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          FPGA中Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計及驗證
          
						
          
				作者：賀建龍
				時間：2014-03-31
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　隨著FPGA的功能日益強大和完善，FPGA在項目中的應(yīng)用也越來越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過實際的讀寫操作驗證。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/235594.htm

          　　Flash器件的基本知識及控制流程
          

          　　Flash是一種由大容量浮柵(floating gate)結(jié)構(gòu)的MOS管存儲單元加上讀寫控制電路構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲器，其應(yīng)用非常廣泛，按組織結(jié)構(gòu)類型分為NOR和NAND類型，其中NAND flash因為容量更大而應(yīng)用更為廣泛，如固態(tài)硬盤(SSD)就是屬于NAND類型的Flash存儲器，其編程及讀取的單位為page;擦除是為扇區(qū)Sector或整個Bulk擦除。因為flash器件內(nèi)置了電荷泵單元，所以其供電與傳統(tǒng)的EEPROM需要雙電源供電相比，只需要單電源供電即可。存儲的數(shù)據(jù)由浮柵的電子電荷決定，浮柵上沒有電荷時為“1”，當浮柵上存有電子電荷時為“0”。
          

          
				
            
                
			
								
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            			            Flash
                        驅(qū)動
                        FPGA
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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