整流濾波電路和鉗位保護(hù)電路的設(shè)計

　　

　　此外，還須考慮與鉗位二極管相串聯(lián)的阻塞二極管VD的影響。VD一般采用快恢復(fù)或超快恢復(fù)二極管，其特征是反向恢復(fù)時間（trr）很短。但是VDl在從反向截止到正向?qū)ㄟ^程中還存在著正向恢復(fù)時間（tfr），還需留出20V的電壓余量。

　　考慮上述因素之后，計算TOPSwitch一 最大漏一源極電壓的經(jīng)驗公式應(yīng)為：

　　TOPSwitch—XX系列單片開關(guān)電源在230V交流固定輸入時，MOSFET的漏極上各電壓參數(shù)的電位分布如圖3所示，占空比D≈26％。此時 u=230V±35V，即umax=265V，UImax=umax≈375V，UOR=135V，UB=1．5 UOR≈200V，UBM=1．4UB=280V，UDmax=675V，最后再留出25V的電壓余量，因此U（BR）DS=700V。實際上 U（BR）DS也具有正向溫度系數(shù)，當(dāng)環(huán)境溫度升高時U（BR）DS也會升高，上述設(shè)計就為芯片耐壓值提供了額外的裕量。

　　2）漏極鉗位保護(hù)電路的設(shè)計

　　漏極鉗位保護(hù)電路主要有以下4種設(shè)計方案（電路參見圖4）：

　?。?）利用瞬態(tài)電壓抑制器TVS（P6KE200） 和阻塞二極管（超陜恢復(fù)二極管UF4005） 組成的TVS、VD型鉗位電路，如（a）圖所示。圖中的Np、NS和NB分別代表一次繞組、二次繞組和偏置繞組。但也有的開關(guān)電源用反饋繞組NF來代替偏置繞組NB。

　　（2）利用阻容吸收元件和阻塞二極管組成的R、C、VD型鉗位電路，如（b）圖所示。

　?。?）由阻容吸收元件、TVS和阻塞二極管構(gòu)成的R、C、TVS、VD型鉗位電路，如（c）圖所示。

　　（4）由穩(wěn)壓管（VDZ）、阻容吸收元件和阻塞二極管（快恢復(fù)二極管FRD）構(gòu)成的VDz、R、C、VD型鉗位電路，如（d）圖所示。

　　上述方案中以（c）的保護(hù)效果最佳，它能充分發(fā)揮TVS響應(yīng)速度極快、可承受瞬態(tài)高能量脈沖之優(yōu)點，并且還增加了RC吸收回路。鑒于壓敏電阻器（VSR） 的標(biāo)稱擊穿電壓值（U1nA）離散性較大，響應(yīng)速度也比TVS慢很多，在開關(guān)電源中一般不用它構(gòu)成漏極鉗位保護(hù)電路。

　　需要指出，阻塞二極管一般可采用快恢復(fù)或超快恢復(fù)二極管。但有時也專門選擇反向恢復(fù)時間較長的玻璃鈍化整流管1N4005GP，其目的是使漏感能量能夠得到恢復(fù)，以提高電源效率。玻璃鈍化整流管的反向恢復(fù)時間介于快恢復(fù)二極管與普通硅整流管之間，但不得用普通硅整流管1N4005來代替lN4005GP。

　　常用鉗位二極管和阻塞二極管的選擇見附表2。