同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
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圖 1 傳導(dǎo)損耗與 FET 電阻比和占空比相關(guān)
首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同時您讓高側(cè)面積更大（旨在降低其電阻），則低側(cè)的面積必須減小，而其電阻增加。其次，高側(cè)和低側(cè) FET 導(dǎo)電時間的百分比與 VOUT/VIN 的轉(zhuǎn)換比相關(guān)，其首先等于高側(cè)占空比 (D)。高側(cè) FET 導(dǎo)通 D 百分比時間，而剩余 (1-D) 百分比時間由低側(cè) FET 導(dǎo)通。圖 1 顯示了標(biāo)準(zhǔn)化的傳導(dǎo)損耗，其與專用于高側(cè) FET 的 FET 面積百分比（X 軸）以及轉(zhuǎn)換因數(shù)（曲線）相關(guān)。很明顯，某個設(shè)定轉(zhuǎn)換比率條件下，可在高側(cè)和低側(cè)之間實(shí)現(xiàn)最佳芯片面積分配，這時總傳導(dǎo)損耗最小。低轉(zhuǎn)換比率條件下，請使用較小的高側(cè) FET。反之，高轉(zhuǎn)換比率時，請?jiān)陧敳渴褂酶嗟?FET。面積分配至關(guān)重要，因?yàn)槿绻敵鲈黾又?3.6V，則針對 12V：1.2V 轉(zhuǎn)換比率（10% 占空比）進(jìn)行優(yōu)化的電路，其傳導(dǎo)損耗會增加 30%，而如果輸出進(jìn)一步增加至 6V，則傳導(dǎo)損耗會增加近 80%。最后，需要指出的是，50% 高側(cè)面積分配時所有曲線都經(jīng)過同一個點(diǎn)。這是因?yàn)閮蓚€ FET 電阻在這一點(diǎn)相等。
圖 2 存在一個基于轉(zhuǎn)換比率的最佳面積比
注意：電阻比與面積比成反比
通過圖 1，我們知道 50% 轉(zhuǎn)換比率時出現(xiàn)最佳傳導(dǎo)損耗極值。但是，在其他轉(zhuǎn)換比率條件下，可以將損耗降至這一水平以下。附錄 1 給出了進(jìn)行這種優(yōu)化的數(shù)學(xué)計(jì)算方法，而圖 2 顯示了其計(jì)算結(jié)果。即使在極低的轉(zhuǎn)換比率條件下，F(xiàn)ET 芯片面積的很大一部分都應(yīng)該用于高側(cè) FET。高轉(zhuǎn)換比率時同樣如此；應(yīng)該有很大一部分面積用于低側(cè)。這些結(jié)果是對這一問題的初步研究，其并未包括如高側(cè)和低側(cè)FET之間的各種具體電阻值，開關(guān)速度的影響，或者對這種芯片面積進(jìn)行封裝相關(guān)的成本和電阻等諸多方面。但是，它為確定 FET 之間的電阻比提供了一個良好的開端，并且應(yīng)會在FET選擇方面實(shí)現(xiàn)更好的整體折中。
下次，我們將討論如何確定 SEPIC 所用耦合電感的漏電感要求，敬請期待。本文及其他電源解決方案的更多詳情，請?jiān)L問：www.ti.com.cn/Power。
附錄：圖 2 的推導(dǎo)過程
定義：
占空比： 
MOSFET 指定電阻 (歐姆*面積): 
總面積：A
高側(cè) FET 面積： 
高側(cè) FET 電阻： 
低側(cè) FET 電阻： 
有效 FET 電阻： 
總傳導(dǎo)損耗求解過程 (用于圖 1)：
利用 α 相關(guān)導(dǎo)數(shù)：
將高側(cè)面積比總 FET 面積定義為 . (注意：其為電阻比的倒數(shù)。) 讓上面的方程式等于零，然后代入。
經(jīng)過大量的代數(shù)計(jì)算后得到：
結(jié)果如圖 2 所示。
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