開(kāi)關(guān)電源鉗位保護(hù)電路及散熱器的設(shè)計(jì)

　　開(kāi)關(guān)電源漏極鉗位保護(hù)電路的作用是當(dāng)功率開(kāi)關(guān)管（MOSFET）關(guān)斷時(shí)，對(duì)由高頻變壓器漏感所形成的尖峰電壓進(jìn)行鉗位和吸收，以防止MOSFET因過(guò)電壓而損壞。散熱器的作用則是將單片開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)掉，避免因散熱不良導(dǎo)致管芯溫度超過(guò)最高結(jié)溫，使開(kāi)關(guān)電源無(wú)法正常工作，甚至損壞芯片。

　　下面分別闡述漏極鉗位保護(hù)電路和散熱器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)、設(shè)計(jì)方法及注意事項(xiàng)。

　　1 設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源漏極鉗位保護(hù)電路的要點(diǎn)及實(shí)例

　　在“輸入整流濾波器及鉗位保護(hù)電路的設(shè)計(jì)”一文中（詳見(jiàn)電源技術(shù)應(yīng)用>2009年第12期），介紹了反激式開(kāi)關(guān)電源漏極鉗位保護(hù)電路的工作原理。下面以最典型的一種漏極鉗位保護(hù)電路為例，詳細(xì)闡述其設(shè)計(jì)要點(diǎn)及設(shè)計(jì)實(shí)例。

　　1）設(shè)計(jì)實(shí)例

　　采用由瞬態(tài)電壓抑制器TVS（P6KE200，亦稱鉗位二極管）、阻容吸收元件（鉗位電容C和鉗位電阻R 1）、阻尼電阻（R 2）和阻塞二極管（快恢復(fù)二極管FR106）構(gòu)成的VDZ、R、C、VD型漏極鉗位保護(hù)電路，如圖1所示。選擇TOPswitch-HX系列 TOP258P芯片，開(kāi)關(guān)頻率f=132kHz，u=85~265V，兩路輸出分別為UO1（+12V、2A）、UO2（+5V、2.2A）。P O=35W，漏極峰值電流I P=I LIMIT=1.65A.實(shí)測(cè)高頻變壓器的一次側(cè)漏感L 0=20μH。

　　圖1 最典型的一種漏極鉗位保護(hù)電路

　　2）設(shè)計(jì)要點(diǎn)及步驟

　?。?）選擇鉗位二極管。

　　采用P6KE200型瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），鉗位電壓UB=200V。

　?。?）確定鉗位電壓的最大值UQ（max）。

　　令一次側(cè)感應(yīng)電壓（亦稱二次側(cè)反射電壓）為UOR ，要求：

　　1.5U OR≤U Q（max）≤200V

　　實(shí)際可取U Q（max）=U B=200V.

　　（3）計(jì)算最大允許漏極電壓U D（max）

　　為安全起見(jiàn)，U D （ max）至少應(yīng)比漏-源極擊穿電壓7 00V留出5 0V的余量。這其中還考慮到P6KE200具有0.108%/℃的溫度系數(shù)，當(dāng)環(huán)境溫度T A=25℃時(shí)，U B=200V;當(dāng)T A=100℃時(shí)，UB=200V×［（1+0.108）%/℃］×100℃=221.6V，可升高21.6V。

