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          Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
          
						
          
				作者：
				時間：2014-03-27
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻，占位面積為2mm x 2mm。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/235413.htm

          　　日前發(fā)布的器件適用于負載和充電器開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器，以及智能手機、平板電腦、移動計算設(shè)備、非植入便攜式醫(yī)療產(chǎn)品、帶有小型無刷直流電機的手持式消費電子產(chǎn)品中電源管理應(yīng)用的H橋和電池保護。SiA936EDJ為這些應(yīng)用提供了34mΩ(4.5V)、37mΩ(3.7V)和45mΩ(2.5V)的極低導(dǎo)通電阻，并內(nèi)建ESD保護功能。器件在2.5V下的導(dǎo)通電阻比最接近的8V VGS器件低11.7%，同時具有更高的(G-S)防護頻帶，比使用12V VGS的最接近器件的導(dǎo)通電阻低15.1%。
          

          

          　　器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者可以在其電路里實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命。雙片SiA936EDJ把兩顆MOSFET集成在一個小尺寸封裝里，簡化了設(shè)計，降低了元器件數(shù)量，節(jié)省了重要的PCB空間。MOSFET進行了100%的Rg測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。
          

          　　SiA936EDJ現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            Vishay
                        MOSFET
                        SiA936EDJ
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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