基于多環(huán)鎖相寬帶細(xì)步進(jìn)頻率合成器的設(shè)計(jì)
末級(jí)鎖相環(huán)路D采用ADI公司鎖相環(huán)芯片AD4108。該芯片工作頻率達(dá)8 GHz,控制簡(jiǎn)單、功耗極低,同時(shí)具有良好的噪聲基底性能。經(jīng)軟件仿真,末級(jí)鎖相環(huán)路電路參數(shù)及輸出相噪如圖4,5所示。
整個(gè)多環(huán)鎖相電路結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,包含鎖相電路及數(shù)字控制電路等。為保證輸出信號(hào)相位噪聲和雜散抑制性能,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中采取了多腔體分隔的結(jié)構(gòu),并注意微波吸收材料的使用,保證各個(gè)功能環(huán)路工作穩(wěn)定且整體電磁兼容性能良好。
4 電路調(diào)試與測(cè)試結(jié)果
由于合理的方案設(shè)計(jì)和準(zhǔn)確仿真,相位噪聲等主要指標(biāo)均可實(shí)現(xiàn)。如圖6所示,全頻段輸出信號(hào)相位噪聲可達(dá)到-92 dBc@1kHz;-92 dBc @10kHz。
由于各功能環(huán)路輸出中間頻率信號(hào)較多,雜散控制是調(diào)試難點(diǎn)。在測(cè)試中發(fā)現(xiàn),有少數(shù)頻點(diǎn)的近端有雜散較大,主要分布在參考100 MHz整數(shù)倍附近的細(xì)步進(jìn)頻段,經(jīng)分析,該類(lèi)雜散的產(chǎn)生主要是由于環(huán)路A中DDS輸出信號(hào)與參考信號(hào)100 MHz及其諧波經(jīng)鏈路泄露或空間輻射進(jìn)入混頻器及鑒相器中,產(chǎn)生的高階交調(diào)出現(xiàn)在輸出信號(hào)近端,由于分布在鎖相環(huán)路帶寬以?xún)?nèi),難以消除。該現(xiàn)象的產(chǎn)生說(shuō)明,多環(huán)鎖相的細(xì)步進(jìn)頻綜對(duì)模塊內(nèi)部各功能單元的電磁屏蔽與隔離要求非常高。通過(guò)調(diào)試分析,可通過(guò)改變A、C環(huán)路輸出頻率和環(huán)路D的倍頻次數(shù)N的方法規(guī)避和解決。根據(jù)公式(2),通過(guò)掃頻,一旦發(fā)現(xiàn)存在近端雜散的頻率點(diǎn),通過(guò)改變fDDS、fLO2和末級(jí)鎖相環(huán)倍頻次數(shù)N的頻率組合,同樣可以實(shí)現(xiàn)相同頻率的輸出,且fDDS發(fā)生改變,與100 MHz的高階交調(diào)雜散分布遠(yuǎn)離主信號(hào)中心,可被末級(jí)鎖相環(huán)路濾波器濾除。圖7為經(jīng)過(guò)后期頻率控制程序處理前后的雜散分布對(duì)比圖,可見(jiàn)主信號(hào)近端雜散已經(jīng)明顯消除。
經(jīng)不斷調(diào)試改進(jìn),各項(xiàng)指標(biāo)最終測(cè)試結(jié)果如表1,均滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。
5 結(jié) 論
文中介紹了基于多環(huán)結(jié)構(gòu)的鎖相寬帶頻率合成技術(shù),在實(shí)現(xiàn)細(xì)頻率步進(jìn)和低雜散的指標(biāo)要求情況下,相位噪聲可達(dá)到≤-92 dBc/Hz@1 kHz,滿足系統(tǒng)對(duì)高質(zhì)量頻率合成器的需求,具有較好的應(yīng)用前景。
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評(píng)論