淺談如何提升輕載能效及降低待機功耗

隨著家用電器、視聽產(chǎn)品的普及，辦公自動化的廣泛應用和網(wǎng)絡化的不斷發(fā)展，越來越多的產(chǎn)品具有了待機功能，以隨時滿足使用者的要求。這些新產(chǎn)品、新技術在極大地方便我們生活的同時，也造成了大量的能源浪費。，“能源之星”等規(guī)范標準在致力于提升這些設備所用電源工作能效的同時，也注重提升輕載能效及降低待機能耗。

對于一個反激式開關電源而言，我們可以通過以下幾個方面來提升輕載效率和待機功耗：

1.開關MOSFET的損耗通常可以分為導通損耗、開關損耗、驅動損耗等。前兩種是MOSFET的主要損耗。在輕載和空載情況下，原邊電流的峰值和有效值都會明顯降低，這時候的開關損耗是主導因素。而開關損耗與Vds電壓、開關頻率有著直接的關系。因此，減少MOSFET在輕載和空載時的損耗，可以通過使用QRC 模式的反激芯片和具有降頻、間歇工作方式的芯片來實現(xiàn)；

2.使用具有HV啟動功能的芯片，這樣可以避免啟動電阻產(chǎn)生的損耗。另外，要選擇合適的X電容泄放電阻；

3.對反饋線路的優(yōu)化。選擇CTR高的光耦、低工作電流的基準431以及較大的輸出電壓取樣電阻都可以一定程度的降低待機功耗。當然，同時也要考慮到對Dynamic的影響；

4.對吸收線路的優(yōu)化。傳統(tǒng)的RCD嵌位線路會造成比較大的損耗，相對而言，使用TVS嵌位也可以提升輕載能效和待機功耗；
此外，使用ZFB比較大的芯片，以及優(yōu)化變壓器的設計也會起到一定的積極作用。

總之，提升反激式開關電源的輕載能效及降低待機功耗，需要對反激式拓撲線路做詳細的分析，抓住每一個損耗的源頭，一點一滴的累積并提高，才能最大限度的滿足日益嚴格的需求。