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          電路板級(jí)的電磁兼容設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-10-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
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          對(duì)閉環(huán)電感來說,磁場(chǎng)被完全控制在磁心,因此在電路設(shè)計(jì)中這種類型的電感更理想,當(dāng)然它們也比較昂貴。螺旋環(huán)狀的閉環(huán)電感的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是:它不僅將磁環(huán)控制在磁心,還可以自行消除所有外來的附帶場(chǎng)輻射。電感的磁芯材料主要有兩種類型:鐵和鐵氧體。鐵磁芯電感用于低頻場(chǎng)合(幾十KHz),而鐵氧體磁芯電感用于高頻場(chǎng)合(到MHz)。因此鐵氧體磁芯電感更適合于EMC應(yīng)用。

          在EMC應(yīng)用中特別使用了兩種特殊的電感類型:鐵氧體磁珠和鐵氧體磁夾。

          鐵和鐵氧體可作電感磁芯骨架。鐵芯電感常應(yīng)用于低頻場(chǎng)合(幾十KHz),而鐵氧體芯電感常應(yīng)用于高頻場(chǎng)合(MHz)。所以鐵氧芯感應(yīng)體更適合于EMC應(yīng)用。在EMC的特殊應(yīng)用中,有兩類特殊的電感:鐵氧體磁珠和鐵氧體夾。鐵氧體磁珠是單環(huán)電感,通常單股導(dǎo)線穿過鐵氧體型材而形成單環(huán)。這種器件在高頻范圍的衰減為10dB,而直流的衰減量很小。類似鐵氧體磁珠,鐵氧體夾在高達(dá)MHz的頻率范圍內(nèi)的共模(CM)和差模(DM)的衰減均可達(dá)到10dB至20dB。

          在DC-DC變換中,電感必須能夠承受高飽和電流,并且輻射小。線軸式電感具有滿足該應(yīng)用要求的特性。在低阻抗的電源和高阻抗的數(shù)字電路之間,需要LC濾波器,以保證電源電路的阻抗匹配,如圖6所示。

          電感最廣泛的應(yīng)用之一是用于交流電源濾波器,如圖7所示。

          圖7中,L1是共模扼流圈,它既通過其初級(jí)電感線圈實(shí)現(xiàn)差分濾波,又通過其次級(jí)電感線圈實(shí)現(xiàn)共模濾波。L1、CX1和CX2構(gòu)成差分濾波網(wǎng)絡(luò),以濾除進(jìn)線間的噪聲。L1、CY1和CY2構(gòu)成共模濾波網(wǎng)絡(luò),以減小接線回路噪聲和大地的電位差。對(duì)于50?的終端阻抗,典型的EMI濾波器在差分模式能降低50 dB/十倍頻程,而在共模降低為40 dB/十倍頻程。

          4.二極管

          二極管是最簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件。由于其獨(dú)特的特性,某些二極管有助于解決并防止與EMC相關(guān)的一些問題。表2列出了典型的二極管。

          二極管的應(yīng)用

          許多電路為感性負(fù)載,在高速開關(guān)電流的作用下,系統(tǒng)中產(chǎn)生瞬態(tài)尖峰電流。二極管是抑制尖峰電壓噪聲源的最有效的器件之一。下面舉例說明用二極管實(shí)現(xiàn)尖峰抑制。

          如圖8所示,控制終端開/關(guān)線圈,線圈中的開關(guān)尖峰脈沖將耦合并輻射到電路的其它部分。二極管D1能嵌位電壓的波動(dòng)。

          圖9中的二極管用于抑制高壓開關(guān)的尖峰電壓。

          圖10是典型的變壓和整流電路。D2是肖特基或齊納二極管,用于抑制濾波后的尖峰瞬態(tài)噪聲電壓。

          在汽車控制應(yīng)用中,無論有刷還是無刷電機(jī),當(dāng)電機(jī)運(yùn)行時(shí),都將產(chǎn)生電刷噪聲或換向噪聲。因此需要噪聲抑制二極管,為了改進(jìn)噪聲抑制效果,二極管應(yīng)盡量靠近電機(jī)接點(diǎn)。在電源輸入電路中,需要用TVS或高電壓變阻器進(jìn)行噪聲抑制。信號(hào)連接接口的EMI問題之一是靜電釋放(ESD)。屏蔽電纜和連接器用于保護(hù)而不受外界靜電的干擾。另一種方法是使用TVS或變阻器保護(hù)信號(hào)線。

          ? 集成電路

          現(xiàn)代數(shù)字集成電路(IC)主要使用CMOS工藝制造。CMOS器件的靜態(tài)功耗很低,但是在高速開關(guān)的情況下,CMOS器件需要電源提供瞬時(shí)功率,高速CMOS器件的動(dòng)態(tài)功率要求超過同類雙極性器件。因此必須對(duì)這些器件加以滿足瞬時(shí)功率要求。

