基于LpLVDS和CTL技術的便攜系統(tǒng)/O設計

具有低電磁干擾、高吞吐量、低功耗、抗噪聲干擾等特性的接口技術，將成為超便攜和消費產(chǎn)品市場的重要組成部分。本文將討論基于下一代I/O技術的一些應用，這種新的I/O技術能把重新設計的風險降至最低，從而加快視頻基帶設計，并降低電磁干擾(EMI)和總體成本。

亞太地區(qū)(尤其是中國)的手機和便攜設備市場是世界最大的市場。這些市場的競爭焦點不僅在于這類產(chǎn)品的成本和性能，而且在于它們投入市場的時間。在中國，本地手機供應商占了總體市場過半。隨著中國手機制造商研發(fā)能力快速增長，他們能夠迅速在設計中采用無線射頻(RF)和基帶設計等新技術，工程師和最終用戶對于能夠縮短設計周期、降低成本和改善系統(tǒng)性能的技術極感興趣。以下將要討論基于下一代I/O技術的一些應用。

設計挑戰(zhàn)

1、高數(shù)據(jù)吞吐量需要新的信令方案

由于高端手機LCD顯示器的分辨率超過了SVGA(800×600)，而翻蓋式電話中應用處理器和LCD模塊之間的RGB數(shù)據(jù)吞吐量甚至超過750Mbps(XGA模式，60Hz刷新速度)?，F(xiàn)有的晶體管-晶體管邏輯(TTL)技術在基帶控制器和LCD模塊之間的高擺幅(0V至VCC)限制了邏輯轉(zhuǎn)換之間的信號數(shù)據(jù)吞吐量，特別是低電磁干擾要求對邊緣速率提出了限制。對于數(shù)據(jù)傳輸速率較高的TTL技術，移動電話的翻蓋和機體之間的低帶寬柔性電纜也可能會增加誤碼率，以致需要返修和重新設計基帶，從而嚴重推遲產(chǎn)品上市時間。

此外，由于下一代拍照手機具有三百萬像素以上的分辨率，RGB數(shù)據(jù)吞吐量(在快拍時被讀回至基帶處理器)進一步把現(xiàn)有TTL技術推向極限。在所有這些因素下，業(yè)界需要一種新的信令方案來解決這類問題。

圖1：各種接口信號技術的簡要比較以及CTL技術在1Gbps速度下的眼圖

2、電磁干擾和敏感性

低電磁干擾幾乎成為所有手機設計人員普遍面對的設計挑戰(zhàn)。由于具有較大的振幅，為了快速切換邏輯狀態(tài)，傳統(tǒng)的TTL技術通常具有較高的邊緣速率，因而造成反射和電磁干擾問題。降低TTL信號的邊緣速率雖然可以減小反射和電磁干擾，但卻限制了數(shù)據(jù)吞吐量。這一問題在使用低帶寬柔性電纜發(fā)送信號的手機設計中更為明顯。為了達到更大的數(shù)據(jù)吞吐量，TTL邏輯的邊沿變化速率必須提高，但這也會造成更高的電流變化速率，并且會在一個較大的頻率段上引起更高的電磁干擾輻射。此外，在邏輯電平變換時發(fā)生的任何反射不僅會引起更多磁性輻射而且會增加誤碼率。對于手機設計而言，柔性電纜周圍的電磁干擾噪聲很大，因此需要更好的共模噪聲抑制能力，而這正是低電壓差分信令(LVDS)等差分信號技術的特點。