發(fā)光二極管在固態(tài)照明工程中占有重要的地位,在未來(lái)5-10年將逐步取代傳統(tǒng)的照明燈具,成為節(jié)能、環(huán)保的新型光源。與傳統(tǒng)的光源(白熾燈,日光燈,鹵素?zé)舻龋┫啾龋?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/發(fā)光二極管">發(fā)光二極管光源具有許多優(yōu)點(diǎn),如長(zhǎng)壽命,體積小,低功耗,低環(huán)境污染,高電光轉(zhuǎn)換效率,適用性好和使用安全等。隨著GaN基III- V族化合物技術(shù)的發(fā)展和藍(lán)光LED的實(shí)現(xiàn),人們已經(jīng)可以獲得實(shí)現(xiàn)白光的三基色發(fā)光二極管。通常情況下,獲得白光發(fā)光二極管的方法有:1)藍(lán)光發(fā)光二極管+ 黃色熒光粉;2)多芯片組合,即將紅,綠,藍(lán)三個(gè)管芯結(jié)合在一起;3)光子循環(huán)實(shí)現(xiàn)白光發(fā)光方式;4)同一襯底上生長(zhǎng)不同發(fā)光波長(zhǎng)量子阱方式。但是上述幾種獲得白光的方式技術(shù)復(fù)雜、制作成本高、存在很多需要克服的困難,因此人們一直致力于實(shí)現(xiàn)能夠避開(kāi)這些問(wèn)題的單芯片白光發(fā)光器件,并從理論上預(yù)言這種器件的可行性。然而,盡管GaN基的藍(lán)、綠光發(fā)光二極管的技術(shù)日益成熟和商品化,實(shí)現(xiàn)單芯片白光發(fā)光成為科學(xué)家的夢(mèng)想。2006年,來(lái)自臺(tái)灣地區(qū)的物理所陳弘研究組采用InGaN的應(yīng)力調(diào)制層,實(shí)現(xiàn)了對(duì)InGaN/GaN多量子阱的應(yīng)力調(diào)制和控制,成功研制出單芯片白光發(fā)光器件。此方法不需要熒光粉,也不需要增加復(fù)雜的控制電路,制備過(guò)程與普通發(fā)光二極管相似。在常規(guī)的注入電流下(20mA-60mA),白光的顯色指數(shù)幾乎不變。圖一展示了不同注入電流下發(fā)光顏色的變化。圖二、發(fā)光二極管InGaN/GaN 有源區(qū)透射電子顯微鏡截面圖片
電致熒光譜研究表明在低電流下LED發(fā)射黃光。隨著電流增加大于20mA,藍(lán)光強(qiáng)度逐漸增加,出射光也逐漸由偏黃光過(guò)渡到白光。透射電子顯微鏡截面圖顯示在InGaN 量子阱中形成了大量的富In量子點(diǎn)。在低注入電流的時(shí)候,載流子先被富In量子點(diǎn)俘獲發(fā)出黃光,隨著電流增加,量子點(diǎn)之外的量子阱區(qū)域開(kāi)始俘獲載流子,輻射復(fù)合之后發(fā)射出藍(lán)光,藍(lán)光與黃光混合產(chǎn)生白光。
評(píng)論