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          POWER MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2012-01-09
				來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

							
				
				
				
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          1.主要參數(shù)及特性
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/231335.htm
          MOSFET是由電壓控制型器件，輸入柵極電壓VG控制著漏極電流ID，即一定條件下，漏極電流ID取決于柵極電壓VG。極限參數(shù)有：最大漏源電壓VDS、最大柵源電壓VGS、最大漏極電流ID，最大功耗PD。在使用中不能超過(guò)極限值，否則會(huì)損壞器件。主要電特性有：開(kāi)啟電壓VGS(Th)；柵極電壓為零時(shí)的IDSS電流；在一定的VGS條件下的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。
          2.基于開(kāi)關(guān)電源IC3843驅(qū)動(dòng)電路
          POWER MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
          HS70N06VGS一般3.1V就可以完全開(kāi)啟,也有很低的導(dǎo)通電阻RDS(ON),像3843這類(lèi)內(nèi)部帶圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路的IC一般都可以很輕松的驅(qū)動(dòng)它.柵極電阻的選擇范圍也比較大,一般可以從幾歐到幾百歐.
          3.基于MCU圖騰驅(qū)動(dòng)電路
          POWER MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
          MCU的工作電壓都比較低(一般都在5.5V以下),不能直接驅(qū)動(dòng)HS80N75或者說(shuō)驅(qū)動(dòng)能力很差.所以我們一般選擇增加外部圖騰驅(qū)動(dòng)電路.
          4.基于逆變器輸出驅(qū)動(dòng)電路
          POWER MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
          5.基于HID安定器全橋驅(qū)動(dòng)電路
          POWER MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
          6.基于DCBL馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路
          POWER MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
          在這種通電方式里,每瞬間均有三只MOSFET通電.每60o換相一次,每次有一個(gè)MOSFET換相,每個(gè)MOSFET通電180o.

                     
				
            
                
			
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