手把手教你讀懂FET選取合適器件
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
仔細(xì)看看FET溝道部分結(jié)構(gòu)，大家看；是否可以拼出這來(lái)：
如ZVS/同步整流。反向回復(fù)時(shí)間和電荷量決定了電源的效率和電磁噪音。
看trr和Qrr
trr是二極管恢復(fù)時(shí)間；Qrr是恢復(fù)電荷量。在電路里；類似在FET的DS間并聯(lián)電容。這兩個(gè)值越大；電容量也越大。這個(gè)電容值還和溫度和實(shí)際流過(guò)二極管的電流大小有關(guān)。電流越大；溫度越高，等效電容越大。
因此；在對(duì)比不同數(shù)據(jù)表時(shí)；一定要看清測(cè)試條件。否則；劣管也能標(biāo)出好參數(shù)的。
這里；二極管流過(guò)電流時(shí)間基本和Qrrtrr無(wú)關(guān)。
AR/EAS這兩個(gè)量描述的是FET抗雪崩擊穿的能力。
EAR描述的是可重復(fù)的雪崩耐量。EAS描述的是單次耐量。
如在小功率反激里；取消RCD吸收后，大電流負(fù)載時(shí)的漏極電壓就需要EAR這個(gè)量來(lái)考核安全。再如大電流半/全橋電路里，橋短路時(shí)電流非常大；即便在安全工作區(qū)能關(guān)斷FET；仍會(huì)因引線等雜散寄生電感的作用而產(chǎn)生過(guò)壓，當(dāng)關(guān)的比較快時(shí)；過(guò)壓就會(huì)超過(guò)FET耐壓極限而擊穿。EAS是衡量FET此時(shí)是否安全的參量...這里只列舉了這兩個(gè)量的概念了兩個(gè)實(shí)際工程中的應(yīng)用實(shí)例。它們的意義遠(yuǎn)非這些。
這是這兩個(gè)量的典型圖表：
安全工作區(qū)SOA
先看這兩張圖：
這是兩個(gè)同為600V的MOSFET，都能在600V下承受最大飽和電流。即在15V柵壓時(shí)；MOSFET能流過(guò)的最大電流（MOSFET進(jìn)入了線性區(qū)；呈恒流狀態(tài)），此時(shí)的電流不隨電壓增高而增加！
評(píng)論