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          零電壓反激式開關(guān)電源芯片IRIS4015原理及設(shè)計(jì)要點(diǎn)

          作者: 時(shí)間:2012-03-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)C1開始被緩慢放電,C1電壓下降,其下降過程由C1值和放電電流確定,當(dāng)C1的值降到1.2V左右時(shí),振蕩器輸出導(dǎo)通信號(hào),MOSFET重新導(dǎo)通,同時(shí)C1瞬間充電到5.6V左右,電路重復(fù)以上振蕩周期。上述由VR5(ID)的斜率確定的時(shí)間就是MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間,C1和直流放電電路所確定的固定時(shí)間是MOSFET的關(guān)斷時(shí)間,這個(gè)固定時(shí)間被直流放電電路限制在50μS左右。

          2.2 次級(jí)電壓控制方式

            次級(jí)輸出為電壓控制方式,如圖3所示,在輸出端設(shè)計(jì)的過電壓使光電耦合器的LED中有電流流過,引起反饋電流流過光電耦合器的三極管,并依次流過R4和R5,產(chǎn)生壓降VR4和VR5,使COMP1反向所需的VR5電壓(ID的峰值)被VR4(由FB電流產(chǎn)生)控制。因此如圖4所示:VR4在OCP/FB端產(chǎn)生附加直流偏置電壓,通過這一附加偏置電壓縮短OCP/FB端電壓達(dá)到門限電壓V th(1)的0.73V所需的時(shí)間來降低MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間。這將導(dǎo)致反向變壓器的儲(chǔ)能降壓,通常,來自VR4的偏壓在輕載時(shí)增加,而且MOSFET導(dǎo)通時(shí)沖擊電流產(chǎn)生的噪聲能使比較器1誤動(dòng)作,為避免這個(gè)問題,可在MOSFET截止時(shí),用一個(gè)無(wú)源低通濾波器R4、C5和有源濾波器來減小OCP/FB與GND之間的動(dòng)態(tài)靜態(tài)阻抗,有源低通濾波器是OCP/FB端與地之間的一個(gè)1.35mA直流旁路,它將使MOSFET導(dǎo)通時(shí)OCP/FB端的靜態(tài)阻抗降低一半左右,而MOSFET導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生噪聲由C5來吸收




          2.3 準(zhǔn)諧振工作方式的分析

            準(zhǔn)諧振方式是在VDS最小情況下的情況下,由初級(jí)線圈電感和一個(gè)緩沖電容器提供一個(gè)控制MOSFET開通 的諧振信號(hào),以降低開關(guān)損耗。在這種工作模式下的OCP/FB將高于Vth(2)=1.45V(最大6V),當(dāng)這個(gè)電壓維持在Vth(1)以上時(shí),MOSFET保持關(guān)斷狀態(tài)(注意:準(zhǔn)諧振信號(hào)最小持續(xù)時(shí)間1us)。因此,準(zhǔn)諧振模式下的諧振頻率的一半周期用來使MOSFET導(dǎo)通。
            漏極和源極之間的諧振電容C3與變壓器初級(jí)電感形成諧振電路,在控制繞組D與OCP/FB端加一個(gè)由C3、D4、R5組成的延遲電路產(chǎn)生準(zhǔn)諧振信號(hào),在MOSFET截止時(shí)控制比較器2并觸發(fā)準(zhǔn)諧振方式。由 于延遲電路的存在,即使變壓器上的全部能量都傳送到次級(jí)線圈,反饋到OCP/FB的準(zhǔn)諧振信號(hào)也不會(huì)立即下降,這是因?yàn)镃4和C5由有源濾波器(1.35mA的電流吸收器)和R6、R7的復(fù)合阻抗放電,某周期后,電壓降到Vth(1)或低于它,延遲時(shí)間取決于初級(jí)電感和C3。調(diào)整C4使得當(dāng)MOSFET和VDS達(dá)到準(zhǔn)諧振信號(hào)的最低點(diǎn)時(shí),MOSFET導(dǎo)通,因此延遲時(shí)間由C4和C5的放電時(shí)間確定,即使沒有C4,也會(huì)有一段延遲時(shí)間,當(dāng)OCP/FB端和GND之間的最大電壓為6V時(shí),準(zhǔn)諧振信號(hào)必須低于這個(gè)電壓。



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