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          手機USB充電面臨的綠色挑戰(zhàn)

          作者: 時間:2013-07-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


          最危險的是經(jīng)常發(fā)生的。因為閃電在輸電線上引起的浪涌電壓不只是在很少發(fā)生的房屋直接遭受雷擊時才會感應(yīng)到。事實上,每次閃電擊中電源線或僅僅擊中電源線附近的大地時,都會在(掩埋的)地線上產(chǎn)生增壓。這個波(電壓和電流)會通過電源線快速傳播,并穿過中心電站中的各個保護設(shè)備,甚至家庭的分電箱。然后,一個殘留的浪涌電壓會直接傳送到插著手機的電源插座上。

          這個殘留浪涌電壓被表征為與雷擊波形相關(guān)的尖峰di/dt。大量實驗和測量已經(jīng)將這樣的浪涌電流模型化為下面的波形,在IEC61000-4-5中被定義為8/20μs脈沖。

          在電流峰值的10%和90%之間的電流上升時間被規(guī)定為8μs,電流在20μs以后必須減小到峰值的一半。

          對設(shè)計使用低電壓和低電流工作的電子設(shè)備來說這種過電流確實非常危險。一個好的保護裝置必須能夠通過地(GND)吸收掉這個過電流,并保持一個低的箝位電壓,從而保護充電電路不受損壞。

          這種浪涌電壓比ESD浪涌更加強大,對設(shè)計師來說是一個更艱巨的挑戰(zhàn)。

          在法國(55萬平方公里),每年有100萬次雷擊擊中大地!因此這種現(xiàn)象并不是意外。即使雷電擊中房屋的概率很小,但一年內(nèi)擊中房屋周圍幾公里內(nèi)的一棵樹或地面的概率接近100%。

          家用電器不太容易遭受這些浪涌的侵害,但電子設(shè)備卻很容易。計算機、電視機等家電在設(shè)計時就考慮到了要插入輸電線,因此都有完善的保護。其他便攜式設(shè)備則采用帶有合適保護裝置的專用充電器,或通過可拆裝電池供電。但是,如果一個通用充電器出于成本原因不能有效防止這種浪涌電壓,那么手機就很容易在充電時受損。

          由于工業(yè)事件或中高壓電源線上的開關(guān)動作而引起的浪涌電壓,也可以模型化為8/20μs波形,但峰值電流會低一些。它們發(fā)生的概率也是很高的。

          第二個挑戰(zhàn)是保護器件上的功耗。能夠保護設(shè)備免受8/20μs之類浪涌電壓傷害的TVS二極管到處都有,但它們的漏電流可能高達20μA。通過一個很簡單的計算可以發(fā)現(xiàn),對于一個擁有1,000mAh的電池和400小時待機時間的手機來說,在偏置線上增加這樣一個器件將使待機時間縮短大約1%!

          解決方案建議

          設(shè)計師要在保護器件微型化、浪涌電壓下的效率,以及功耗之間做出艱難的權(quán)衡。

          圖2是手機的一個典型拓撲例子,它在上述三個參數(shù)之間提供了可接受的折衷方案:

          newmaker.com
          F2:USB的VBUS線采用的保護拓撲例子

          TVS二極管連接在充電器IC和USB連接器之間。TVS二極管越靠近連接器,ESD性能就越好。事實上,由造成電壓增加(V=Ldi/dt)的PCB金屬走線引起的ESD事件和保護電路之間的寄生電感也能被最小化。這種二極管可以承受30kV的接觸放電電壓(IEC61000-4-2)。對于這種應(yīng)用來說,8/20μs的性能很關(guān)鍵。在這種情況下,為了保護充電器芯片,二極管將吸收27A的峰值脈沖電流(IPP)到GND。這意味著,到達插座和器的浪涌電流可能達27A,這個電流將被GND吸收,而不會損壞TVS二極管或充電電路。充電器芯片見到的電壓在遭受浪涌期間(數(shù)十毫秒)不會超過18.5V,因此不會對芯片的完整性造成影響。總的峰值脈沖功率約500W。

          如果出于任何理由,將TVS二極管連接到VBAT或另外一條永久偏置線,那么TVS二極管的漏電流必須非常低。這種解決方案的漏電流為0.5μA時可以滿足便攜式設(shè)備的要求。

          最后,解決方案的必須非常小,以便在已經(jīng)集成了許多功能和許多芯片的PCB上得以實現(xiàn)。ESDA8V2-1MX2采用1.0mmx1.45mm的微型QFN封裝,最大厚度只有0.6mm。(end)

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          關(guān)鍵詞: USB充電 閃電浪涌 占位面積

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