45nm 文章 進入45nm技術(shù)社區(qū)
爆料：華為半導(dǎo)體 “塔山計劃”開啟，全面扎根芯片制造，年內(nèi)建設(shè) 45nm 產(chǎn)線
- 近期，華為消費者業(yè)務(wù) CEO 余承東在中國信息化百人會 2020 年峰會上表示，華為倡議從根技術(shù)做起，打造新生態(tài)。在半導(dǎo)體方面，華為將全方位扎根，突破物理學(xué)材料學(xué)的基礎(chǔ)研究和精密制造。獲悉，在終端器件方面，華為正大力加大材料與核心技術(shù)的投入，實現(xiàn)新材料 + 新工藝緊密聯(lián)動，突破制約創(chuàng)新的瓶頸。據(jù)微博博主@鵬鵬君駕到 爆料，華為宣布將全方位扎根半導(dǎo)體，其在內(nèi)部正式啟動“塔山計劃”并提出明確的戰(zhàn)略目標(biāo)。據(jù)了解，由于國際大環(huán)境遭受制裁使臺積電無法代工華為芯片，導(dǎo)致華為芯片無法生產(chǎn)，華為由此在內(nèi)部開啟塔山計劃。根
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Spansion在NOR閃存市場的新進展
- 作為NOR閃存最重要的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一，Spansion公司最近發(fā)布了其并行NOR閃存的最新產(chǎn)品，業(yè)界首款45nm單芯片8Gb NOR閃存。該系列產(chǎn)品是Spansion GL并行NOR產(chǎn)品線的最新成員，也是65nm Spansion GL-S產(chǎn)品系列的補充。Spansion公司NOR產(chǎn)品營銷副總裁Jackson Huang介紹說，Spansion GL-T 45nm 8Gb NOR閃存的讀取速度可達95MB/s，編程速度為1.8MB/s，是目前市面上讀取速度最快的產(chǎn)品同時也是目前市面上最高容量的NOR F
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晶圓代工與制造設(shè)備廠商激增 IC制造初現(xiàn)完整產(chǎn)業(yè)鏈
- IC制造業(yè)在中國越來越成熟，國際巨頭開設(shè)分廠，本土代工巨頭的成長，更有更多的中小公司加入進來，共同繁榮和完善中國的IC制造業(yè)。從以下這些晶圓代工企業(yè)以及制造設(shè)備商中，我們可以管窺到IC制造業(yè)在中國的布局與發(fā)展現(xiàn)狀。 像其MCU在業(yè)界的知名度一樣，富士通半導(dǎo)體的芯片制造在代工介的地位也響當(dāng)當(dāng)。富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部副經(jīng)理劉哲介紹到，“我們已經(jīng)成功從65nm轉(zhuǎn)移至55nm，除了很多可以復(fù)用的IP，還有開發(fā)一些適合55nm的IP，包括LP制程。” &ldquo
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中芯國際的進步
- 中芯國際公布了其今年Q2的運營業(yè)績，銷售額3.81億美元，與上個季度的3.51億美元相比增長8.4%，與去年同期相比增長42.5%。而Q2在臺積電的認購股權(quán)支付1.059億美元下，實現(xiàn)盈利9600萬美元。這也是中芯國際連續(xù)虧損12個季度后的首次盈利。另外，其Q2的毛利率由Q1的14.6%，上升到Q2的15.6%， 及公司的現(xiàn)金流由Q1的1.53億美元上升到Q2的1.67億美元。 從Q2的業(yè)績看，成績不小，而且來之不易。僅從Q2的毛利率15.6%，它是2007Q1以來毛利率最高的季度(見下附表)。
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先柵極還是后柵極 業(yè)界爭論高K技術(shù)
- 隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級別制程的必備技術(shù).不過在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的 工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first(先柵極)工藝流派和以Intel為代表的Gate-last(后柵極)工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術(shù)，但一般來說使用Gate-first工藝實現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)的難點在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-la
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Gloabl Foundries 30億美元的賭局
