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          節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程
          
						
          
				作者：
				時間：2010-06-12
				來源：網(wǎng)絡(luò)

				
				
				
				
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           日前， Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案。
           傳統(tǒng)上，設(shè)計者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機，以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用中所需的低導(dǎo)通電阻和高電流，就不得不使用兩片分立MOSFET。
           新視頻展示了Vishay的SiZ700DT PowerPAIR方案如何通過將一個低邊和高邊MOSFET組合到小尺寸6mmx3.7mm的器件中，減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中電源架構(gòu)所需的空間，增加轉(zhuǎn)換器的功能，開發(fā)更小的終端產(chǎn)品，同時保持低導(dǎo)通電阻和最大電流。
           SiZ700DT的低邊MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻為5.8m?，在+70℃下的最大電流為13.9A，高邊MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻為8.6m?，在+70℃下的最大電流為10.5A。這些指標使設(shè)計者能夠使用一個器件完成設(shè)計，節(jié)約方案的成本和空間，包括在兩個分立MOSFET之間的間隙和標注面積。
           兩個MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部進行連接，使得布局變得更加簡潔，同時減少PCB印制線的寄生電感，提高效率。此外，SiZ700DT的輸入引腳排列在一側(cè)，輸出引腳排列在另一側(cè)，可進一步簡化布局。
           欲觀看此視頻，請訪問：
          http://www.vishay.com/landingpage/videos/demo_powerpair.html。
                     
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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