高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片
高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用,標(biāo)志著移動(dòng)射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展,兩款芯片借助簡(jiǎn)化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開(kāi)關(guān),相信會(huì)在集成電路上實(shí)現(xiàn)前所未有的功能。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/233889.htm集成天線開(kāi)關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開(kāi)關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA,以及首款用于3G/4GLTE移動(dòng)終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100,都是Qualcomm®RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件,并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的單一多模設(shè)計(jì)。
QFE2320和QFE2340的組合能夠覆蓋所有主要的蜂窩模式,包括LTETDD/FDD、WCDMA/HSPA+、CDMA1x、TD-SCDMA和GSM/EDGE,以及從700MHz到2700MHz的相關(guān)射頻頻段。QFE1100目前已經(jīng)在全球很多商用智能手機(jī)中采用,也將應(yīng)用于中興GrandSIILTE。
美國(guó)高通技術(shù)公司產(chǎn)品管理副總裁AlexKatouzian表示:“我們的集成功率放大器和天線開(kāi)關(guān)以及高頻段功率放大器在中興GrandSIILTE手機(jī)上得到采用,是RF360前端解決方案實(shí)施過(guò)程中一個(gè)令人興奮的進(jìn)展。消費(fèi)者和OEM廠商都將從這些創(chuàng)新的射頻解決方案中受益,它們實(shí)現(xiàn)了更小的尺寸和更高的能效,并支持全球漫游的LTE終端。”
中興通訊對(duì)外合作副總裁兼全球高端技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人王眾博士表示:“美國(guó)高通技術(shù)公司的射頻芯片組具有卓越的性能和效率,讓我們能夠設(shè)計(jì)功耗更低且外形更時(shí)尚的終端,并能夠連接到全球最快的網(wǎng)絡(luò)上。我們很高興在GrandSIILTE上采用美國(guó)高通技術(shù)公司最新RF360前端解決方案中的兩款產(chǎn)品,以及高通驍龍800處理器和WTR1625收發(fā)器,實(shí)現(xiàn)同級(jí)最佳的LTE連接和卓越用戶(hù)體驗(yàn)。”
QFE2320和QFE2340采用CMOS制造工藝,能夠?qū)⒏鹘M件更緊密地集成在單一芯片上。在QFE2320中集成功率放大器和天線開(kāi)關(guān),能夠簡(jiǎn)化走線,減少前端中的射頻組件數(shù)量,滿(mǎn)足更小的印刷電路板(PCB)面積要求——所有這些都支持OEM廠商能夠以更低的成本打造尺寸更小的終端設(shè)計(jì),支持連接到全球主要2G、3G和4GLTE網(wǎng)絡(luò)所需的廣泛射頻頻段。QFE2340高頻段MMMBPA集成收發(fā)器模式開(kāi)關(guān),提供全球首款商用LTE晶片級(jí)納米規(guī)模封裝(WLNSP)MMMBPA,首次向移動(dòng)行業(yè)引入創(chuàng)新的LTETDD射頻前端架構(gòu)。
QFE2320和QFE2340目前正向OEM廠商出貨,預(yù)計(jì)今年將在全球更多領(lǐng)先的智能手機(jī)上應(yīng)用。QualcommRF360解決方案中還包括首款用于3G/4GLTE終端的包絡(luò)追蹤芯片QFE1100和可配置天線匹配調(diào)諧芯片QFE1510,這兩款芯片已經(jīng)在2013年實(shí)現(xiàn)商用。
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