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          透析:Boost型功率因數(shù)校正器的電磁兼容

          作者: 時(shí)間:2011-09-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          0、引言

          為了減少對(duì)交流電網(wǎng)的諧波污染,已經(jīng)推出了一些限制電流諧波的標(biāo)準(zhǔn),如IEC1000-3-2 ClassD標(biāo)準(zhǔn),要求必須采取措施降低輸入電網(wǎng)的電流諧波含量,提高功率因數(shù)。

          傳統(tǒng)的二極管電容對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行整流濾波時(shí),只在輸入交流電壓的峰值部分才有輸入電流,導(dǎo)致產(chǎn)生了很大的電流諧波含量,嚴(yán)重干擾了電網(wǎng),遠(yuǎn)不能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)要求。為了使輸入電流諧波滿足要求,必須加功率因數(shù)校正(PFC)。比較成熟且應(yīng)用廣泛的是兩級(jí)方案,它們有各自的功率器件和控制電路。PFC級(jí)使線電流跟隨線電壓,使線電流正弦化,很容易達(dá)到高功率因數(shù),減少諧波含量。尤其是近年來,隨著電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,大量電力電子裝置的應(yīng)用對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生嚴(yán)重的諧波干擾,帶來嚴(yán)重的危害。所以各國(guó)都提出相應(yīng)的EMC()標(biāo)準(zhǔn),嚴(yán)格規(guī)定接入電網(wǎng)的設(shè)備的諧波干擾的允許水平。我國(guó)推行的3C認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),要求所有電氣產(chǎn)品都必須通過該認(rèn)證才可以出售,其中該標(biāo)準(zhǔn)很重要的部分就是EMC標(biāo)準(zhǔn)。

          1 電源參數(shù)

          大量接入電網(wǎng)的用電設(shè)備都是通過把市電整流成直流后供給負(fù)載的,而傳統(tǒng)常用的是電壓型不控整流,也就是二極管橋式整流接大電容平波的方法。這種整流電路是一種非線性器件和儲(chǔ)能元件的組合,雖然輸入交流電壓是正弦的,但是二極管導(dǎo)通角非常小,輸入電流畸變嚴(yán)重,呈脈沖狀,如圖1所示。


          圖1 不控整流輸入電流、電壓波形

          PFC技術(shù)就是通過在不控整流電路中加入DC/DC開關(guān)變換器,應(yīng)用電流反饋技術(shù),使輸入端電流波形能跟蹤交流輸入電壓波形,從而使輸入端電流接近正弦。本文討論典型的Boost型PFC電路設(shè)計(jì)中的問題。

          該P(yáng)FC電路的技術(shù)參數(shù)為:

          輸入 交流150~270V,50~60Hz;

          輸出 直流380~400V,紋波5%;

          功率 600W;

          開關(guān)頻率 100kHz;

          校正后功率因數(shù) >0.99。

          電路基本原理圖如圖2所示。

          圖2 基于UC3854的功率因數(shù)校正器原理圖

          2 基于UC3854的PFC工作原理

          設(shè)計(jì)是工作于電感電流連續(xù)模式(CCM)下的Boost電路,采用的是Unitrode公司的專用PFC芯片UC3854。該芯片的核心是一個(gè)模擬乘法器,其輸出電流Imo的幅值由電壓環(huán)輸出決定,而波形由輸入電壓的采樣Iac決定,在電路穩(wěn)定時(shí),有ImoRmo正比于IIRs。因?yàn)镮mo是與輸入電壓同相的正弦波,所以Ii也是正弦波,這樣也就實(shí)現(xiàn)了PFC。

          主電路基本參數(shù)為:輸入Boost電感L=1mH,C=470μF,最大輸入電流有效值為4A,開關(guān)管為IRF460,二極管為快恢復(fù)二極管RHRP1560。



          3 Boost型PFC的問題

          3.1 電磁干擾源[1]

          電路的主要電磁干擾源有多種,最主要的是開關(guān)功率器件和變流電路在開關(guān)過程中引起的電磁噪聲。電力電子裝置無論是主電路的功率半導(dǎo)體器件,還是控制電路的高速集成電路,在器件開關(guān)過程中,都存在著很高的di/dt,它們通過線路或元器件的引線電感引起瞬態(tài)電磁噪聲,頻率可高達(dá)幾十kHz甚至幾百kHz,是不可忽視的噪聲源。下面對(duì)干擾源一一分析。

