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          高頻變壓器分布電容的影響因素分析

          作者: 時(shí)間:2011-09-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          0 引言

          單端反激變換器具有拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,輸入輸出隔離,升降壓范圍寬,易于實(shí)現(xiàn)多路輸出等優(yōu)點(diǎn),在中小功率場(chǎng)合具有一定優(yōu)勢(shì),特別適合作為電子設(shè)備機(jī)內(nèi)輔助電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。變壓器作為反激變換器中的關(guān)鍵部件,對(duì)變換器的整機(jī)性能有著很大影響。隨著變換器小型化的發(fā)展趨勢(shì),需要進(jìn)一步提高變換器的開關(guān)頻率以減小變壓器等磁性元件的體積、重量[1-3]。但高頻化的同時(shí),變壓器的寄生參數(shù)對(duì)變換器工作的影響卻不容忽視[4-12]。變壓器的寄生參數(shù)主要是漏感和。以往,設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)反激變壓器時(shí),往往只對(duì)變壓器的漏感加以重視。然而,在高壓小功率場(chǎng)合,變壓器對(duì)反激變換器的運(yùn)行特性及整機(jī)效率會(huì)有很大影響,不可忽視[8-13]。對(duì)設(shè)計(jì)者而言,正確的理解這些寄生參數(shù)對(duì)反激變換器的影響,同時(shí)掌握合理控制寄生參數(shù)的方法,對(duì)設(shè)計(jì)出性能良好的變壓器,進(jìn)而保證反激變換器高性能的實(shí)現(xiàn)頗為重要。為此,文中首先給出變壓器寄生參數(shù)對(duì)反激變換器的影響分析,同時(shí)給出這些寄生參數(shù)的確定方法,并對(duì)變壓器的不同繞法以及繞組布局對(duì)的影響進(jìn)行了研究,對(duì)繞組分布電容及繞組間分布電容產(chǎn)生的影響作了分析,最后進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。1 變壓器寄生參數(shù)對(duì)反激變換器的影響如圖1,給出考慮寄生參數(shù)后的高壓輸入低壓輸出RCD 箝位反激變換器拓?fù)?。其中,Ll、Lm 分別表示原邊漏感和磁化電感,C11 為原邊繞組分布電容,C13、C24 表示原邊與副邊繞組不同接線端之間的分布電容。根據(jù)反激變換器的工作原理,反激變壓器鐵心工作于單向磁化狀態(tài),且需要一定的儲(chǔ)能能力。為防止鐵心飽和,通常在變壓器磁路中留有較大氣隙,但這會(huì)使得變壓器有較大漏磁,造成較大的漏感。當(dāng)功率開關(guān)管關(guān)斷時(shí),由于漏感的存
          在,會(huì)在
          開關(guān)管上激起很高的電壓尖峰[12-14]。漏感能量吸收方法有多種,圖1 電路是采用RCD 箝位


          路來吸收漏感能量,控制開關(guān)管關(guān)斷電壓尖峰。另外,在變壓器中,繞組線匝之間、同一繞組上下層之間、不同繞組之間、繞組對(duì)屏蔽層之間沿某一線長(zhǎng)度方向的電位是變化的,這樣形成的變壓器分布電容與靜電容不同,其模型十分復(fù)雜[15-20]。為便于工程分析,通常與漏感在一起,采用圖1 中所示變壓器模型。在低壓高功率場(chǎng)合,因分布電容中儲(chǔ)存的電場(chǎng)能量(CU2/2)與漏感中儲(chǔ)存的磁場(chǎng)能量(LI2/2)相比較小,因而分布電容的影響可以忽略。但在高壓小功率場(chǎng)合,分布電容儲(chǔ)能與漏感儲(chǔ)能相當(dāng),甚至比漏感儲(chǔ)能大,此時(shí)分布電容的影響不可忽略。

