LDO應(yīng)用的考量因素
包括輸入電壓范圍、預(yù)期輸出電壓、負(fù)載電流范圍以及其封裝的功耗能力。此外,地腳電流 Ignd 或靜態(tài)電流 Iq、電源波紋抑制比 PSRR、噪聲及封裝等也是 LDO 選擇時(shí)的應(yīng)關(guān)注的因素。
2、輸入輸出電壓差
輸入輸出電壓的差值是 LDO 最重要的參數(shù)之一。在保證輸出電壓穩(wěn)定的前提下,該電壓差越低,穩(wěn)壓器的性能越好,效率越高。反之,當(dāng)確定 LDO 能夠提供預(yù)期輸出電壓時(shí),需要進(jìn)一步考慮其壓降。輸入電壓必須大于預(yù)期輸出電壓與特定壓降之和,即
Vin > Vout + Vdropout。
如果 Vin 降低至必需的電壓以下,則我們說(shuō) LDO 出現(xiàn)“壓降”,輸出等于輸入減去旁路元件的 RDS(on) 乘以負(fù)載電流。LDO 的最大優(yōu)點(diǎn)就是:滿載的跌落壓降一般小于 500mV。輕載時(shí)的壓降只有 10 到 20mV。
3、靜態(tài)電流
LDO自身存在的靜態(tài)電流,不容忽視。例如,電池供電時(shí),為最大化電池的運(yùn)行時(shí)間,應(yīng)選擇相對(duì)于負(fù)載電流來(lái)說(shuō),Iq 極低的 LDO。假設(shè),LDO供電時(shí),Iq 只增加0.02%的微不足道的電池消耗,那么在 100mA 負(fù)載情況下,采用 200μA 的 Iq 就比較合理。
4、外圍的電容器
典型的 LDO 應(yīng)用時(shí),需要添加額外的輸入和輸出電容器。選擇對(duì)電容器穩(wěn)定性方面沒(méi)有要求的 LDO,可以降低尺寸與成本,另外某些情形甚至可省略這些電容。一般地做法是,選用較低串聯(lián)等效阻抗 ESR 的電容器可提高 PSRR、降低噪聲以及保持對(duì)負(fù)載變化的快速瞬態(tài)響應(yīng)能力,而不僅僅是提高電容容量的問(wèn)題。從這方面講,可節(jié)約一定的成本。
5、低功耗設(shè)計(jì)中的問(wèn)題
由于電池的放電特性的差異性,某些情況下,壓降對(duì)電池壽命將產(chǎn)生決定性影響。例如,堿性電池放電速度就比較慢些,其電源電壓在壓降情況下可以提供比 NiMH 電池更多的容量。因此,較低的 Iq 并不能始終保證長(zhǎng)電池壽命。哈哈,這點(diǎn)似乎與上面的第 3 點(diǎn)互相矛盾!你必須在 Iq 和壓降之間仔細(xì)權(quán)衡,以便在電池壽命期間獲得最大的容量,這才是最重要的。 隔離器相關(guān)文章:隔離器原理
評(píng)論