          1.集成電路封裝

          現(xiàn)在集成電路有多種封裝結(jié)構(gòu),對(duì)于分離元件,引腳越短,EMI問題越小。因?yàn)楸碣N器件有更小的安裝面積和更低的安裝位置,因此有更好的EMC性能,因此應(yīng)首選表貼器件。甚至直接在PCB板上安裝裸片。IC的引腳排列也會(huì)影響EMC性能。電源線從模塊中心連到I.C.引腳越短,它的等效電感越少。因此VCC與GND之間的越近越有效。

          無論是集成電路、PCB板還是整個(gè)系統(tǒng),時(shí)鐘電路是影響EMC性能的主要因素。集成電路的大部分噪聲都與時(shí)鐘頻率及其多次諧波有關(guān)。因此無論電路設(shè)計(jì)還是PCB設(shè)計(jì)都應(yīng)該考慮時(shí)鐘電路以減低噪聲。合理的地線、適當(dāng)?shù)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/去耦電容">去耦電容和旁路電容能減小輻射。用于時(shí)鐘分配的高阻抗緩沖器也有助于減小時(shí)鐘信號(hào)的反射和振蕩。對(duì)于使用TTL和CMOS器件的混合邏輯電路,由于其不同的開關(guān)/保持時(shí)間,會(huì)產(chǎn)生時(shí)鐘、有用信號(hào)和電源的諧波。為避免這些潛在的問題,最好使用同系列的邏輯器件。由于CMOS器件的門限寬,現(xiàn)在大多數(shù)設(shè)計(jì)者選用CMOS器件。由于制造工藝是CMOS工藝,因此微處理器的接口電路也優(yōu)選這種器件。需要特別注意的是,未使用的CMOS引腳應(yīng)該接地線或電源。在MCU電路中,噪聲來自沒連線/終端的輸入,以至MCU執(zhí)行錯(cuò)誤的代碼。它也是設(shè)計(jì)微控制器接口首選的邏輯系列產(chǎn)品,這些微控制器也是基于CMOS技術(shù)制造的。關(guān)于CMOS設(shè)備,一個(gè)重要方面就是其不用的輸入引腳要懸空或者接地。在MCU電路中,噪聲環(huán)境可能引起這些輸入端運(yùn)行混亂,還導(dǎo)致MCU運(yùn)行亂碼。

          2.電壓校準(zhǔn)

          對(duì)于典型的校準(zhǔn)電路,適當(dāng)?shù)娜ヱ铍娙輵?yīng)該盡可能近地放置在校準(zhǔn)電路的輸出位置,因?yàn)樵诟欉^程中,距離在校準(zhǔn)的輸出和負(fù)荷之間將會(huì)產(chǎn)生電感影響,并引起校準(zhǔn)電路的內(nèi)部振動(dòng)。一個(gè)典型例子,在校準(zhǔn)電路的輸入和輸出中,加上0.1uF的去耦電容可以避免可能的內(nèi)在振動(dòng)和過濾高頻噪聲。除此之外,為了減少輸出脈動(dòng),要加上一個(gè)相對(duì)大的旁路電容(10uF/A)。圖11演示了校準(zhǔn)電路的旁路和去耦電容。電容要放到離校準(zhǔn)裝置盡可近的地方。

          3.線路終端

          當(dāng)電路在高速運(yùn)行時(shí),在源和目的間的阻抗匹配非常重要。因?yàn)殄e(cuò)誤的匹配將會(huì)引起信號(hào)反饋和阻尼振蕩。過量的射頻能量將會(huì)輻射或影響到電路的其他部份,引起EMI(性)問題。信號(hào)的端接有助于減少這些非預(yù)計(jì)的結(jié)果。信號(hào)端接不但能減少在源和目的之間匹配阻抗的信號(hào)反饋和振鈴,而且也能減緩信號(hào)邊沿的快速上升和下降。有很多種信號(hào)端接的方法,每種方法都有其利弊。表3給出了一些信號(hào)端接方法的概要。

          a) 串聯(lián)/源端接 (Series/Source Termination)

          圖12演示了串聯(lián)/源端接方法。在源Zs和分布式的線跡Zo之間,加上了源端接電阻Rs,用來完成阻抗匹配。Rs還能吸收負(fù)載的反饋。Rs必須離源驅(qū)動(dòng)電路盡可能的近。Rs的值在等式Rs=(Z0-Zs)中是實(shí)數(shù)值。一般Rs大約取15-75歐的一個(gè)值。

          b)并聯(lián)端接

          圖13 演示了并聯(lián)端接方法。附加一個(gè)并聯(lián)端接電阻Rp,這樣 Rp/



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