          在開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí),繞組電壓發(fā)生變化,在變壓器內(nèi)部和主電路回路中引起高頻振蕩,增加變壓器的損耗,并產(chǎn)生高頻電磁輻射,同時(shí)也會(huì)增加功率器件的動(dòng)態(tài)功耗,引起較高的應(yīng)力,成為損壞功率器件的隱患。若輸入電壓較高,分布電容儲(chǔ)能較大,會(huì)使得開關(guān)管在轉(zhuǎn)換時(shí)出現(xiàn)較大的電流尖峰,在采用峰值電流控制的情況下,將影響電流采樣的正確性,在輕載時(shí)會(huì)對(duì)電源的穩(wěn)壓精度、穩(wěn)定性及損耗
          有較大影響。由于空間位置的不同,一般情況下,C13 和C24并不相等,與繞組繞制方式有關(guān)。如果變壓器繞制時(shí)原副邊繞組接觸面集中于2 點(diǎn)和4 點(diǎn),則C24 大于C13,反之亦然。若4 點(diǎn)接地時(shí),電容C13 和C24兩端電壓變化對(duì)其充放電會(huì)引起功率損耗。
          由此,為了保證變壓器具有良好的高頻特性,必須明確影響其寄生參數(shù)(包括漏感和分布電容)的因素,從而對(duì)其進(jìn)行有效的控制。為避免反復(fù)試湊,在設(shè)計(jì)制作變壓器之前,需要一種有效的方法來計(jì)算或估計(jì)出這些寄生參數(shù)的大小。這里給出了一種分析比較變壓器漏感、繞組分布電容和繞組間分布。

          2 寄生參數(shù)的確定

          2.1 漏感

          漏感表示變壓器繞組之間不完全耦合所表現(xiàn)出來的寄生效應(yīng)。耦合系數(shù)小于1 表示變壓器繞組的空隙中存在漏磁場(chǎng),漏感大小可以通過計(jì)算儲(chǔ)存在繞組間的漏磁場(chǎng)能量來確定??梢哉J(rèn)為這些漏能量等效于儲(chǔ)存在一個(gè)集中表示的漏感中,這個(gè)漏感就可由下式計(jì)算得到:


          式中:式中:μo 為真空磁導(dǎo)率;H 為漏磁場(chǎng)強(qiáng)度分布;dV為漏磁場(chǎng)分布的體積元;Lleak 為變壓器線圈漏感;Iin 為輸入電流。
          對(duì)變壓器中的繞組分布作平面假設(shè),可以得到變壓器的磁場(chǎng)圖。圖2 給出了2 個(gè)實(shí)例,在導(dǎo)體部分磁場(chǎng)強(qiáng)度增加或減少,在層與層間的空間內(nèi)磁場(chǎng)強(qiáng)度保持不變。



          因磁場(chǎng)能量正比于H 的平方,采用交錯(cuò)繞法時(shí)Hm 會(huì)比較小,由此對(duì)漏感的影響也比較小,所以通常采用交錯(cuò)繞法以減小漏感。

          2.2 繞組分布電容

          繞組分布電容對(duì)應(yīng)著變壓器繞組中存儲(chǔ)的電場(chǎng)能量。為了計(jì)算電場(chǎng)能量,需要知道變壓器繞組中的電壓分布。根據(jù)下式,可近似得到2 層繞組分布電容C11 的大?。?/FONT>


          lm 是繞組導(dǎo)線平均長(zhǎng)度;d 是繞組上下層間距;h 是繞組高度;E 是繞組間的電場(chǎng)強(qiáng)度;v 是上下層相鄰層間的電壓分布;Uin 是輸入電壓;ε是層間絕緣材料介電常數(shù)。由式(2)可見,通過公式變換,用電場(chǎng)分布的體積積分來表示的電場(chǎng)能量可表示為變壓器中電壓分布的線積分。而電壓分布可以通過以下方法獲得:在所測(cè)繞組上施加一個(gè)電壓U,其余繞組開路,


          假設(shè)這個(gè)電壓沿著繞組長(zhǎng)度方向均勻分布,從繞組一端電位為零開始,至另一端電位增長(zhǎng)到U,這樣即可獲得繞組電壓分布情況。圖3 給出了不同繞法時(shí)的繞組電壓分布。


