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	 > 電源與新能源 > 設計應用 > 為5V 1-Wire從器件提供過壓保護
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          為5V 1-Wire從器件提供過壓保護
          
						
          
				作者：
				時間：2012-03-18
				來源：網(wǎng)絡

				
				
				
				
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			2的VCE擊穿電壓
        1. Q1的VGD和VDS擊穿電壓
          2.  LT1004 (U1)的最大電流為20mA，2N3906 (Q2)的擊穿電壓為40V，Q1擊穿電壓為350V。受限制的元件為Q2。40V時，通過U1的電流為143μA，遠遠低于20mA限值。

           總結
           如果能夠保護5V器件不受編程脈沖的沖擊，則可以在同一總線上使用1-Wire EPROM和5V 1-Wire器件。圖2所示簡單保護電路一定條件下可以起到保護作用，但MOSFET的柵極至源極關斷電壓的變化范圍很寬，所以并非最佳選擇，需要采用“匹配”的晶體管和并聯(lián)基準。圖4所示電路可調節(jié)補償MOSFET的容限，但對1-Wire主控器件形成了較大負載。由于PSSI2021SAY耐壓高達75V，該電路具有高達75V的保護能力。圖7所示電路的功能類似于圖4，但可獲得更好的性能，對1-Wire主控器件形成的負載也低得多。其保護電壓為40V，受限于Q2。通過選擇具有較高VCE擊穿電壓的晶體管，可提高保護水平。 
                     
				
            
                
			
							
          
                
			            
          
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          關鍵詞：
            			            1-Wire
                        器件
                        過壓保護
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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