Microchip UNI／O總線技術(shù)及其應(yīng)用

④Bit4～Bit7。為無關(guān)位，讀出時(shí)為0。
(2)包含一個(gè)讀操作地址指針
在進(jìn)行存儲陣列讀操作時(shí)，瀆操作地址指針會在每個(gè)字節(jié)發(fā)送后自動指向原地址加1的存儲單元。當(dāng)?shù)竭_(dá)最高地址時(shí)，如果主器件仍然發(fā)出MAK選擇繼續(xù)讀取，則地址指針的值會翻轉(zhuǎn)回到0x00地址處。在上電后，讀地址指針會保持上一次訪問的存儲單元的地址。
(3)支持頁寫功能
用WRITE指令可以向指定地址的存儲單元或者指定地址開始的存儲器區(qū)域?qū)懭雰?nèi)容任意的數(shù)據(jù)。不過，在寫多個(gè)存儲單元時(shí)，必須限制在單個(gè)物理頁面內(nèi)寫。物理頁邊界從頁大小(16字節(jié))整數(shù)倍的地址開始，結(jié)束于頁大小的整數(shù)倍減1的地址。如果WRITE指令試圖跨越物理頁邊界進(jìn)行，其結(jié)果是將超出頁邊界的數(shù)據(jù)寫回到當(dāng)前頁的開始，即覆蓋先前存儲的數(shù)據(jù)，而不會如期望的那樣寫到下一貞。
2．2．3 UNI／O存儲器11XXX的讀寫程序
上電之后，由于11XXX處在關(guān)斷模式，而且總線處于高電平空閑狀態(tài)，所以主器件必須先在SCIO上產(chǎn)生一個(gè)高到低再到高的脈沖，使11XXX從關(guān)斷模式退出進(jìn)入空閑模式，這樣11XXX才能按照命令序列所規(guī)定的流程響應(yīng)總線上的其他信號，接收主器件發(fā)來的指令，并按指令要求完成規(guī)定的操作。
(1)寫程序流程
圖6是寫存儲陣列中未保護(hù)區(qū)塊的程序流程。圖中發(fā)送指令的操作可通過調(diào)用發(fā)送指令子程序來完成。圖7給出了發(fā)送指令程序流程。要寫存儲陣列中受保護(hù)的區(qū)塊，只需在執(zhí)行WREN指令之前，用WRSR指令對BP0、BP1進(jìn)行相應(yīng)的設(shè)置，以暫時(shí)解除待寫區(qū)塊的保護(hù)，并在程序的最后再用WRSR指令對它們進(jìn)行恢復(fù)即可。要全地址空間置1或擦除，必須先解除對整個(gè)存儲陣列的保護(hù)并使能寫操作，再發(fā)送SETAL或ERAL指令，指令發(fā)送之后用NoMAK來啟動內(nèi)部寫操作，內(nèi)部操作完成之后恢復(fù)對存儲陣列的保護(hù)即可。

(2)讀程序流程
隨機(jī)讀存儲陣列的程序流程是：先發(fā)送READ指令，再發(fā)送待讀單元地址。先高地址字節(jié)，后低地址字節(jié)。然后，從器件就會將該地址中的數(shù)據(jù)送到總線上，主器件收到第一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)后，若還要讀取更多的數(shù)據(jù)，可以發(fā)送應(yīng)答信號MAK。之后，從器件用SAK應(yīng)答，并送出下一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。若要結(jié)束讀操作，主器件只要發(fā)送NoMAK即可。
要從存儲陣列的當(dāng)前位置讀取數(shù)據(jù)可用CRRD指令來進(jìn)行操作，其程序流程除了不需要傳送存儲器單元地址外，其余操作步驟與READ相同。

結(jié)語
UNI／O總線只有一根信號線，對I／O端口的占用最少，可有效地減小嵌入式系統(tǒng)的體積并降低產(chǎn)品成本，具有廣闊的應(yīng)用前景。