真相：準諧振反激的設(shè)計內(nèi)幕

準諧振 QR

Q(Quasi)

R( resonant)

主要是降低MOSFET的開關(guān)損耗，而mos的開關(guān)損耗主要是來源于自身的輸出電容。

從上圖中，大家可以討論一下，一般的開關(guān)損耗來自于那幾個部分的寄生電容產(chǎn)生的。在傳統(tǒng)的非連續(xù)模式反激DCM)的停滯時間內(nèi)，寄生電容將會跟VDC周圍的主要電感產(chǎn)生振蕩。寄生電容上的電壓會隨振蕩而變化，但始終具有相當(dāng)大的數(shù)值。當(dāng)下一個周期MOSFET導(dǎo)通時間開始時，寄生電容會通過MOSFET放電，產(chǎn)生很大的電流尖峰。由于這個電流出現(xiàn)時MOSFET存在一個很大的電壓,該電流尖峰因此會做成開關(guān)損耗。

從上面的圖可以看到，準諧振跟一般的傳統(tǒng)反激原理基本一樣。

Lleak是初級漏感，Rp是初級電阻，Cp是諧振電容；

當(dāng)副邊繞組中的能量釋放完畢之后(即變壓器磁通完全復(fù)位)，在開關(guān)管的漏極出現(xiàn)正弦波振蕩電壓，振蕩頻率由LP、CP決定，衰減因子由RP決定。

對于傳統(tǒng)的反激式變換器，其工作頻率是固定的，因此開關(guān)管再次導(dǎo)通有可能出現(xiàn)在振蕩電壓的任何位置(包括峰頂和谷底。