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          倒裝焊結構發(fā)光二極管及其制造方法概要

          作者: 時間:2011-09-03 來源:網絡 收藏
          本發(fā)明公開了結構及其制造方法,包括:在散熱基板上制作第一金屬層,并分別形成p電極區(qū)和n電極區(qū);在所述第一金屬層上形成金屬凸點陣列;在LED芯片的p、n電極上形成第二金屬層;將所述LED芯片的p電極和n電極分別對應所述散熱基板上的p電極區(qū)和n電極區(qū)鍵合,并對相接觸的第二金屬層和金屬凸點陣列加壓、加超聲、加熱。本發(fā)明的結構,包括:一散熱基板;第一金屬層,位于所述散熱基板之上,包括了p電極區(qū)和n電極區(qū);金屬凸點陣列,位于所述第一金屬層上的p電極區(qū)之上;LED芯片,所述LED芯片的n電極位于所述第一金屬層的所述n電極區(qū)之上,所述LED芯片的p電極位于所述第一金屬層的所述p電極區(qū)之上。

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