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          如何保護RS-485通信網(wǎng)絡不受有害EMC影響

          作者: 時間:2013-11-30 來源:網(wǎng)絡 收藏

            CDSOT23-SM712專門針對數(shù)據(jù)端口設計。以下兩個電路基于CDSOT23-SM712構(gòu)建,提供更高級別的電路保護。CDSOT23-SM712提供次級保護,而TISP4240M3BJR-S提供主保護。主從保護器件與過流保護之間的協(xié)調(diào)通過TBU-CA065-200-WH完成。表2顯示使用此保護電路的ESD、EFT和電涌瞬變保護電壓級別。

            

            表2. 解決方案2保護級別(8 kV)

            當瞬變能量施加于保護電路時,TVS將會擊穿,通過提供低阻抗的接地路徑來保護器件。由于電壓和電流較高,還必須通過限制通過的電流來保護TVS.這可采用瞬態(tài)閉鎖單元(TBU)實現(xiàn),它是一個主動高速過流保護元件。此解決方案中的TBU是Bourns TBU-CA065-200-WH.

            TBU可阻擋電流,而不是將其分流至地。作為串聯(lián)元件,它會對通過器件的電流做出反應,而不是對接口兩端的電壓做出反應。TBU是一個高速過流保護元件,具有預設電流限值和耐高壓能力。當發(fā)生過流,TVS由于瞬態(tài)事件擊穿時,TBU中的電流將升至器件設置的限流水平。此時,TBU會在不足1 μs時間內(nèi)將受保護電路與電涌斷開。在瞬變的剩余時間內(nèi),TBU保持在受保護阻隔狀態(tài),只有極小的電流(1 mA)通過受保護電路。在正常工作條件下,TBU具有低阻抗,因此它對正常電路工作的影響很小。在阻隔模式下,它具有很高的阻抗以阻隔瞬變能量。在瞬態(tài)事件后,TBU自動復位至低阻抗狀態(tài),允許系統(tǒng)恢復正常工作。

            與所有過流保護技術相同,TBU具有最大擊穿電壓,因此主保護器件必須箝位電壓,并將瞬變能量重新引導至地。這通常使用氣體放電管或固態(tài)晶閘管等技術實現(xiàn),例如完全集成電涌保護器(TISP)。TISP充當主保護器件。當超過其預定義保護電壓時,它提供瞬態(tài)開路低阻抗接地路徑,從而將大部分瞬變能量從系統(tǒng)和其他保護器件轉(zhuǎn)移開。

            TISP的非線性電壓-電流特性通過轉(zhuǎn)移產(chǎn)生的電流來限制過壓。作為晶閘管,TISP具有非連續(xù)電壓-電流特性,它是由于高電壓區(qū)和低電壓區(qū)之間的切換動作而導致的。圖8顯示了器件的電壓-電流特性。在TISP器件切換到低電壓狀態(tài)之前,它具有低阻抗接地路徑以分流瞬變能量,雪崩擊穿區(qū)域則導致了箝位動作。在限制過壓的過程中,受保護電路短暫暴露在高壓下,因而在切換到低壓保護導通狀態(tài)之前,TISP器件處在擊穿區(qū)域。TBU將保護下游電路,防止由于這種高電壓導致的高電流造成損壞。當轉(zhuǎn)移電流降低到臨界值以下時,TISP器件自動復位,以便恢復正常系統(tǒng)運行。

            如上所述,所有三個器件與系統(tǒng)I/O協(xié)同工作來保護系統(tǒng)免受高電壓和電流瞬變影響。

            

            圖8. TISP切換特性和電壓限制波形

            保護方案3

          常常需要四級以上的電涌保護。此保護方案可保護端口免受最高6 kV電涌瞬變的影響。它的工作方式類似于保護解決方案2,但此電路采用氣體放電管(GDT)取代TISP來保護TBU,進而保護次級保護器件TVS.GDT將針對高于前一種保護機制中所述TISP的過壓和過流應力提供保護。此保護方案的GDT是Bourns公司的2038-15-SM-RPLF.TISP額定電流為220 A,而GDT每個導體的額定電流為5 kA.表3顯示此設計提供的保護級別。

            

            表3. 解決方案3保護級別(8 kV)

            GDT主要用作主保護器件,提供低阻抗接地路徑以防止過壓瞬變。當瞬態(tài)電壓達到GDT火花放電電壓時,GDT將從高阻抗關閉狀態(tài)切換到電弧模式。在電弧模式下,GDT成為虛擬短路,提供瞬態(tài)開路電流接地路徑,將瞬態(tài)電流從受保護器件上轉(zhuǎn)移開。

            圖9顯示GDT的典型特性。當GDT兩端的電壓增大時,放電管中的氣體由于產(chǎn)生的電荷開始電離。這稱為輝光區(qū)。在此區(qū)域中,增加的電流將產(chǎn)生雪崩效應,將GDT轉(zhuǎn)換為虛擬短路,允許電流通過器件。在短路事件中,器件兩端產(chǎn)生的電壓稱為弧電壓。輝光區(qū)和電弧區(qū)之間的轉(zhuǎn)換時間主要取決于器件的物理特性。

            

            圖9. GDT特性波形

            結(jié)論

            本文說明了處理瞬變抗擾度的三種IEC標準。在實際工業(yè)應用中,通信端口遇到這些瞬變時可能遭到損壞。問題如果是在產(chǎn)品設計周期后期才發(fā)現(xiàn),可能需要重新設計,導致計劃延遲,代價巨大。因此,問題應在設計周期開始時就予以考慮,否則可能后悔莫及,無法實現(xiàn)所需的性能。

            在設計面向RS-485網(wǎng)絡的EMC兼容解決方案時,主要難題是讓外部保護元件的動態(tài)性能與RS-485器件輸入/輸出結(jié)構(gòu)的動態(tài)性能相匹配。

            本文介紹了適用于RS-485通信端口的三種不同EMC兼容解決方案,設計人員可按照所需的保護級別選擇保護方案。EVAL-CN0313-SDPZ是業(yè)界首個EMC兼容RS-485客戶設計工具,針對ESD、EFT和電涌提供最高四級保護。表4總結(jié)了不同保護方案提供的保護級別。雖然這些設計工具不能取代所需的系統(tǒng)級嚴格評估和專業(yè)資質(zhì),但能夠讓設計人員在設計周期早期降低由于EMC問題導致的項目延誤風險,從而縮短產(chǎn)品設計時間和上市時間。

            

            表4. 三種ADM3485E EMC兼容解決方案


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