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          探討采用綠色塑料封裝的功率MOSFET性能
          
						
          
				作者：
				時間：2009-09-14
				來源：網(wǎng)絡(luò)

				
				
				
				
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           據(jù)觀察顯示，在非綠色器件中，施加ACLV 96小時后開始發(fā)生腐蝕，此時帶腐蝕離子的電解液從焊球周邊間隙擴(kuò)散進(jìn)鍵合線。電解液沿焊球-焊盤界面流動，引發(fā)電腐蝕，造成鋁焊盤溶解。結(jié)果，在CuAl2金屬間化合物微結(jié)構(gòu)下形成裂縫，使銅焊球與鋁鍵合焊盤脫開，這引起RDS(on)值從3.4mΩ(未施加ACLV時) 增加到4.0mΩ(施加ACLV 96小時后)。裸片附著脫層也是造成RDS(on)漂移的另一個因素。然而，已證明該因素不是實質(zhì)性的。此后繼續(xù)施加應(yīng)力，脫開間隙會增大，施壓864小時后，最大間隙尺寸達(dá)到0.5μm，而96小時之際僅為0.2μm。而且，腐蝕電解液的擴(kuò)散距離隨應(yīng)力施加時長成正比增加。這已通過觀察施壓672小時后的鋁溶解情況以及由此在焊球基底形成的間隙得到證實，如圖5所示。
          探討采用綠色塑料封裝的功率MOSFET性能
          圖5 各焊球中心基底的特寫(放大15000倍)。從圖中可看出，672小時熱壓后，電解腐蝕已經(jīng)向焊球基底擴(kuò)散。 
				
            
          
                
			
							
          
                
			            
                            
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            MOSFET
                        綠色
                        塑料封裝
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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