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          安森美案例:雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器及其應(yīng)用設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2010-03-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            MOSFET的導(dǎo)電損耗、導(dǎo)通損耗計(jì)算見等式(13)到(14):

          公式  (13)

          公式  (14)

            其中,交迭時(shí)間(Δt)由下列等式計(jì)算得出:

          公式  (15)

            MOSFET的關(guān)閉損耗見等式(16):

          公式  (16)

            其中,交迭時(shí)間(Δt)由下列等式計(jì)算得出:

          公式  (17)

            因此,MOSFET的總損耗為:

          Plosses=Pcond+PSW,on+PSW,off=173+149+324=646 mW (18)

            5) 二極管

            次極二極管D1和D2維持相同的峰值反相電壓(PIV),結(jié)合二極管降額因數(shù)(kD)為40%,可以計(jì)算出PIV,見等式(19):

          公式  (19)

            由于PIV100 V,故能夠選擇30 A、60 V、TO-220封裝的肖特基二極管MBRB30H60CT。

            二極管導(dǎo)通時(shí)間期間的導(dǎo)電損耗為:

          Pcond,forward=IoutVfDCmax=10x0.5x0.45=2.25 W (20)

            關(guān)閉時(shí)間期間的導(dǎo)電損耗為:

          Pcond,freewheel=IoutVf(1-DCmin)=10x0.5x(1-0.39) =3.05 W (21)

            NCP1252應(yīng)用設(shè)計(jì):NCP1252元件計(jì)算

            1) 用于選擇頻率的電阻Rt

            采用一顆簡單電阻,即可在50至500 kHz范圍之間選擇開關(guān)頻率(FSW)。假定開關(guān)頻率為125 kHz,那么我們就可以得到:

          公式  (22)

            其中,VRt是Rt引腳上呈現(xiàn)的內(nèi)部電壓參考(2.2 V)。

            2) 感測(cè)電阻

            NCP1252的最大峰值電流感測(cè)電壓達(dá)1 V。感測(cè)電阻(Rsense)以初級(jí)峰值電流的20%余量來計(jì)算,其中10%為勵(lì)磁電流,10%為總公差:

          公式  (23)

          公式  (24)

            3) 斜坡補(bǔ)償

            斜坡補(bǔ)償旨在防止頻率為開關(guān)頻率一半時(shí)出現(xiàn)次斜坡振蕩,這時(shí)轉(zhuǎn)換器工作在CCM,占空比接近或高于50%。由于是正激,重要的是考慮由勵(lì)磁電廠所致的自然補(bǔ)償。根據(jù)所要求的斜坡補(bǔ)償(通常為50%至100%),僅能夠外部增加斜坡補(bǔ)償與自然補(bǔ)償之間的差值。

            目標(biāo)斜坡補(bǔ)償?shù)燃?jí)為100%。相關(guān)計(jì)算等式如下:

            內(nèi)部斜坡:

          公式  (25)

            初級(jí)自然斜坡:

          公式  (26)

            次級(jí)向下斜坡:

          公式  (27)

            自然斜坡補(bǔ)償:

          公式  (28)

            由于自然斜坡補(bǔ)償?shù)陀?00%的目標(biāo)斜坡補(bǔ)償,我們需要計(jì)算約33%的補(bǔ)償:

          公式  (29)

          公式  (30)

            由于RcompCCS網(wǎng)絡(luò)濾波需要約220 ns的時(shí)間常數(shù),故:

          公式  (31)

            4) 輸入欠壓電阻

            輸入欠壓(BO)引腳電壓低于VBO參考時(shí)連接IBO電流源,從而產(chǎn)生BO磁滯。

          公式  (32)

          公式  (33)

            NCP1252演示板圖片及性能概覽

            NCP1252演示板的詳細(xì)電路圖參見參考資料2,其頂視圖和底視圖則見圖3。

          NCP1252演示板的頂視圖及底視圖

          圖3:NCP1252演示板的頂視圖及底視圖。

            在室溫及額定輸入電壓(390 Vdc)條件下,NCP1252演示板不同負(fù)載等級(jí)時(shí)的能效如圖4所示。從此圖可以看出,負(fù)載高于40%最大負(fù)載時(shí),工作能效高于90%。這演示板還能藉在轉(zhuǎn)換器次級(jí)端同步整流,進(jìn)一步提升能效達(dá)幾個(gè)百分點(diǎn)。

          安森美案例:雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器及其應(yīng)用設(shè)計(jì)

          圖4:NCP1252演示板在室溫及額定輸入電壓(390 Vdc)條件下的能效圖。

            如前所述,NCP1252提供軟啟動(dòng)功能,其中一個(gè)目標(biāo)應(yīng)用就是替代UC38xx。NCP1252有一個(gè)專用引腳,支持調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)持續(xù)時(shí)間及控制啟動(dòng)期間的峰值。

            另外,NCP1252的待機(jī)能耗性能也很突出。這器件能藉將輸入欠壓(BO)引腳接地來關(guān)閉,而關(guān)閉時(shí)VCC輸入端汲入的電流小于100 μA。

            總結(jié):

            本文介紹了磁芯復(fù)位技術(shù)的原理,比較了三次繞組、RCD鉗位及雙開關(guān)正激等常見的磁芯復(fù)位技術(shù),分析了雙開關(guān)的優(yōu)勢(shì),并結(jié)合安森美半導(dǎo)體基于雙開關(guān)正激磁芯復(fù)位技術(shù)的NCP1252固定頻率控制器,分享了這雙開關(guān)的應(yīng)用設(shè)計(jì)過程。這器件集成了輸入欠壓檢測(cè)、軟啟動(dòng)及過載檢測(cè)等眾多特性。測(cè)試結(jié)果顯示,NCP1252提供極高的工作能效和極低的待機(jī)能耗,適合UC38xx替代、ATX電源、適配器及其它任何要求低待機(jī)能耗的應(yīng)用。


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