三星已量產(chǎn)20nm 4Gb DDR3內(nèi)存模組：產(chǎn)量增三成 能耗降25%
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買電腦的話，人們通常有兩種選擇，要么從戴爾聯(lián)想等OEM廠商那里買現(xiàn)成的，或者想辦法自己折騰。當(dāng)然，前者雖然省事，但是可定制的選項(xiàng)卻比較少;因而還是有不少用戶，選擇了自己更自由靈活的DIY。如此一來，你就能夠選擇硬盤的類型和容量，以及內(nèi)存頻率等規(guī)格了。說到這，很多人內(nèi)心里肯定泛起了淡淡的憂傷——因?yàn)閮?nèi)存已經(jīng)盤踞高位很久了。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/234555.htm
當(dāng)然，在內(nèi)存的選購方便，也不能一味求便宜——因?yàn)橄到y(tǒng)的穩(wěn)定性，絕對(duì)比價(jià)格更重要。
縱觀世界幾大內(nèi)存顆粒制造商，三星(Samsung)的份額和優(yōu)勢(shì)，顯然比海力士(Hynix)、鎂光(Micron/Spectek)、爾必達(dá)(Elpida)、南亞(Nanya)等競(jìng)爭對(duì)手要明顯得多。
今天，三星宣布了一個(gè)好消息——20nm 4Gb DDR3內(nèi)存模組已進(jìn)入量產(chǎn)階段。而這，將對(duì)智能手機(jī)、平板、以及個(gè)人電腦行業(yè)產(chǎn)生極大的影響。
該公司稱，“修改后的雙模式技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了新的里程碑。在20nm DDR3內(nèi)存模組上，我們用到了當(dāng)前的光刻設(shè)備，還結(jié)合了下一代的10nm級(jí)DRAM生產(chǎn)技術(shù)(核心部分)。
此外，三星還提升了生產(chǎn)力，與當(dāng)前的25nm DDR3制程相比，其速度提升了30%。與30nm級(jí)別的DDR3制程相比，更是提升了兩倍以上”。
三星進(jìn)一步解釋稱，新的20nm 4Gb DDR3內(nèi)存模組，其最多能減少25%的能源消耗(與當(dāng)前的25nm制程相比)。
有鑒于此，電池捉急的移動(dòng)設(shè)備(如智能機(jī)、平板、以及筆記本電腦等)，將成為最大的受益者。
評(píng)論