影響CMOS單電源放大器的THD+N性能的因素
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有兩種單電源放大器拓?fù)淇梢越邮茈娫粗g的輸入信號(hào)。圖1a所示拓?fù)渚哂幸粋€(gè)互補(bǔ)差動(dòng)輸入級(jí)。在該拓?fù)渲?，放大器的輸入位于?fù)軌附近時(shí)，PMOS晶體管為“開”，而NMOS晶體管為“關(guān)”。當(dāng)放大器的輸入更接近于正電壓軌時(shí)，NMOS晶體管為“開”，而PMOS晶體管為“關(guān)”。
圖1：互補(bǔ)輸入級(jí)、單電源放大器：a)；帶一個(gè)正充電泵的單差動(dòng)對(duì)輸入級(jí)：b)。
這種設(shè)計(jì)拓?fù)湓诠材］斎敕秶鷷?huì)存在極大的放大器失調(diào)電壓差異。在接地電壓附近的輸入范圍，PMOS晶體管的失調(diào)誤差為主要誤差。在正電源附近的區(qū)域，NMOS晶體管對(duì)主導(dǎo)失調(diào)誤差。由于放大器的輸入通過這兩個(gè)區(qū)域之間，因此兩個(gè)對(duì)均為“開”。最終結(jié)果是，輸入失調(diào)電壓將在兩個(gè)級(jí)之間變化。當(dāng)PMOS和NMOS均為“開”時(shí)，共模電壓區(qū)域約為400mV。這種交叉失真現(xiàn)象會(huì)影響放大器的總諧波失真(THD)。如果您以一種非反相結(jié)構(gòu)來配置互補(bǔ)輸入放大器，則輸入交叉失真就會(huì)影響放大器的THD+N性能。例如，在圖2中，如果不出現(xiàn)輸入過渡區(qū)域，則THD+N等于0.0006%。如果THD+N測(cè)試包括了放大器的輸入交叉失真，則THD+N等于0.004%。您可以利用一種反相結(jié)構(gòu)來避免出現(xiàn)這類放大器交叉失真。
圖2：一個(gè)互補(bǔ)輸入級(jí)單電源放大器的THD+N性能。
另一個(gè)主要的THD+N影響因素是運(yùn)算放大器的輸出級(jí)。通常，單電源放大器的輸出級(jí)有一個(gè)AB拓?fù)?請(qǐng)參見圖1a)。輸出信號(hào)做軌至軌掃描時(shí)，輸出級(jí)顯示出了一種與輸入級(jí)交叉失真類似的交叉失真，因?yàn)檩敵黾?jí)在晶體管之間切換。一般而言，更高電平的輸出級(jí)靜態(tài)電流可以降低放大器的THD。
放大器的輸入噪聲是影響THD+N規(guī)范的另一個(gè)因素。高級(jí)別的輸入噪聲和/或高閉環(huán)增益都會(huì)增加放大器的總THD+N水平。
要想優(yōu)化互補(bǔ)輸入單電源放大器的THD+N性能，可將放大器置于一個(gè)反相增益結(jié)構(gòu)中，并保持低閉環(huán)增益。如果系統(tǒng)要求放大器配置為非反相緩沖器，則選擇一個(gè)具有單差動(dòng)輸入級(jí)和充電泵的放大器更為合適。
評(píng)論