          IRF460為功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),屬于多子器件,不存在反向恢復(fù)問題,但是他的開關(guān)速度很高,開關(guān)過程中產(chǎn)生的di/dt(dv/dt)可達(dá)很高的數(shù)值,作用在電路中的寄生電感(電容)上,會(huì)產(chǎn)生很高的瞬態(tài)電壓、電流和引起振蕩。如設(shè)開關(guān)時(shí)間為10ns,引線電感為500nH,開關(guān)過程中最大的電流可以達(dá)到6A,則引線上產(chǎn)生的電壓為500×10-9× =300V

          如此大的脈沖電壓(電流)會(huì)造成嚴(yán)重的電磁干擾。二極管開關(guān)過程中也會(huì)產(chǎn)生噪聲。二極管開通時(shí)電流迅速增大,但是其管壓降不是立即下降,而是出現(xiàn)一個(gè)快速的上沖,則導(dǎo)致一個(gè)寬帶的電磁噪聲。而在關(guān)斷時(shí),由于PN結(jié)長(zhǎng)基區(qū)中大量過剩少數(shù)載流子需要復(fù)合,從而產(chǎn)生很大的反向恢復(fù)電流,此電流與關(guān)斷電流和關(guān)斷速度成正比。在高速、大電流情況下,該反向電流會(huì)相當(dāng)大,而且在開通時(shí)疊加在開關(guān)電流上,嚴(yán)重時(shí)會(huì)把開關(guān)器件燒毀。所以必須選用有快恢復(fù)特性的二極管,盡量減少反向恢復(fù)電流。

          3.2 電磁干擾的耦合途徑[1]

          高頻開關(guān)電源造成的電磁噪聲耦合到被干擾對(duì)象有兩種方式:傳導(dǎo)方式和輻射方式。根據(jù)電磁噪聲耦合特點(diǎn),傳導(dǎo)耦合可分為直接傳導(dǎo)耦合、公共阻抗耦合和轉(zhuǎn)移阻抗耦合三種。本電路中,直接傳導(dǎo)耦合、公共阻抗耦合和輻射耦合是應(yīng)該重點(diǎn)考慮的。

          直接傳導(dǎo)耦合是指噪聲通過導(dǎo)線或寄生元件等直接耦合到被干擾對(duì)象,如Ldi/dt可以通過導(dǎo)線耦合。所以,在實(shí)驗(yàn)電路中,應(yīng)該盡量縮短導(dǎo)線的長(zhǎng)度。當(dāng)然,最佳的方法是應(yīng)用零電流開關(guān)(ZCS)軟開關(guān)技術(shù)。

          公共阻抗傳導(dǎo)耦合是噪聲通過設(shè)備的公共接地線以及接地網(wǎng)絡(luò)中的公共阻抗產(chǎn)生公共地阻抗耦合。如果地線安排不當(dāng),地線會(huì)受到很大的干擾,通??梢詸z測(cè)到幅值高達(dá)幾V的毛刺,電路也就不能正常工作了。所以,應(yīng)該合理安排接地,盡量把地線安排較短,而且功率地和信號(hào)地分開。經(jīng)過這樣處理之后,地線上的毛刺將明顯得到抑制。

          輻射耦合是指電磁噪聲的能量,以電磁場(chǎng)能量的形式,通過空間輻射傳播,耦合到被干擾的設(shè)備(電路)。在本電路里,開關(guān)和二極管是最大的電磁噪聲源,電磁噪聲會(huì)輻射到電路的其他部分。被干擾電路接受電磁噪聲的能量與該電路回路的面積成正比,所以,必須在安排電路器件時(shí)盡可能地縮小電路回路的面積。

          4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

          本實(shí)驗(yàn)的電路是基于UC3854的Boost型功率因數(shù)校正器,工作模式為電流連續(xù)模式,輸出為380~400V直流電壓,輸出功率為600W。

          在實(shí)驗(yàn)中,要合理安排元器件布局和地線,盡量縮短引線長(zhǎng)度和減小主電路回路的面積,主電路和控制電路分開安排。這樣,電磁兼容問題可以得到很大的改善。從圖3、圖4實(shí)驗(yàn)波形看,基本實(shí)現(xiàn)PFC功能,而且波形所受干擾比較小。


          圖3 開關(guān)驅(qū)動(dòng)波形

          圖4 輸入電流、電壓(衰減10倍)波形

          5 結(jié)語(yǔ)

          本文通過分析Boost型PFC電路的電磁兼容問題,如干擾源、耦合途徑等,提出在實(shí)際實(shí)驗(yàn)中解決的方法,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。



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