            待機功耗=驚人的浪費

            據(jù)張錫亮介紹,數(shù)據(jù)顯示,平均下來,每個家庭每年僅在制冷、白家電、小家電等方面的支出就占到了40%左右,從待機功耗上測試,家庭電視機頂盒在一天待機狀態(tài)下的耗電量為0.131度,一個月按照30天算就是3.93度電,一年按365天算就是47.82度電,按照目前一度電0.52元計算,一年將多支出電費24.87元。

            挑戰(zhàn)更低待機功耗,NXP專家來支招

            如果按每個筆記本每天待機功耗0.5W計算,每年消耗的電能和資金就是

            200M*0.5W*365*24=876,000M Wattage/Hour=876M度=4,380MNT$=931.9MRMB=9億3千萬人民幣!

            如果按每個手機充電器待機功耗0.3W來計算,每年都消耗就是:

            1500M*0.3W*365*24=3,942,000M wattage/hour =3,942M度=19,710MNT$=4,194MRMB=41億9千萬人民幣

            可見待機功耗造成的浪費是非常驚人的!實際上,在日常生活中,我們是經(jīng)常把電腦、筆記本、電視機、機頂盒、充電器置于待機狀態(tài)的,所以這些消耗是實實在在發(fā)生的。

            針對待機功耗驚人的浪費,標準組織早就著手制定嚴格的規(guī)定,這是歐盟的能效星級標準

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            也有類似的規(guī)定,不過張錫亮表示,這個規(guī)定還不夠嚴苛,所以他預計會出臺更嚴苛的標準。

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            降低功耗的四大舉措

            面對嚴格的待機功耗標準需求,半導體廠商各出奇招,努力降,張錫亮分享了的四大舉措,就是:

            1、采用burst模式提供輕載時的效率

            所謂的Burst Mode就是間歇振蕩模式,是降低待機損耗的常用手段,當開關頻率降低到20K附近的時候如果還要繼續(xù)減小損耗,就可以進入Busrt mode,此時的開關波形是振一會停一會,這樣就可以進一步減小開關損耗。張錫亮解釋說,從下圖可以看出,電源的損耗在低功耗時主要由開關損耗來主導,可以用burst模式來降低損耗,不過,他說要注意選擇一個好的效率平衡點。

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            BURST 模式的主要是通過對電感電流峰值最小值的鉗位來實現(xiàn)的。使能BURST 模式要將MODE接低電平,讓BL」RST信號通過選擇器到SLEEP。

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            BURST 模式的具體工作過程見下圖,在輕載時,主功率管對負載是過充的,電感充向負載的電流大于負載電流,多余的電流就流向輸出大電容,這導致輸出電壓的升高。V而的升高到Bt)RST遲滯比較器的高值時,輸出BUSRr信號翻轉(zhuǎn),傳輸至SLEEP信號,關斷主功率管,等電感電流反向時關斷同步管,同時還關斷系統(tǒng)中其他的大部分電路,使靜態(tài)功耗降低。當主功率管被關斷,負載電流由輸出濾波電容提供,所以輸出電壓下降,當降到BURST遲滯比較器的低值時,BUSRf信號使能主功率管,系統(tǒng)重新進入峰值電流鉗位狀態(tài)工作。高負載用同步整流輕負載的情況下效率要高。

            2、在高負載時采用同步整流技術

            同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術,它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。因為功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系。用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。

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            實際上,開關電源的損耗主要由3部分組成:功率開關管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出??旎謴投O管(FRD)或超快恢復二極管(SRD)可達1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降,這就導致整流損耗增大,電源效率降低。

            目前筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達20A。此時超快恢復二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會達到(18%~40%)PO,占電源總損耗的60%以上。因此,傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實現(xiàn)低電壓、大電流開關電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸。

            3、采用提升系統(tǒng)能效

            實際上, 的Green chip芯片都是采用了其獨有的和設計,可以大幅度提升電源系統(tǒng)的能效,與普通電源相比,可以節(jié)能達20~30%,的MOSFET也是采用這個工藝技術,可以將導通電阻做的很低。

            4、采用Multi mode 實現(xiàn)能效的均衡

            這實際上是一種變頻的技術,具體說來,就是在重負載下,減小PWM的頻率,這樣把開關損耗降到最低,還可以減少EMI

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            在輕負載時,則關掉PFC轉(zhuǎn)換器,提升能效,這是通過輕載是降低反激式開關電源頻率來實現(xiàn)的,另外,張錫亮也表示可以在反饋環(huán)路中接一個更高歐姆值的梯形電阻來降低輕載時的損耗。

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            他也指出,在降的時候要注意消除噪聲

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            目前NXP green chip芯片的待機功耗測試指標

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            NXP融合了上述四種技術的各類控制器產(chǎn)品

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            未來,待機功耗標準會越來越嚴格,半導體廠商還會從哪些途徑降?張錫亮表示,NXP已經(jīng)研發(fā)出了新的技術來降低待機功耗,這個技術預計在今年下半年發(fā)布。有興趣的可以關注下。



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