高性能低功耗三相BLDC電機控制系統(tǒng)的設(shè)計

BLDC通常使用三個相位(繞組)，每個相位具有120度的導(dǎo)通間隔(參見圖7)。

圖7：六步換向

由于為雙向電流，每個相位按照每個導(dǎo)通間隔有兩個步驟。這是一種鍍錫六步換向。例如，換向相序可為AB-AC-BC-BA-CA-CB。每個導(dǎo)電階段標(biāo)記一個步驟，任何時候只能由兩個繞組導(dǎo)通電流，第三個繞組懸空。未勵磁繞組可用作反饋控制，構(gòu)成無傳感器控制算法特征的基礎(chǔ)。

為了保持在轉(zhuǎn)子之前的定子內(nèi)部的磁場，并產(chǎn)生最佳扭矩，必須在精確的轉(zhuǎn)子位置完成從一個扇形區(qū)到另一個的過渡。通過每 60 度轉(zhuǎn)向的開關(guān)電路獲得最大扭矩。所有開關(guān)控制算法均包含在MCU中。微控制器可通過MOSFET驅(qū)動器控制開關(guān)電路。MOSFET驅(qū)動器包含適當(dāng)響應(yīng)時間(如 維持延遲及上升和下降時間)和驅(qū)動能力(包括轉(zhuǎn)換MOSFET/IGBT “開”或“關(guān)”狀態(tài)所需的門驅(qū)動電壓和電流同步)。

轉(zhuǎn)子位置對于確定電機繞組換向所需的正確力矩非常重要。在精度要求較高的應(yīng)用中，可使用霍爾傳感器或轉(zhuǎn)速計計算轉(zhuǎn)子的位置速度和轉(zhuǎn)矩。在首要考慮成本的應(yīng)用中，逆電動勢 (EMF) 可用于計算位置、速度和轉(zhuǎn)矩。

逆電動勢是指永久磁鐵在定子繞組中產(chǎn)生的電壓。電機轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)時會出現(xiàn)這種情況。共有三個可用于控制和反饋信號的主要逆電動勢特征。第一，適用于電機速度的逆電動勢等級。因此，設(shè)計師使用工作電壓至少為標(biāo)準(zhǔn)電壓的2倍的MOSFET驅(qū)動器。第二，逆電動勢信號的斜率隨速度增加而增加。第三亦即最后者，如圖8所示的“交叉事件”中逆電動勢信號是對稱的。精確檢測交叉事件是執(zhí)行逆電動勢算法的關(guān)鍵。逆電動勢模擬信號可使用高壓運算放大器和模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(廣泛應(yīng)用于最現(xiàn)代的微控制器)按每個混合信號電路轉(zhuǎn)化至MCU。每個至少需要一個ADC。

圖8：交叉事件

使用無傳感器控制時，啟用順序至關(guān)重要，這是由于MCU最初不確定轉(zhuǎn)子的初始位置。首先啟動電機，激勵兩個繞組，同時從逆電動勢反饋回路進行幾次測量，直到確定了精確位置。

通?？墒褂镁哂蠱UC的閉環(huán)控制系統(tǒng)操作BLDC電機。MCU可執(zhí)行伺服回路控制、計算、糾正、PID控制及傳感器管理(如逆電動勢、霍爾傳感器或轉(zhuǎn)速計)(參見圖9)。這些數(shù)字控制器通常為8位或更高，需要EEPROM儲存固件，從而獲得設(shè)置所需電機速度、方向及維持電機穩(wěn)定性所需的算法。通常，MCU 可提供允許無傳感器電機

控制構(gòu)架的ADC。該構(gòu)架可節(jié)省寶貴成本和電路板空間。MCU兼具較強可構(gòu)造性和靈活性，可滿足優(yōu)化應(yīng)用算法之所需。模擬IC可為MUC提供高效電源、電壓調(diào)整、電壓基準(zhǔn)，能夠驅(qū)動MOSFET或IGBT及故障保護。采用這兩種技術(shù)均可高效地操作三項BLDC電機，且與感應(yīng)電機和有刷電機價格相當(dāng)。

圖9：閉環(huán)控制

總結(jié)

在許多市場和應(yīng)用中，向高效BLDC電機過渡的趨勢越來越普遍。這是由于BLDC電機用于以下優(yōu)勢：

· 高效(達75%，交流電機僅為40%)

· 熱量更少

· 更高可靠性(無電觸頭)

· 可在危險環(huán)境下操作更加安全(無灰塵產(chǎn)生，而有刷電機則有)。

通過在關(guān)鍵任務(wù)子系統(tǒng)中使用 BLDC 電機，可減少重量。這意味著在車輛中應(yīng)用節(jié)約更多燃油。由于 BLDC 電機完全采用電子整流，因此更易于高速地控制電機的扭矩和 RPM。全球許多國家面臨著電網(wǎng)不足引起的有效功率不足?？梢钥隙ǖ氖?，為了更有效地使用 BLDC電機，少數(shù)國家正在提供補貼或正準(zhǔn)備提供補貼。BLDC 部署是在避免對我們的生活方式造成不利影響的前提下促進綠色環(huán)保，節(jié)約全球?qū)氋F資源的趨勢之一。