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          基于TSC控制技術(shù)的可控硅開關(guān)分析

          作者: 時(shí)間:2013-10-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          2.2 的選擇
          關(guān)于串聯(lián)的選擇,GB 50227—1995《并列電容器裝置設(shè)計(jì)規(guī)范》規(guī)定中第5.5.2.2條“用于抑制諧波,當(dāng)并列電容器裝置接入電網(wǎng)處的背景諧波為5次及以上時(shí),宜取4.4%~6%”,當(dāng)并列電容器裝置接入電網(wǎng)處的背景諧波為3次及以上時(shí),宜取12%。
          綜上可知的電抗率k為
          wL=k/wC (2)

          k=w2LC (3)

          3 實(shí)驗(yàn)分析
          從圖2可以看出,二次側(cè)額定電壓為220 V。一般情況下,不僅是可控硅,包括所有的高壓設(shè)備,在選型時(shí)都需留有一定的裕度,應(yīng)至少取峰值的3倍。因此可得出應(yīng)選的額定電壓為220××3≈1 000 V。文中在此選擇額定電壓為1 600 V的可控硅。

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