面向未來節(jié)能汽車的大功率高壓產品
最終,我們的汽車產品組合(見圖2)能夠在很寬的電壓與功率范圍內滿足節(jié)能汽車市場的要求。
利用這項高性能IC技術和當前的產品組合,IR提供了相應的電源開關來滿足擊穿電壓要求。如圖3所示,IR提供了電壓范圍為30V~300V的高性能MOSFET,其采用了高度穩(wěn)定的平面技術以及具有領先RDSON和最佳開關性能的溝槽MOSFET解決方案。對于電壓不低于300V的應用,我們提供了汽車高壓開關 - IGBT(絕緣柵雙極晶體管),我們可以利用它滿足應用需求,從而在600V~1200V(或者兩者之間的任何定制中間電壓范圍)的電壓范圍內實現低開關損耗或低導通損耗。
◆高效率
◆大載流能力
◆出色的機械和電氣性能
◆低EMI和低寄生電感
因此,IR開發(fā)了先進的封裝技術平臺,即COOLiR2 TM,其囊括了各種封裝解決方案,從分立無引線封裝到更復雜的電源模塊解決方案。
日本汽車制造商和供應商已經證明節(jié)能汽車的突破性轉變與成功是可以實現的。IR的汽車團隊致力于通過創(chuàng)新型半導體和封裝產品組合來實現汽車架構領域的“發(fā)展與變革”,讓汽車制造商、汽車系統供應商和汽車終端用戶都能夠從中受益,從而在保持駕車樂趣的同時,節(jié)約燃料,保護環(huán)境。
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