MOSFET的諧極驅(qū)動(dòng)
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
按圖4（a）進(jìn)行實(shí)驗(yàn) M2驅(qū)動(dòng)管用ZETEX公司的ZXMD63C02X 其N溝道源漏極通態(tài)阻抗為0.13歐，P溝道源漏極通態(tài)阻抗為0.27歐。M1 主開關(guān)管用Vishay Sliconix公司的Si7442DP，源漏極通態(tài)阻抗為2.6毫歐，門極阻抗為1.2歐。當(dāng)LR=470nH時(shí)，實(shí)驗(yàn)波形如圖4（b）所示，第一個(gè)波形D是功率MOS管的占空比驅(qū)動(dòng)波形，第二個(gè)是諧振電感LR的波形，第三個(gè)是MOS管源極和柵極的電壓。這些波形和圖3的波形基本一樣。最后一個(gè)波形是驅(qū)動(dòng)的損耗，并用選擇不同的電感進(jìn)行比較得出的結(jié)果，選擇合適的諧振電感可以有效降低驅(qū)動(dòng)損耗。
5 結(jié)論
隨著PWM開關(guān)頻率的提高，一個(gè)很小的電感可以用在現(xiàn)在的諧振電路上，使得把諧振驅(qū)動(dòng)電路做成集成電路成為可能。而軟開關(guān)技術(shù)的發(fā)展使得主開關(guān)管得開關(guān)損耗進(jìn)一步減小，在小功率的電源中開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)損耗將會(huì)成為不可忽略的損耗之一。要進(jìn)一步提高電源效率，驅(qū)動(dòng)損耗不能忽略，相信諧振技術(shù)將會(huì)在驅(qū)動(dòng)芯片中廣泛應(yīng)用。
參考文獻(xiàn)
[1] 楊勇 “如何降低MOSFET的開關(guān)損耗”電工技術(shù)雜志 1995 （4） 31-33
[2] S. H. Weinberg, “A novel lossless resonant MOSFET driver,” in Proc.Power Electron. Spec. Conf., 1992, pp. 1003–1010.
[3] I. D. de Vries, “A resonant power MOSFET/IGBT gate driver,” in Proc.Appl. Power Electron. Conf., 2002, pp. 179–185.
[4]B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits. New York:McGraw-Hill, 2001, pp. 166–169.
[5] I Yuhui Chen “A Resonant MOSFET Gate Driver With Efficient Energy Recovery” IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS. 2004 2(3) 473-476
評(píng)論