- Gloabl Foundries(GF)聲稱將投資30億美元用來擴充德國與美國的產(chǎn)能，以回應(yīng)全球代工近期呈現(xiàn)的產(chǎn)能饑餓癥。 歐洲：在Dresden新建Fab 12，目標(biāo)是45nm、28nm及22nm，月產(chǎn)能8萬片，潔凈廠房面積11萬平方英尺。項目已經(jīng)國家與歐盟批準(zhǔn)，并于2011年開始量產(chǎn)。 GF發(fā)言人稱Dresden投資在14-15億美元。 美國：GF正在紐約的Luther Forecast興建Fab 8，目標(biāo)為28nm及22nm，總建筑面積為30萬平方英尺，其中潔凈廠房為9萬平方英
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IC測試的創(chuàng)新
- EDA工具加速IC測試 隨著IC制程節(jié)點從90nm向65nm和45nm延伸，需要測試的數(shù)據(jù)量會激增，相應(yīng)地會帶來測試成本的提高(圖1)。例如，從90nm到65nm時，由于增加了門數(shù)，傳統(tǒng)的測試量急劇增加;同時，在速(at-speed)測試也成倍增加，這是由于時序和信號完整性的敏感需求;到了45nm時代，在前兩者的基礎(chǔ)上，又增加了探測新缺陷的測試。 為了提高測試效率，對測試數(shù)據(jù)的壓縮持續(xù)增長。據(jù)ITRS(國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)預(yù)測(圖2)，2010年的壓縮需求比2009年翻番。
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GlobalFoundries和Qualcomm簽訂代工協(xié)議
- Qualcomm擴充了代工廠商，宣布將與GlobalFoundries簽署代工協(xié)議。 此前，GlobalFoundries稱有意為Qualcomm提供45nm低功耗和28nm代工技術(shù)，并在未來先進節(jié)點開展合作。 GlobalFoundries將為CDMA2000、WCDMA和4G/LTE手機芯片提供代工。雙方都期待GlobalFoundries今年能在德國Dresden工廠為Qualcomm代工。 除了先進節(jié)點技術(shù)，雙方還希望在其他領(lǐng)域，如芯片封裝和3D封裝技術(shù)上開展合作。 此
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中芯國際深圳8/12英寸廠舉行完工慶典
- 剛剛從與臺積電的專利官司漩渦中脫身，大陸芯片廠商中芯國際旗下兩座深圳芯片廠便于日前舉行了完工慶典，這兩間工廠分別具備200mm(8英寸)以及300mm(12英寸)生產(chǎn)能力.中芯公司新任CEO王寧國還參加了于11月19日舉辦的這次慶典活動。 按中芯的計劃，明年這間建成的深圳8英寸廠便將開始安裝生產(chǎn)設(shè)備.不僅如此，新建的另一間12英寸廠還將支持45nm制程工藝，45nm有關(guān)的技術(shù)是從IBM授權(quán)得到的。 王寧國在這次慶典活動中宣稱新建的深圳工廠將提升中芯公司在南中國區(qū)的芯片生產(chǎn)能力。按中芯與深圳
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中芯國際2億美元現(xiàn)金與臺積電和解 出售10%股份
- 中芯國際日前宣布，與臺積電簽訂和解協(xié)議，將向臺積電分期四年支付2億美元現(xiàn)金，同時向臺積電發(fā)行新股及授予認股權(quán)證，交易完成后臺積電將持有中芯國際10%股份。 根據(jù)和解協(xié)議，雙方將解除所有已經(jīng)或者可能已經(jīng)訴諸待決訴訟的指控;終止中芯國際根據(jù)前份和解協(xié)議應(yīng)支付的剩余約4000萬美元付款責(zé)任;中芯國際向臺積電支付共2億美元，和解協(xié)議執(zhí)行時先支付1500萬美元現(xiàn)金，剩余將在四年內(nèi)分期支付，2009年12月31日前須支付1500萬美元，2010年12月31日前支付8000萬美元，2011年到2013年每年1
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中芯國際CEO張汝京離職 王寧國接任
- 中芯國際昨日宣布CEO張汝京離職，王寧國接任。此前中芯國際已連續(xù)十個季度出現(xiàn)虧損，上周在美國被判竊取臺積電商業(yè)機密。 中芯國際董事會昨日宣布委任王寧國為董事會執(zhí)行董事、集團總裁兼CEO，委任即時生效。張汝京由于個人理由辭任集團職務(wù)。 中芯國際在提交給香港證交所的聲明中寫道：“董事會宣布，張汝京將不再按照上市規(guī)則擔(dān)任公司代表，決議即刻生效。江上舟已經(jīng)被指定為公司在交易所的代表，決議即刻生效。” 由于將發(fā)布影響股價的相關(guān)信息，中芯國際股票自11月4日起停牌至今。
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45nm介紹
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