          可見,采用C 型繞法,繞線雖簡(jiǎn)單,但上下層相鄰匝間的最大電壓差大,分布電容儲(chǔ)存的能量就很大,從而繞組的端口等效電容較大;采用Z 型繞法,繞線稍復(fù)雜些,但線圈上下層相鄰匝間壓差變小,繞組的端口等效電容明顯減小。若要進(jìn)一步減小繞組分布電容,則可采用分段骨架的方法或累進(jìn)式繞法。分段骨架的方法是將原來的線圈匝數(shù)分成相等的若干份,線圈間的最大電壓差就只有輸入電壓的若干分之一,分段越多,線圈間的最大電壓差越小,繞組等效分布電容就越小。所謂累進(jìn)式繞線方法,就是先繞第1 層的一部分,再在第1 層上繞回去,形成第2 層的一部分,這樣交替繞制第1 層線圈與第2 層線圈,設(shè)累進(jìn)的圈數(shù)為n,則線圈間的最大電壓就是1/n。一般來講,減小分布電容的繞制方法都可以減小導(dǎo)線間的絕緣應(yīng)力。一個(gè)2 層繞組的線圈,如分別采用上述4 種繞法,累進(jìn)式繞法減小繞組分布電容的效果最佳,兩段式繞法次之,C 型繞法最差,Z 型繞法介于中間。以上給出了不同繞法時(shí)2 層繞組分布電容的比較,若匝數(shù)較多,繞組繞成更多層結(jié)構(gòu),總的繞組分布電容仍可由式(2)求出,只是此時(shí)的儲(chǔ)能應(yīng)是所有的儲(chǔ)能之和。

          2.3 繞組間分布電容

          繞組間的分布電容可從電容的基本定義推導(dǎo)而得。這個(gè)電容是沿著繞組分布的,可以把原副邊繞組看成2 根半徑為a 的平行導(dǎo)線A、B,中心相距d,如圖4 所示。


          假設(shè)原邊繞組、副邊繞組分別攜帶電荷q、?q,距離A 的中心x 處P 點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為E,則場(chǎng)強(qiáng)E為導(dǎo)線A、B 的電荷分別在P 點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度EA和EB 的疊加。根據(jù)高斯定理:


          方向是由A 指向B。因此,A、B 間的電位差UAB 為:

          由此可得長(zhǎng)為l 的繞組間分布電容為:

          式中:ε 為繞組導(dǎo)體間絕緣材料的介電常數(shù);l 為2繞組正對(duì)的平均長(zhǎng)度。若繞組采用的是條狀銅箔,如平面變壓器繞
          組,則2 個(gè)繞組間的電容可使用2 塊平行導(dǎo)電板之間的電容計(jì)算公式直接求得:


          變壓器寄生參數(shù)的大小與繞組結(jié)構(gòu)及繞組布局有很大關(guān)系,通過上述分析,可以得到以下結(jié)論:

          (1)減小漏感可以由初級(jí)與次級(jí)繞組間的緊耦合來實(shí)現(xiàn),也就是繞組結(jié)構(gòu)上采用很小的間距以及布局上采用交錯(cuò)繞制的方法即可減小漏感。

          (2)繞組采用不同的繞制方法,繞組分布電容差異較大。采用交錯(cuò)繞制方法,同一繞組層與層的實(shí)際間距增大了,所以繞組分布電容相應(yīng)減小。

          (3)繞組間分布電容除了與線圈層間距、層間絕緣材料以及繞線粗細(xì)有關(guān)外,與兩繞組正對(duì)的面積有很大關(guān)系。因而,采用不同的繞組布局時(shí),繞組間電容會(huì)有很大不同。采用交錯(cuò)繞制后,原副邊繞組正對(duì)的面積變大,致使繞組間產(chǎn)生大的寄生電
          容。緊密繞組的低漏感和大寄生電容成了一對(duì)矛盾。



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