　?。?）計(jì)算鉗位電路的紋波電壓。

　　URI=0.1U Q（max）=0.1U B=0.1×200V=20V

　?。?）確定鉗位電壓的最小值U Q（min）

　　UQ（min） =UQ（max） -URI=U B-0.1U B=90%U B=180V

　　（6）計(jì)算鉗位電路的平均電壓。

　　（7）計(jì)算在一次側(cè)漏感上存儲(chǔ)的能量E L0

　?。?）計(jì)算被鉗位電路吸收的能量EQ

　　當(dāng)1.5W≤P O≤50W時(shí)，E Q=0.8E L0=0.8×27.2μJ=21.8μJ

　　注意：當(dāng)P O>50W時(shí)，E Q=E L0=27.2μJ.當(dāng)P O1.5W時(shí)，不要求使用鉗位電路。

　　（9）計(jì)算鉗位電阻R1

　　式中，U Q的量綱為［L］2［M］［T］-3［I］ -1 ，f的量綱為［T］ -1 ，R 1的量綱為［L］2［M］ ［T］-3［I］-2

　　（10）計(jì)算鉗位電容C

　　式中，E Q的量綱為［L］2［M］［T］ -2 ，U Q的量綱為［L］2［M］［T］ -3 ［I］ -1 ，C 的量綱為［L］［M］2［T］ -3［I］ -2

　?。?1）選擇鉗位電容和鉗位電阻。

　　令由R 1、C確定的時(shí)間常數(shù)為τ：

　　將U Q（max） =U B、U Q（min） =90%U B、=0.95UB和f=132kHz一并代入上式，化簡(jiǎn)后得到：

　　τ=R 1C =9.47/f=9.47T （μs）

　　這表明R 1、C 的時(shí)間常數(shù)與開(kāi)關(guān)周期有關(guān)，在數(shù)值上它就等于開(kāi)關(guān)周期的9 。 4 7倍。當(dāng)f=132kHz時(shí)，開(kāi)關(guān)周期T =7.5μs，τ=9.47×7.5μs=71.0μs.

　　實(shí)取鉗位電阻R 1=1 5 kΩ，鉗位電容C =4.7nF.此時(shí)τ=70.5μs.

　　當(dāng)鉗位保護(hù)電路工作時(shí)，R 1上的功耗為：

　　考慮到鉗位保護(hù)電路僅在功率開(kāi)關(guān)管關(guān)斷所對(duì)應(yīng)的半個(gè)周期內(nèi)工作，R 1的實(shí)際功耗大約為1.2W（假定占空比為50%），因此可選用額定功率為2W的電阻。

　　令一次側(cè)直流高壓為U I（max）。鉗位電容的耐壓值U C>1.5U Q（max） +U I（max）=1.5×200V+265V×=674V.實(shí)際耐壓值取1kV.

　?。?2）選擇阻塞二極管VD

　　要求反向耐壓U BR≥1.5U Q（max） =300V

　　采用快恢復(fù)二極管FR106（1A/800V，正向峰值電流可達(dá)30A）。要求其正向峰值電流遠(yuǎn)大于IP（這里為30A>1.65A）。

　　說(shuō)明：這里采用快恢復(fù)二極管而不使用超快恢復(fù)二極管，目的是配合阻尼電阻R 2，將部分漏感能量傳輸?shù)蕉蝹?cè)，以提高電源效率。

　?。?3）計(jì)算阻尼電阻R 2.

　　有時(shí)為了提高開(kāi)關(guān)電源的效率，還在阻塞二極管上面串聯(lián)一只低阻值的阻尼電阻R 2.在R 2與漏極分布電容的共同作用下，可使漏感所產(chǎn)生尖峰電壓的起始部分保留下來(lái)并產(chǎn)生衰減振蕩，而不被RC電路吸收掉。通常將這種衰減振蕩的電壓稱作振鈴電壓，由于振鈴電壓就疊加在感應(yīng)電壓U OR上，因此可被高頻變壓器傳輸?shù)蕉蝹?cè)。

　　阻尼電阻應(yīng)滿足以下條件：

　　即：

　　實(shí)取20Ω/2W的電阻。

　　2 開(kāi)關(guān)電源散熱器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

　　在“開(kāi)關(guān)電源散熱器的設(shè)計(jì)”一文中（詳見(jiàn)電源技術(shù)應(yīng)用>2010年第1期），介紹了通過(guò)計(jì)算芯片的平均功耗來(lái)完成散熱器設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)便實(shí)用方法。下面再對(duì)開(kāi)關(guān)電源散熱器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)作進(jìn)一步分析。

　　以TOPSwitch-GX（TOP242~TOP250）系列單片開(kāi)關(guān)電源為例，當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏-源極導(dǎo)通電流（I DS（ON） ）與漏-源極導(dǎo)通電壓（U DS（ON） ）的歸一化曲線如圖2所示。

　　圖2 當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)