基于TSC控制技術(shù)的可控硅開關(guān)分析
2.2 電抗器的選擇
關(guān)于串聯(lián)電抗器的選擇,GB 50227—1995《并列電容器裝置設(shè)計(jì)規(guī)范》規(guī)定中第5.5.2.2條“用于抑制諧波,當(dāng)并列電容器裝置接入電網(wǎng)處的背景諧波為5次及以上時(shí),宜取4.4%~6%”,當(dāng)并列電容器裝置接入電網(wǎng)處的背景諧波為3次及以上時(shí),宜取12%。
綜上可知電抗器的電抗率k為
wL=k/wC (2)
即
k=w2LC (3)
3 實(shí)驗(yàn)分析
從圖2可以看出,消弧線圈二次側(cè)額定電壓為220 V。一般情況下,不僅是可控硅,包括所有的高壓設(shè)備,在選型時(shí)都需留有一定的裕度,應(yīng)至少取峰值的3倍。因此可得出應(yīng)選晶閘管的額定電壓為220××3≈1 000 V。文中在此選擇額定電壓為1 600 V的可控硅。
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